先进相移掩模(PSM)工艺技术

先进相移掩模(PSM)制造是极大规模集成电路生产中的关键工艺之一,当设计尺寸(CD)为0.18μm时,就必须在掩模关键层采用OPC(光学邻近校正)和PSM(相移技术),一般二元掩模由于图形边缘散射会降低整体的对比度,无法得到所需要的图形。通过相位移掩模(PSM)技术可以显著改善图形的对比度,提高图形分辨率。相移掩模是在一般二元掩模中增加了一层相移材料,通过数据处理、电子束曝光、制作二次曝光对准用的可识别标记、二次曝光、显影、刻蚀,并对相移、缺陷等进行分析和检测,确保能达到设计要求。     

高集成度大规模集成电路掩模的制作技术

随着半导体集成度的提高、芯片尺寸的增大,掩模的质量成了影响片子成品率的最重要因素之一。大量生产高质量的掩模技术,对半导体工业是不可缺少的,也可以说是决定集成度界限的技术。尺寸为5毫米见方的芯片,集成度在1500门以上的LSI掩模的设计,要求是图形尺寸为5微米,图形重合精度、尺寸精度为±0.5微米。掩模制造系统分设备、材料、工艺三大部分。近几年来,由于设备显著改进,工艺几乎都自动化,基本上满足了上     

集成电路掩模缺陷的检查

16.1、序言在集成电路制造工艺中,如果集成电路的图形尺寸超过了光的波长,那么用于光刻的光掩模今后也将继续使用。集成电路掩模的检查项目中,包括掩模材料的平面度、图形尺寸和重复节距等的尺寸精度及有无缺陷等。这些项     

EB制作1：1UT Stepper掩模的工艺技术研究

一、前言UltratechStepper1500是一种比较特殊的1：1投影光刻机。它只能使用3”X5”的掩模，掩模上除用户提供的主芯片图形和PCM图形外，还要由掩模制造厂附加许多辅助图形。UltrachStepper1500对俺模的特征尺寸控制、套准精度、缺陷检查、保护膜安装等都有很严格的要求。国内使用UltratchStepper1500光刻机的用户以前只能委托台湾或国外的掩模生产厂家制作掩模，制作周期长，成本也比较高。掩模工厂引进ZBA23电子束以后，客观上基本具备了制作1：IUTStepper掩模的条件。八年初开始。在用户的配合下，据模工厂开始研究1：IUTSteppe…     

采用气体等离子体制作掩模

一、引言最近,气体等离子体被用于大规模集成电路制片工艺中,其实用性已有许多报导,另外,在照相制版工艺使用的光掩模的制作上也采用气体等离子体,并研究了把工艺的一部分干式化。本报告发表了在使用气体等离子体制作掩模工艺中(尤其是关于图形尺寸的精度和图形缺陷发生率、其曝光条件以及腐蚀条件的依赖关系)的研究结果。     

掩模测量

<正> 掩模套准测量系统用来鉴定将要出厂的掩模版的质量,以确保使用者的技术要求。掩模检测程序和合格/不合格的条件通常都已定好,一般情况下,应从以下几方面考虑版的验收方案:1.掩模图形位置误差及对片子成品率的影响;2.掩模的技术条件及对掩模成本和制造周期的影响;3.每张掩模版或初缩版上芯片图形的数目;4.每套掩模曝光处理硅片的数目;5.采样图形及代表整张掩模上图形总位置误差的采样图形精度;6.在作出合格/不合格决定时可接受的冒险程度。     

空间滤波技术应用于光掩模缺陷的检查

一、前言 光掩模的图形质量对LSI的电路性能和成品率影响很大。根据经典统计分布原理,可推得随机缺陷密度与IC成品率的关系是: Y=multiply from l=1 to(1/(1 D_lq_lA))(1) 式中:D_l——第l块掩模上的平均缺陷密度; A——IC单元电路芯片面积; l——光刻次数; q_l——缺陷的置命度。 根据式(1)可得到图1所示的曲线,这组曲线     

光掩模涂层的薄膜分析

<正> 半导体生产中的光刻工艺要求使用能确定器件某种特征的高质量的掩模材料。除了要求掩模材料能阻挡光刻操作所必需的光化辐射外(主要是紫外线),对掩模材料的要求可能是完全不同的。对各类掩模的基本要求是薄膜要耐用、耐划、热稳定性好、与玻璃的粘附性好、以及能抵抗有机清洗剂或溶剂的浸蚀,没有针孔等。最通用的材料是在钠钙玻璃或硼硅玻璃板上的700～1000埃厚的铬。铬掩模较早地取代了照相乳剂掩模,因为不透光层较薄、较硬,以及线条清晰。超大规模集成电路(VLSI)微型化的趋势,结合由电子束制造主掩模和投影复印,也已增加了对掩模材料的要求。发展 VLSI 的重点放在低缺陷密度和无针孔的材料上。增加图形的复杂性和使用正性抗蚀剂导致了大量掩模的大范围不透明,因此定位更     

256Mbit DRAM用的新掩模修正技术

日本电气公司开发和设计贴近的蚀刻图形,掩模修正技术可用于制造下一代256Mbit DRAM上.该法与以往使用的修正方法有所不同,这次研制成自动掩模修正程序能够适用于任意的掩模图形上.使用该程序,实际上可曝光的尺寸达     

畸变的掩模对光刻图形质量的影响

基于描述激光直写邻近效应的双高斯函数之差抗蚀剂模型,计算分析了邻近效应带来的掩模加工的偏差,及其对光刻图形质量的影响.模拟结果表明,当掩模的特征尺寸为1.5μm时,激光直写所加工掩模的相对面积偏差达5%,并对最终的光刻图形的质量产生严重影响.     

光刻掩模的检查方法及其装置

由于集成电路向高密度、大规模化发展,故对其光刻掩模精度的要求也越来越高。而不少地方超过了以往的掩模常规制作技术,因而在制作掩模工艺中进行尺寸检查是控制质量必不可少的工作。检查项目主要有如下几类:A.直接测量。A—1.绝对尺寸测量;A—2.微小尺寸的测量。     

掩模光栅微形变控制方法的研究

为消除用X射线光刻机加工芯片时，光栅变形对图形特征尺寸的影响，提出了用外力控制掩模光栅微小变形方法。用理论分析和有限元计算相结合的方法分析掩模光栅在外力作用下的微小变形及其误差，并对实际结构模型进行实验验证，得到了满足使用要求的最佳设计参数。     

影响全息光刻图形质量的因素

使用矩阵转换方法,对全息光刻中全息掩模衍射效率进行了数值模拟计算,讨论了记录介质显影前后特性的改变和再现时全息掩模复位精度对光刻图形质量的影响,并找出了影响图形质量的主要因素.在此基础上设计了实验系统,最后得到了分辨率基本上只受初始光掩模分辨率限制的光刻图形.     

影响全息光刻图形质量的因素

使用矩阵转换方法,对全息光刻中全息掩模衍射效率进行了数值模拟计算,讨论了记录介质显影前后特性的改变和再现时全息掩模复位精度对光刻图形质量的影响,并找出了影响图形质量的主要因素.在此基础上设计了实验系统,最后得到了分辨率基本上只受初始光掩模分辨率限制的光刻图形.     

衍射干涉光刻研究

光刻就是将掩模版上的图形转移到基底的过程,广泛应用于微电子、微机械领域。衍射现象是光刻工艺无法避免的问题,当掩模图形尺寸接近光源波长时,就会产生衍射干涉现象。利用这一现象,可以产生小于掩模图形尺寸的图形。采用严格耦合波分析算法对光刻过程中的衍射干涉做了仿真分析;并用karl suss MA6光刻机实现了基于掩模的干涉光刻实验,通过增加滤光片得到相干光源,增强光刻过程的衍射,形成衍射干涉,掩模版透光区域和部分不透光区域下方的光刻胶得到曝光,利用微米尺度的光栅图形,在光刻胶上产生亚微米的光栅;最后利用干法刻蚀工艺,在硅基底上加工出亚微米尺度光栅。     

微细图形的微小尺寸测量

本文叙述关于用光学法自动测量集成电路和大规模集成电路用的掩模或基片上所形成的微细图形尺寸的方法.图1是利用放大的光学象测量掩模图形线宽方法之一例.掩模置于可沿x-y方向定位的工件台上,由透射光照明,要测的图形,经过显微镜光学系统放大成象,在成象面上,沿着图形线宽的测量方向放     

采用移相掩模技术实现≤0.2μmi线光刻

本文提出了一种适于制作孤立图形的新的移相掩模方法,这种新的移相掩模仅由移相器图形组成。移相器的边缘线(PEL)起遮光掩蔽作用。光强计算表明:在相同的照明条件下,由移相器边缘线得到暗场,其光强分布比铬掩模的更为陡峭。采用移相器边缘线掩模及i线步进光刻机(镜头数值孔径NA=0.42,光相干因子σ=0.5),就可制作出线条(正性抗蚀剂)和间隔(负性抗蚀剂)尺寸≤0.2μm的抗蚀剂图形,图形线宽可通过曝光量进行控制。用LMR-UV负性抗蚀剂,在1.5μm宽的聚焦范围内,可制作出0.15μm宽的窗口图形。对特征尺寸很少的方孔图形,可采用一对移相器边缘线掩模和负性抗蚀剂,通过两次重叠曝光法来制作。使第二个曝光掩模上的移相器边缘线与第一个曝光掩模上的移相器边缘线构成直角正交,于是,在大于1.5μm的聚焦范围内,在两边缘线的交叉处,即可成功地形成0.2μm的方孔图形。用同样的方法及正性抗蚀剂(PFR-TT15),如果留膜厚度没有损耗,0.2μm尺寸的柱图形也可制作出来。     

Fe_2O_3半透明掩模的制备和应用

在伟大领袖毛主席亲自发动和领导的无产阶级文化大革命取得了全面胜利的大好形势下,促进了我国电子工业的飞速发展。由于电子工业的迅速发展,对半导体器件的制造提出了更高的要求。 目前半导体生产正向高频大功率和高频低噪声方向发展。电路的集成度越来越高。线条尺寸愈来愈小,图形愈来愈复杂,因此制细线条和大集成度图形的任务越来越艰巨。制版工序是半导体器件制造的先行,器件工艺要求掩模版的质量越来越高,特别是在细线条的套刻变得更加困难。以前用的光刻掩模材料就不能完全适应新发展的要求,必须寻找一种新的光刻掩模材料来满足制版工艺的要求。 我们按照毛主席“自力更生,艰苦奋斗,破除迷信,解放思想。”的教导,勇于实践,敢于创新,首先在原材料方面要求立足国内解决。为了争取时间,少走弯路,根据有关资料介绍和我们现有的条件,选择了Fe_2O_3半透明掩模作为新的掩模材料。     

ULSI掩模缺陷检查技术研究

本文以KLA－221型自动掩模缺陷检查系统硬件资源为研究工具。详尽地描述了ULSI掩模缺陷检查的实际意义、缺陷检查的原理、检查模式。提出了如何保证缺陷检查的捕俘率以及降低伪缺陷的方法。对单层掩模版的图形品成率和整套掩模版图形成品率的正确预测做了分析研究，并可由预测的结果揭示出IC芯片生产中的成品率应达数。还讨论了掩模秧陷的分类和产生的工艺因素。     

用硬接触法复印大型化铬掩模

随着生产集成电路芯片的大型化,生产光刻用的大型化铬掩模显得尤为重要了.本文介绍了用硬接触法复印大型化格掩模的设备和工艺条件,并对复印中的问题进行了分析.对所生产的4吋和5吋的铬掩模复印精度测量,其图形尺寸容差是±0.2微米.