TEOS—O3系常压CVD技术

一、前言目前，LSI随着器件结构的微细化，运用多层布线技术的器件结构的多层化得到进一步发展。由于这种器件结构复杂，对用绝缘收掩埋在圆片上所形成的高纵横尺寸比台阶这一平坦化技术的要求也就越来越严。近年来，作为解决这一问题的最有效伯措施则是采用TEOS[四乙氛基硅炼Si（OC2H5）4]的CVD技术采取代以往采用的硅院（SiH4）．特别引人注目的是，TEOS和嗅氧（O3）采用常压CVD法而形成的氧化股，具有良好的台阶复盖性。此外，用这种方法所形成的BPSG膜与硅烷系相比，台阶复盖性也优越，所以成为人们研讨的热门课题。本文介…     

采用O3—TEOS—BPSG膜和三步RF偏压溅射法形成的平坦化技术

一、前言伴随64MDRAM及256MDRAM和LSI的高速化，元件的微细化和复杂化程度日益提高。然而，元件微细化的横向尺寸下降，而纵向尺寸却没下降。结果，器件表面凸凹愈来愈严重。当在如此凸凹严重的表面上形成电路图形时，光刻工序中就会产生曝光焦点错位、腐蚀工序中会在台阶侧壁处产生“残留腐蚀”（或叫“腐蚀残留”）。为了解决这些问题，术要寻求平坦地形成层间绝缘膜技术。人们已经开发了多种平坦化技术，如：SOG（SpinonGlass：玻璃旋转涂敷法）法、有机膜涂数法、近腐蚀法、回流法、优质覆盖CVD法，与溅射相结合的偏压CVD法等…     

1Gb DRAM

日本NEC公司已采用氧化担薄膜的电容单元制成在1GbDRAM用的电容绝缘膜，其绝缘性能比硅氧化膜高好几倍，而目标是使用于1GbDRAM的氧化钽达到实用化水平。在下电极上采用半球状（SHG）的多晶硅，中间夹有钨，氧化钽的厚度用氧化膜来换算为1．6um，达到薄膜化，控制电极高度，容量可比以前增加2．6倍。所开发的氧化担的电容单元，下电极与以前一样为多晶硅，为了增加面积，已制成（SHG）结构。在其结构上面直接形成氧化担，要使本身的氧化膜变厚，把钨做在下电极的最上面，然后用化学汽相生长法淀积氧化担。上电极采用氯化钮。把氧化…     

有机源CVD法综述—兼作本专辑前言

本辑是采用有税源的化学汽相淀积（CVD）技术专辑，而有机源尤指四乙氧基硅烷Si（OC2H5）4——tetraethoxysilane，缩写简称TEOS。采用TEOS的CVD技术有TEOS－O3系常压CVD技术，TEOS－O3系等离子CVD技术，TEOS－H2O系LPCAD（低压CVD）技术，偏压ECR（电子回旋共振）CVD技术……。这些新的CVD技术的开发旨在解决深亚微米（＜0．5um）的成膜质量、台阶复盖性及平坦化问题。由于大规模集成电路的不断高集成化、加工微细化、多层布线及结构三维化，使得各和股的台阶高差增大、刻蚀条的深度饭度纵横尺寸比也越来越大，因而…     

触控感应科技再进化

投射式电容式触控技术（PCT）是电容式触控科技空前的发展成果，可以用微细的电极数组取代传统的电容覆盖膜，并在传感器前方产生电容感应区。感应数组都压缩在合成结构之内。这项功能可以减少用户直接的接触，并在一般使用的情况下达成长久的耐久性。     

三维交流电渗流泵的流量增强效果

在交流电渗流(ACEO)泵的研究中,一般忽略电极厚度的影响;而三维交流电渗流泵通过将电极厚度设计成台阶形式后,可以大大提高电渗流泵的流量。数值研究了电极台阶高度对三维交流电渗流泵流量的影响。研究发现:在驱动电压幅值不变的条件下,随着台阶高度的增加,三维交流电渗流泵流量也会增大;而当台阶高度增加到一定程度后,流量又会随着台阶高度的增加而减小。因此,在三维交流电渗流泵的设计制造中,需要优化电极的台阶高度,选择合适的台阶高度可以极大地提高电渗流泵的流量。通过和传统交流电渗流泵的比较,还研究了三维交流电渗流泵对流量的增强效果。结果表明:在相同模型尺寸参数下,优化台阶高度后的三维交流电渗流泵能极大提高流量。     

采用有机源的金属层间膜的平坦化技术

一、前言随着器件的高集成化、高速化和高功能化，器件表面台阶越来越陡峭。特别是进入亚微米时代，由于微细化和高电流密度的要求，金属布线的纵横尺寸比明显增大。所以，在扩展光刻极限的同时，从提高产品成品率、可靠性上来说，平坦化技术是一项极为重要的技术课题。图1示出了具有代表性的金属层间平坦化技术动向及其存在的问题。以往，要求低温工艺的金属层间绝缘股平坦化技术一般是采用等离子氧化股[P（等离子）－SiO2膜或P－TEOS膜等]与涂敷绝缘膜（SOG膜等）相结合的叠层结构，并在此结构上采用返腐蚀工艺或等离子氧化膜和抗蚀…     

国外多层布线平坦化技术和通孔导通技术研究概况

随着集成电路的大规模化、高密度化和高速度化,已使布线的微细化与多层化成为人们研究的重要领域之,目前最先进的工艺都采用了多层布线技术。 一般使用的多层布线结构,都是由布线金属和层间绝缘膜相互重迭形成的。这种结构产生的布线台阶和通孔台阶,会随     

TEOS—O3常压CVD膜形成中的醇类添加效果

一、前言随着LSI图形尺寸的微细化，对于层间绝缘股来说，不仅仅是绝缘特性，就是对具有微细且具有高纵横尺寸比的沟槽、或者是布线间无间隙填充等均要满足一定的几何学尺寸要求。为此，形成硅氧化膜的CVD材料，目前正在广泛地研究采用一种覆盖性较为优良的TEOS[tetraethoxysilane：（C2H5O）4Si]材料替代以往所使用的硅烷系材料。本刊在1993年第1期中虽刊出《层间绝缘膜形成技术》专集，但重点介绍的是作为涟源而采用TEOS，利用其覆盖形状的优良性而使之发展的实验情况。其中，以TEOS－O2作原料的常压CVD法由于下述几种理由：诸…     

H2O—TEOS等离子CVD膜形成中添加NH3的效果

一、前言 LSI的超高集成化正加速地发展，由于布线微细化、多层化、越来越要求层间绝缘膜平坦代技术．即称之谓用无空隙绝缘股充填狭窄布线间的间隙的“间隙充填”技术日趋重要．为此，最近正十分活跃地研制在成膜时所具有的流动性层间绝缘膜。人们很早知道可用玻璃旋转徐敦法（SOG：SpinonGlass）及常压O3－TEOSCVD法制作具有此流动性的层间绝缘股．但是，其各自缺点是；SOG法吸湿性及热处理时脱气性强，而O3－TEOSCVD法对底股的依赖性强。最近，日本的谷村先生报道了具有流动性、且又不依赖于底膜的层间绝缘膜制作方法——H2O…     

溅射成膜技术

溅射成膜技术（日立制作所）砂原和雄１前言在有源矩阵液晶显示器（ＡＭ－ＬＣＤ）的制造工艺中，溅射技术主要用来形成电极和布线薄膜，要求能高质量地形成各种功能膜。本文叙述作为当今潮流的非晶硅薄膜晶体管（ａ－ＳｉＴＦＴ）陈列工艺中溅射成膜的现状和课题。２ＴＦ...     

电容式MEMS陀螺电极间隙标定方法研究

该文以蝶翼式陀螺为研究对象,研究了电容式微机电系统(MEMS)陀螺电极间隙标定的方法。提出了一种基于谐振测量的电学标定方法,设计了基于调制解调技术的高精度微弱电容检测电路,并可以通过开关控制实现蝶翼式陀螺不同接口电容电极间隙的测量与标定。基于陀螺工作原理建立了电极间隙理论分析模型,推导了电容间隙与输出电压之间的关系,搭建了电极间隙测量与标定平台,测量了多个陀螺不同电极的间隙,并与采用电容-电压(CV)分析仪、台阶仪的测试结果进行了对比。与CV分析仪测试方法相比,该方法可有效地避免寄生电容的影响,在寄生电容未知的情况下可准确测量出有效电极间隙,同时具有更高的分辨率。与台阶仪测试方法相比,该方法可以准确反映实际电极位置的间隙大小。被测陀螺的电极间隙理论设计值为2μm,采用该文提出的方法测试值分布范围为1.92～2.2μm,采用CV分析仪测试结果为2.004μm(寄生电容已知),采用台阶仪平均测试值为2.11μm。     

高饱和度蓝色磷光有机发光器件

使用典型天蓝色磷光材料FIrpic作为磷光金属微腔有机发光器件（OLED）的发光层,以高反射的Al膜作为阴极顶电极和半透明的Al膜作为阳极底电极,采用空穴和电子注入层MoO3和LiF,制备了结构glass／Al（15nm）／MoO3（znm）／NPD（40nm）／mCP：Flrpic（30Ftm,7％）／BCP（20n...     

用导电聚合物电极的超电容器研究概况

导电聚合物制备电极的超电容器（Ｓｕｐｅｒｃａｐａｃｉｔｏｒｓ） 有两种类型： 导电聚合物直接制备电极和导电聚合物高温热解为硬碳（Ｈａｒｄ ｃａｒｂｏｎ）制备电极的电容器。导电聚合物超电容器基于法拉第准电容（Ｆａｒａｄａｉｃｐｓｅｕ－ｄｏｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ） 原理， 进出正极的是阴离子， 进出负极的是阳离子。该电容器结构中一个电极是ｎ 型掺杂， 另一个是ｐ 型掺杂。聚合物超电容器的能量密度比活性碳作电极的双电层电容器大２～３倍， 作为电容性储能装置应用前景诱人     

基于双拱形结构的压电-摩擦复合纳米发电机北大核心

提出了一种基于双拱形结构的压电-摩擦复合纳米发电机的制备方法,利用锆钛酸铅（PZT）颗粒/碳纳米管（CNT）/聚二甲基硅氧烷（PDMS）形成的混合压电薄膜与铝电极作为压电层;利用倒模工艺形成带有均匀梯形体微结构的PDMS薄膜,与铝电极形成摩擦层,其中,中间铝电极为共享电极。同时,通过聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）膜实现双拱形结构,使压电层与摩擦层能够协同工作,提高输出电性能。研究结果表明,采用双拱形结构的复合纳米发电机,其压电单元的开路电压和短路电流值分别增加了52.7%和34.1%;摩擦单元的开路电压和短路电流值分别增加了75.2%和43.2%。压电单元和摩擦单元整流后混合输出的电能能够点亮10盏LED灯,存储在电容中能够为液晶显示屏（LCD）的正常工作提供电能。因此,该复合纳米发电机能够作为绿色能源供给器件被广泛应用。     

如何选择DIY功放中的电容（下）

三、DIY功放常用电容的种类与选择 1．纸介电容 纸介电容是最早生产的一种薄膜电容，它的最大缺点是体积大，绝缘电阻低于有机薄膜电容和聚丙烯薄膜电容，因此在晶体管电路中早已被淘汰。然而纸介质是最适合与金属化电极结合，也就是说各种介质膜与金属化电极相叠，以纸介质的金属化电极质量最好。     

硫醇自组装多晶金表面AFM图像的分形研究

本文针对多晶粗糙电极表面自组装膜（SAM）体系,提出了利用原子力显微镜（AFM）相图分形维数进行表征的新方法。首先对自组装多晶金电极进行了交流阻抗测试,结果表明随着乙醇自组装液中十二烷基硫醇（C12SH）浓度增大,自组装膜中缺陷面积减少,趋向于形成完整致密的单分子层吸附膜。而对组装电极AFM图像的分形研究表明,在不同C12SH浓度条件下,电极表面高度图分形维数无明显变化,相图却呈现不同的分形特征,且体现的变化规律与交流阻抗测试结果一致,证实了AFM相图分形维数表征法研究粗糙金表面硫醇自组装膜吸附行为的可行性,为粗糙表面分子吸附行为的AFM研究提供了新思路。     

纳米蚀刻技术及其在20GHz频段SAW器件中的应用

纳米蚀刻技术及其在２０ＧＨｚ频段ＳＡＷ器件中的应用阎永志利用纳米蚀刻技术可将图形做得非常精细（ｕｍ级），将在ＵＬＳＩ、高速ＦＥＴ、分布反馈式激光器和ＧＨｚ频段ＳＡＷ器件等领域获得应用。常规蚀刻过程中，抗蚀膜层必须有一定厚度，但较厚的抗蚀膜无法获得纳米...     

电解腐蚀形成铝电极

现在,在半导体器件和集成电路中,其电极(布线)材料一般都用蒸发铝膜。特别是在集成电路中,为了高密度化和提高成品率,其电极(布线)的形成更是如此。本文概述用电解腐蚀形成铝电极的方法。图形形成技术——铝电极形成技术铝电极的形成方法,已知有光刻腐蚀法,选择阳极氧化法等等,可分类如下:1.把不要部分去除法(1)光刻腐蚀法——化学腐蚀法,电解腐蚀法。(2)剥离法——在片子上预先把光刻抗蚀剂膜涂复在电极以外的不要部分上进行铝蒸发。其后,用剥离剂将抗蚀剂膜去除,抗蚀剂上的蒸发铝膜也被剥离而形成铝电极。     

Si(100)上生长的CoSi_2薄膜的STM研究

在大气中用STM研究了固相反应生长的CoSi2薄膜表面．在Si（100）晶片上用离子束溅射淀积Co／Ti双层膜，经退火处理完成三元固相反应，生成TiN／CoSi2／Si膜，然后经H2SO4和H2O2溶液腐蚀去除TiN膜层得到均匀平整的厚度约为100nm的CoSi2薄膜．AES，XRD等分析表明所得CoSi2膜层是Si（100）衬底的外延生长膜．STM测量结果显示CoSi2薄膜表面结构致密平整，主要由交替出现的平台和台阶结构组成．平台的平均宽度为9nm，台阶高度为2个原子层厚度，分析表明这是由于Si衬底的晶面切割偏离（100）面引起的．平台表面呈平行台阶方向的相距约1．1nm的条状结构．