2cm波段耿管电调振荡器

报道了采用部分集成方案研制的Ｋｕ波段变容管调谐耿管振荡器（ＶＣＯ）及两管功率合成器。研制的两只中心频率为１６和１７ＧＨＺ的电调振荡器，其中１６ＧＨＺ的电调带宽大于６４０ＭＨｚ，输出功率大于１１０ｍＷ，功率起伏小于０．６ｄＢ；而１７ＧＨｚ的电调带宽大于２３０ＭＨｚ，输出功率大于１１０ｍＷ，功率起伏小于０．９ｄＢ。两管功率合成器的振荡频率为１７．３ＧＨｚ，输出功率达２５０ｍＷ．     

毫米波复合式准光功率合成理论与实验研究

本文从理论和实验两方面对一种新型的毫米波准光功率合成器，即：复合式准光功率合成器进行了较全面的研究。结果表明由于该功率合成器具有良好的阻抗匹配和相互注入锁定特性，因而具有较高的输出功率和合成效率，四只国产Ｇｕｎｎ器件组成的八毫米复合式准光功率合成器，在３５．６ＧＨｚ频率附近的最大输出功率达８１６ｍＷ，合成效率为８６．３％，大于１００ｍＷ输出的机械调谐带宽为８６０ＭＨｚ。     

激光二极管泵浦Nd：LMA固体激光器

分析了铝酸镁镧晶体用于半导体激光泵浦的优点，用ＬＤＡ纵向泵浦Ｎｄ：ＬＭＡ单块固体激光器，得到波长为１．０５μｍ，连续功率为３０ｍＷ的ＴＥＭ模激光输出，线偏振度为１００％泵浦阈值功率为２５０ｍＷ。     

Nd∶GdVO_4晶体的生长与性能

报道了在Ｎ２＋Ｈｅ（３０％～５０％Ｖｏｌ）气氛中用提拉法成功地生长了Ｎｄ∶ＧｄＶＯ４晶体。激光实验中，ＬＤ泵浦功率为３５０ｍＷ，采用端泵方式获得波长为１０６０ｎｍ的激光输出，ＴＥＭ００基模方式运行，阈值泵浦功率为９５ｍＷ，输出功率为１３ｍＷ，斜效率为５％。     

激光二极管泵浦Nd：Sr5（PO4）3F小型绿色激光器

以激光二极管作为泵浦源，ＫＴＰ用作内腔倍频晶体，我们已从一种新型的Ｎｄ：Ｓｒ５（ＰＯ４）３Ｆ晶体中得到了０．５２９５μｍ的绿色激光输出，阈值功率为１０ｍＷ，当光学效率为１０．１％二极管激光输入射泵浦功率为４００ｍＷ，ＴＥＭ００模绿色激光输入功率为４０．４ｍＷ，给出了ＣＷ内腔倍频激光器的理论公式，并与试验结果一致。     

高效94GHz0.15μm InGaAs／InAlAs／InP单片功率HEMT放大器

介绍了采用栅长为０．１５μｍ的钝化Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ／ＩｎＰＨＥＭＴ的高效Ｗ波段功率单片微波集成电路（ＭＭＩＣ）。０．１５×３２０μｍ单级ＩｎＰ功率ＨＥＭＴＭＭＩＣ放大器在９４ＧＨｚ时的最大功率附加效率为２３％，输出功率为４０ｍＷ，功率增益为４．９ｄＢ。当电源偏置成更高的输出功率时，在９４ＧＨｚ处可得到功率附加效率为２０％的５４ｍＷ的输出功率。这些结果表明，在此频率下，这样的效率和输出功率是迄今为止所有报道中最佳的。     

LD泵浦的声光调Q腔内倍频固体激光器

应用国产的８０８ｎｍ激光二极管（ＬＤ）研制了声光调Ｑ的Ｎｄ：ＹＶＯ４－ＫＴＰ腔内倍频的准连续、单脉冲激光器,得到了ＴＥＭ００模、频率为２０ｋＨｚ的准连续稳定的５３２ｎｍ原绿光输出,阈值泵浦功率为３００ｍＷ。在连续２Ｗ的泵浦功率下,准连续绿光输出为１２０ｍＷ,脉冲宽度为４０ｎｓ,单脉冲能量为５０μＪ,通过对声光Ｑ开关的驱动电源改造,得到了单脉冲激光输出。在分析计算的基础上,建立了２Ｗ、８０８ｎｍＬＤ     

LD准连续泵浦的Nd：FAP固体激光

用脉宽为４００μｓ，峰值功率为１３１３ｍＷ，重复频率为５０Ｈｚ的激光二极管泵浦自行研制的Ｎｄ：ＦＡＰ晶体，获得平顶峰值功率为１５７ｍＷ的激光输出。泵浦阈值功率１１７ｍＷ，斜率效率２２．５％。     

两个激光二极管端面泵浦的基横模Nd：YAG激光器

用两个功率为１．５Ｗ的连续激光二极管偏振耦合端面泵浦及分别从双端同时泵浦Ｎｄ：ＹＡＧ激光器，ＴＥＭ００模ＹＡＧ激光最大输出功率分别为６８０ｍＷ和４９２ｍＷ，总的光－光转换效率分别为２６．４％和１７．７％。从理论上对二极管单端面及双端面泵浦的ＹＡＧ激光器进行了分析计算。     

激光二极管泵浦高效Nd：YVO_4激光器特性研究

报道了激光二极管泵浦高效Ｎｄ：ＹＶＯ４激光器输出功率及波长特性的研究。基频光输出２３０ｍＷ，光－光转换效率为４５％。对激光输出波长和泵浦功率的关系进行了研究，发现激光器的输出波长随泵浦功率的平均变化率约为１．０５×１０－３ｎｍ／ｍＷ。利用ＫＴＰ腔内倍频获得２９．８ｍＷ的绿光输出，光－光转换效率为１２．４％。     

二极管象散光束端面泵浦Nd:YAG激光器

研究了用象散二极管激光光束端面泵浦的TEM0m,TEMn0多模Nd:YAG激光器。文中报导了不同泵浦功率下的激光模式情况和稳定性情况,最大CW输出功率320mW,斜效率28%,最高稳定CW输出功率232mW,斜效率20%,为进一步研究二极管泵浦的列阵器件奠定了基础。     

单瓣近衍射极限输出的带外腔半导体激光器

实验研究了带外腔反馈注入的宽接触条形激光器，并用光线传输矩阵分析了该外腔结构。利用闪耀光栅及耦合输出反射镜对表面未镀增透膜的半导体激光器构成外腔，选择一定模式的激光反馈注入回激光器，从而限制了其他模式在半导体激光器内的振荡，压缩了激光器输出激光的光谱宽度。当激光器驱动电流为2．7倍阈值电流时，获得230mW输出功率，0．6nm谱宽，单瓣近衍射极限的激光输出。用一平面镜代替光栅作为外腔反射镜，获得了320mW输出功率，1．5nm谱宽的单瓣近衍射极限的激光输出。     

108 GHz 功率放大器模块研制

介绍了105～108 GHz 频段功率放大器模块的设计和制作。模块由波导微带转换、功率芯片及芯片偏置电路组成。讨论了放大模块的设计及加工测试过程,并对模块中的关键技术波导-微带转换进行详细阐述。波导-微带转换采用E面微带探针激励完成。通过理论分析及仿真优化后设计出转换模型并制作出实物进行测试。单个转换在100～110GHz 频段内插入损耗小于0.6 dB,回波小于-10 dB。测试结果表明设计的波导-微带转换具有插入损耗小,工作频段宽的优点。采用此转换制作的功率放大模块在105～108GHz频段上增益大于13dB,输出功率大于200mW,达到预期设计指标。     

Efficient, scalable, internally folded Nd:YAG laser end-pumped bylaser diodes

A scalable diode-pumped Nd:YAG laser is described in which the gain element resembles a penta-prism. This design allows longitudinal pumping along five separate axes. Using five high-power single stripe laser diodes, 4.16 W of absorbed power produced 2.3 W CW at 1.06 μm. The slope efficiency was 56%, the output was plane polarized, and the laser operated in the TEM₀₀ mode. The threshold power, was 48 mW. No evidence of thermal saturation was observed up to the maximum pump power. With an intracavity KTP crystal, 431 mW of CW amplitude-stable output at 532 nm was generated. Repetitive Q-switched operation is also reported     

全固态Cr:LiSAF/LBO腔内倍频蓝光激光器

本文报道了利用最大输出功率为650mW的全固态Nd:YVO4/LB0671nm红光激光器作为泵浦源,纵向泵浦Cr:LiSAF,利用LBO腔内倍频,获得430nm的连续蓝光输出的实验研究,并解释了当泵浦功率继续增大时,输出功率下降的原因。在泵浦功率为560mW时,获得了最大输出功率为9mW的430nm蓝光输出,激光的阈值为230mW。     

A frequency doubler for 200 GHz with a planar Schottky varactor

A frequency doubler for 200 GHz utilising a planar surface channel Schottky varactor was designed, constructed and tested. The doubler employes novel split-waveguide mount design with two sliding backshorts at both input and output waveguides. The theoretical maximum efficiency of the doubler is 44.0 % with input power level of 32 mW and the maximum output power is 16.5 mW with input power level of 50 mW. The measured maximum efficiency of the doubler was 7.1 % and the maximum output power was 2.6 mW     

高功率密度自对准结构AlGaAs/GaAs 异质结双极晶体管

利用各向异性的湿法刻蚀和侧墙隔离技术实现了发射极金属和基极金属的自对准,采用该自对准技术成功地研制出了自对准结构的AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管,器件直流电流增益大于20,电流增益截止频率fT大于30GHz,最高振荡频率fmax大于50GHz,连续波功率测量表明：在1dB增益压缩时,单指HBT可以提供100mW输出功率,对应的功率密度为6.67W/mm,功率饱和时最大输出功率112mW,对应功率密度为7.48W/mm,功率附加效率为67%．     

High output power and high temperature operation of 1.5 μmDFB-PPIBH laser diodes

Highly efficient 1.5-μm distributed-feedback (DFB) p-substrate partially-inverted buried heterostructure laser diodes with a thin active layer developed using a metal-organic chemical vapor deposition technique are discussed. An average slope efficiency of 0.26 mW/mA (quantum efficiency 33%) and maximum slope efficiency of 0.39 mW MW/mA (49%) were achieved. The full width at half maximum in the direction perpendicular to the junction plane of 25° was obtained. A high output power of 77 mW was obtained under CW conditions at room temperature. This laser diode lased up to 120°C, and more than 10 mW was obtained, even at 90°C     

0.2 THz二倍频器研究

基于六阳极结反向串联型GaAs平面肖特基二极管,设计并实现了0.2 THz大功率二倍频器。肖特基二极管倒装焊接在50m石英电路上。采用电磁场和电路联合设计仿真获得了二倍频器的倍频效率。当入射功率在100 mW时,输出频率在190~225 GHz带内效率大于5%。在小功率（Pin100 mW）和大功率（Pin300 mW）注入条件下,测试了倍频电路的输出功率和倍频效率。在100 mW驱动功率下采用自偏压测试,最大输出功率为14.5 mW@193 GHz,对应倍频效率为14%;在300 mW驱动功率下采用自偏压测试,在188~195 GHz,输出功率大于10 mW,最大输出功率为35 mW@192.8 GHz,对应倍频效率为11%。     

高功率密度自对准结构AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管

利用各向异性的湿法刻蚀和侧墙隔离技术实现了发射极金属和基极金属的自对准 ,采用该自对准技术成功地研制出了自对准结构的 Al Ga As/ Ga As异质结双极晶体管 ,器件直流电流增益大于 2 0 ,电流增益截止频率 f T 大于30 GHz,最高振荡频率 fmax大于 5 0 GHz,连续波功率测量表明 :在 1d B增益压缩时 ,单指 HBT可以提供 10 0 m W输出功率 ,对应的功率密度为 6 .6 7W/ m m,功率饱和时最大输出功率 112 m W,对应功率密度为 7.48W/ m m,功率附加效率为 6 7%