电爆炸铝丝发光特性的实验研究

通过进行多次电爆炸铝丝实验,对比了同种铝丝在不同充电电压、不同长度下发光能量的大小,测量了不同电压下的发光光谱,同时测量了利用电爆炸引燃不同直径纳米铝粉的发光光谱。结果表明：随铝丝长度的增加发光能量先增加而后减少,发光能量随电容器充电电压的增加而增加,且充电电压对发光现象存在一个阈值;充电电压的大小决定了电爆炸的剧烈程度以及电爆炸过程中的中间产物,同时也决定了电爆炸的光谱特性;通过对不同电压下相同铝丝电爆炸采集的能量分析得到,随着注入能量的增加,光谱的强度越大。     

基于电爆炸丝断路开关的方波脉冲功率源

为了改善电感储能脉冲功率源的输出波形,本文提出一种基于电爆炸金属丝断路开关的方波输出脉冲功率源。 该脉冲源以脉冲电容器为初始储能源,通过脉冲形成网络对电爆炸金属丝开关放电,当电流达到峰值附近时,电爆炸金 属丝开关断开,将能量切换到负载上。由于脉冲形成网络中电感电流不能突变,所以负载上能得到数倍于初始储能电容 充电电压的脉冲输出;由于脉冲形成网络中电容的续流作用,所以负载上能得到准方波脉冲输出.验证实验结果表明：在 1μF 初始充电电容充电32kV 时,在10Ω 负载上得到电压幅值83kV,半高宽279ns,90%平顶172ns 左右的脉冲输出,证 明了该原理的脉冲功率源可行性。     

组合开关高功率脉冲调制电路的研究

采用环形电极结构的气体火花开关和电爆炸丝断路开关,研制了高功率脉冲调制电路。该电路通过压缩陡化爆炸磁频率发生器的输出而产生上升沿为纳秒级的宽频脉冲信号。结合球形和平面形结构电极,对环形电极脉冲陡化实验进行对比分析;根据电爆炸丝电阻率与比作用量的关系,在电路仿真软件Pspice中建立模型,并对电爆炸丝快速断路特性的数值仿真以及相关的实验研究;最后,进行了脉冲调制电路的实验,结果表明:在注入能量为35kV时,获得了上升沿为1.68ns、峰值为197kV的脉冲电压信号,压缩能量达到5倍以上,为下一步脉冲调制电路与爆磁压缩发生器的联合调试提供了理论依据和实验支持。     

集成电路内引线铜丝及铝丝球焊技术的初步探讨

本文介绍一种集成电路内引线球焊用金属丝成球装置。此装置采用受控脉冲放电的方式在企属丝端头烧制丝球焊所需的金属球。在氢气保护条件下,利用钢丝烧球时,可使球的几何形状规则,表面光滑;用铝丝烧球时,在规范适当的条件下,也可望得到良好的结果。文中指出,不仅烧球电压与金属丝球的形成有关,而且烧球电流对铜、铝丝成球的影响可能更大,这在粗丝烧球时表现更为明显。本文还对铜丝和铝丝球的焊球连接做了初步试验,试验结果表明这种连接是可以实现的。     

基于光电触发的瞬态电弧测量及分析

本文搭建了单相金属熔焊电孤发生电路.瞬态电弧持续时间短,电参数难以采集.根据电弧的光学特性,设计了基于光敏二极管的示波器外部触发电路,经过试验,满足要求.金属丝熔焊电弧试验采用了3种不同材料,通过示波器记录电压电流波形,分析了材料的差异对瞬态电弧的影响.     

四边简支板结构的挠电能量采集研究

为了研究正挠电效应在能量采集方面的应用，该文针对四边简支矩形板结构建立了挠电俘能器模型。 首先推导了在点激励作用下四边简支矩形板的动态响应；其次根据正挠电效应建立了由动态应变梯度引起的能量采集理论，并推导出外部负载电阻两端的输出电压与功率表达式；最后分析了不同的参数，如板的模态、激励位置、 挠电片尺寸、厚度与位置及负载电阻等对输出电压与功率的影响。研究结果表明，不同振动模态、贴片位置及挠电片厚度等均影响挠电能量采集的输出功率，该分析结果对优化板结构挠电俘能器的能量输出有实际意义。     

双极晶体管EMP注入损伤效应以及注入电压和能量的关系

本文研究了双极晶体管在不同注入电压下的方波电磁脉冲响应。利用曲线拟合的方法,获得了器件烧毁时间、损伤能量和注入电压的关系。研究显示器件的损伤能量并非固定值,其随着注入电压的水平而变化。通过器件仿真软件Medici分析了烧毁器件的内部变化,仿真结果显示损伤能量随着注入电压的变化,是由于器件烧毁点位置的分布随着注入电压的变化而导致。因此,由于损伤能量的变化性,传统上利用烧毁时间和注入电压的折中来进行评估器件的损伤,则不太合理。     

国外球焊技术研究动态

本文综述了第37届国际电子元件会议有关金属丝球焊的研究资料。加拿大阿尔肯公司的研究和发展中心对铝丝的表面处理方法及镀氧化铝层的厚度进行了系统的试验,获得了最佳参数,提高了铝丝球焊的质量。日本日立公司的研究所对铜丝球焊的接头可靠性进行了分析和试验,认为它至少可以达到一般金丝球焊所达到的水平,     

基于近红外双色探测器的信号采集系统设计

针对近红外双色探测器在两种不同工作 波段的光谱响应曲线及暗电流,设计了一种基于近红外双色探 测器的信号采集系统及采集方法。该系统具有多种电流转电压 档位、电压放大档位和滤波电路带宽档位,能够快速进行信号 放大和带宽控制;同时通过数字/模拟转换器(D/A)为四级放大电 路提供模拟调零信号,可有效消除由光学系统的杂散光和探测器 自身的暗电流引起的噪声。该系统具有速率快、噪声低和分辨率 高等特点。通过使用这种信号采集系统,光学系统的信噪比、动态 范围、最小可测功率等指标参数都能得到提高。     

爆炸金属丝激光器获得高能输出

在对用非普通光源泵浦的激光器的广泛研究中，洛斯·阿拉莫斯国家实验室的科学家们最近用爆炸金属丝泵浦激光器得到了创记录的高能输出。（激光器的输出能量为20焦耳,脉宽为15微秒;超过了去年苏联物理学家V. S.朱耶夫报导的13焦耳的输出。）根据洛斯·阿拉莫斯实验室化学部C. R.琼斯和C. D.韦尔的报告，用爆炸金属丝放电泵浦的一台碘分子激光器在342毫微米处已产生高于20焦耳的输出——达到了光泵紫外激光器或可见气体激光器曾达到的最高能量。此外，研究人员还用金属丝放电去激励碘原子激光器，首次从爆炸金属箔泵浦的器件中得到了激光作用。     

基于电容放电单元的爆炸丝起爆特性数值分析

对于含多路爆炸丝（强非线性元件）的电容放电单元（CDU）,其起爆特性研究中最重要的是掌握爆炸丝工作时的物理特性。本文利用电阻率-比作用量关系描述爆炸丝工作时的电学特性,采用 PSPICE 对含爆炸丝的 CDU 回路进行仿真建模,并建立相应的实验平台测量了爆炸丝工作时的电流电压特性。结果表明,仿真结果与实验测量基本吻合：多个爆炸丝串联时,爆炸丝材料特性的差异会影响起爆同步性,而尺寸参数的差异不会影响起爆同步性;多个爆炸丝并联时,爆炸丝材料和尺寸参数的差异都会显著影响起爆同步性及可靠性,容易引起起爆失败。该仿真可用于多路起爆同步性和起爆裕度的定量评估。     

基于电容放电单元的爆炸丝起爆特性数值分析

对于含多路爆炸丝(强非线性元件)的电容放电单元(CDU),其起爆特性研究中最重要的是掌握爆炸丝工作时的物理特性。本文利用电阻率-比作用量关系描述爆炸丝工作时的电学特性,采用PSPICE对含爆炸丝的CDU回路进行仿真建模,并建立相应的实验平台测量了爆炸丝工作时的电流电压特性。结果表明,仿真结果与实验测量基本吻合：多个爆炸丝串联时,爆炸丝材料特性的差异会影响起爆同步性,而尺寸参数的差异不会影响起爆同步性;多个爆炸丝并联时,爆炸丝材料和尺寸参数的差异都会显著影响起爆同步性及可靠性,容易引起起爆失败。该仿真可用于多路起爆同步性和起爆裕度的定量评估。     

Optical energy considerations for diode-clamped smart pixel opticalreceivers

We calculate the switching time as a function of optical energy for a single-stage smart pixel receiver. We find that operating the receivers dynamically using modelocked pulses is the most energy-efficient method of operation. We also show that the receivers no longer operate with constant optical input energy, like the symmetric self electro-optic effect device (S-SEED), but rather the product of the required optical energy and the switching time is constant, as a result of the introduction of electrical voltage gain     

Degradation Study of Organic Semiconductor Devices Under Electrical and Optical Stresses

Degradation due to electrical and optical stresses on organic semiconductor devices fabricated with imidazolin-5-one as an active layer is studied in this letter. It is found that while both electrical and optical stresses degrade device performance, the former leads to much faster degradation as compared with the latter. It is found that in electrical-stress degradation, the drop in current is a strong function of the charge flowing through the device during stress (charge fluence). For optical-stress degradation, it is strongly dependent on the duration of stress. It is also found that the input electrical and light energy during the stress may be annealing out some of the defects in the device and, hence, mitigating the degradation due to the applied stress.     

GaN基绿光LED芯片电流加速失效机理研究

采用电流加速的电应力老化方法研究GaN基绿光 LED芯片的失效机理。LED芯片在经过60 mA 电流老化424 h后,其发光效率总体趋势都是随老化时间增加而减小 ,但是小测量电流相比于大测量电 流的发光效率衰减程度更为明显。同时,在正向偏压下电流电压曲线基本没有变化,而反向 偏压下的反向 电流随老化时间的增加而快速增加。笔者认为在电应力老化作用下,随老化时间增加,有源 区的缺陷能级 增多,在正向偏压下,缺陷能级起到一个有效陷阱的作用,增加了载流子的寿命,降低了辐 射复合的几率, 使得发光效率降低,但是并没有减小正向偏压下的电流,而反向偏压时,缺陷能级起到了一 个漏电通道的作用,使得反向电流增大。     

爆磁压缩驱动的红外脉冲强光辐射源研究

提出一种爆炸激励红外脉冲强光辐射的技术途径，即用爆磁压缩装置产生的电压，电流激励聚光腔中的氙灯，再用氙灯泵浦谐振腔中的钕玻璃工作物质产生红外脉冲强光辐射，给出爆磁压缩装置的实验结果，将此结果应用于含爆磁压缩装置，电爆炸丝断路开关和电感储能脉冲功率电路的PSpice模型，计算出加在负载上的电流、电压波形，探讨爆磁压缩装置与负载电路各参数实现匹配的可能性。     

Electrical noise measurements on laser diodes for monitoring of optical feedback and mode hopping

By measuring the wideband electrical noise voltage at the diode terminal, several laser characteristics can be monitored entirely without optical equipment. The letter describes the application of electrical noise measurements to the study of longitudinal mode hopping and optical feedback-induced noise from, for example, optical fibres.     

CORRELATION BETWEEN LIGHT EMISSION AND CURRENTS IN PSEUDOMORPHIC HEMTs

In this paper we demonstrate the straight correlation between the integrated light emitted and the DC currents in GaAs-based pseudomorphic HEMTs biased at high drain voltage, when, due to hot electrons, impact ionization takes place. By means of electrical and optical measurements, we found three different recombination mechanisms, which originate the light emission in three different energy ranges.     

Integrated optical high-voltage sensor based on a polymeric Y-branch digital optical switch

An integrated optical high-voltage sensor is realized by fabricating a Y-branch digital optical switch in an electrooptic polymer. The measurement of ac high voltage is accomplished by using the linear transfer characteristics of the switch at zero bias voltage. Furthermore, the logarithmic ratio between the optical powers of two output ports may be used to remove the noise caused by the power fluctuations of a light source. The polymeric high-voltage sensor requires no electrical dc biases and no voltage dividers. It is also wavelength insensitive and fabrication-tolerant due to its use of mode evolution effects instead of interference. The measured sensing voltage range is as large as ac 500-V peak-to-peak.