倒装芯片的底部填充材料和涂布

倒装芯片是当今半导体封装领域的一大热点,它既是一种芯片互连技术,更是一种理想的芯片粘接技术。以往后级封装技术都是将芯片的有源区面朝上,背对基板粘贴后键合(如引线键合和载带自动键合TAB)。而倒装芯片则是将芯片有源区面对基板,通过芯片上呈阵列排列的焊料凸点来实现芯片与衬底的互连。显然,这种芯片互连的方式能够提供更高的I/O密度。     

微波多芯片模块技术

论述了微波多芯片模块（MMCM）技术的发展历史、应用领域及工艺进展。着重从芯片互连、基板材料及封装设计等方面讨论了该技术的发展前景,并对我国微电子和MMCM封装技术提出几点建议。     

LCD驱动芯片CoF封装技术的现状及发展

挠性封装基板具有可弯折、重量轻、厚度薄等特点。基于挠性基板的CoF互连技术逐渐成为薄膜晶体管液晶显示屏(TFT-LCD)驱动芯片的主流封装技术。针对液晶显示系统中驱动芯片CoF封装技术的4种主要互连技术——ACA连接技术、NCA连接技术、焊料连接技术和金-金热压技术的原理、特点、研究现状和发展前景进行了总结,提出了未来CoF互连技术可能出现的新工艺和发展方向。     

通孔电极技术在室温对芯片的黏合运用

日立有限公司(Hitach.Ltd．)与瑞萨科技公司共同研制开发了一种新的堆叠芯片技术，采用通孔电极技术互连方法来实现室温下芯片的黏合。新技术取消了所需的连接线，且比最先进的SiP(系统级封装)产品减少封装厚度达60％以上。这种方法为开发3D堆迭SiP产品提供了一种新的封装技术选择。     

一种采用硅基板的芯片大小组件封装

新加坡某公司最近宣布可提供一种芯片大小封装组件，这种封装组件采用硅基板，在系统级封装内集成了无源元件和硅集成电路。使用硅基板，一是可以采用薄膜工艺来集成无源元件及增加互连密度，二是可以避免基板与集成电路芯片之间的热胀系数失配。     

MCM的工艺技术发展

一、引言多芯片模块MCM：（MultichipModule）的基本概念是：把多块裸露的IC芯片组装在同一块多层高密度互连基板上，并封装在同一管壳中，形成一个多芯片功能组件。MCM是一种先进的电子组装技术，与过去的混合IC概念的关键区别在于“多块”“裸露”芯片直接组装在多层高密度互连基板上，若把一些单片器件组装在PC板上，则不能叫做MCM。采用MCM技术，其芯片之间的节距可缩得极小，层与层间以通孔金属化导线互连，因此，其多层互连线比常规PC板或混合IC要缩短一个数量级，由此导致一系列引人注目的重大优点。国际上的研究开发结果…     

一种低成本的硅垂直互连技术

1引言 近年来，随着三维叠层封装技术和MEMS封装技术的发展，硅垂直互连技术正在受到越来越多的重视【1】。这一技术通过在硅片上制作出垂直电互连来实现芯片正面与背面或上下芯片之间的互连，从而缩短了互连线的长度并为芯片提供更为优异的电性能。其应用包括：台面MOS功率器件的倒装芯片封装【2】、垂直集成传感器阵列的制造【3】、RF-MEMS器件的封装【4】、高性能硅基板的开发【5】和芯片的三维叠层封装【6】。     

高密度多芯片集成电路封装技术

本文介绍了多芯片封装技术和工艺方案，包含系统功能设计、物理设计、版图验证，电学热学分析和基板工艺技术，及其市场发展趋势。     

有机封装基板的芯片埋置技术研究进展

有机封装基板为IC提供支持、保护和电互联,是IC封装最关键的材料之一。系统级、微型化和低成本是IC封装的趋势,将有源、无源元件埋入封装基板,可以充分利用基板内部空间,释放更多表面空间,是减小系统封装体积的重要途径,因此有机封装基板的芯片埋置技术发展迅速。主要介绍有机封装基板的埋置技术发展过程,归纳了有机基板芯片埋置工艺路线类型,着重介绍了近十年不同的芯片埋置技术方案及其应用领域。在此基础上,对有机封装基板的埋置技术研究前景进行了展望。     

少数芯片封装（FCP）：MCM的复兴

多芯片组件虽然可以提供极高的互连密度，但其高昂的成本一直限制了它的使用。近年来研究人员又提出了一种和多芯片相对的少数芯片封装概念，它克服了以往设计的不足，能满足目前电子产品在成本和功能上的要求。     

高密度三维封装技术

简要介绍为满足日益增长的低功耗、轻重量、小体积系统的应用需求而涌现出的多种裸芯片封装一多芯片叠层封装技术。详细讨论三维封装的垂直互连工艺。主要分析三维封装技术的硅效率、复杂程度、热处理、互连密度、系统功率与速度等问题。     

采用热压焊工艺实现金凸点芯片的倒装焊接

金凸点芯片的倒装焊接是一种先进的封装技术.叙述了钉头金凸点硅芯片在高密度薄膜陶瓷基板上的热压倒装焊接工艺方法,通过设定焊接参数达到所期望的最大剪切力,分析研究互连焊点的电性能和焊接缺陷,实现了热压倒装焊工艺的优化.同时,还简要介绍了芯片钉头金凸点的制作工艺.     

高密度三维封装技术

简要介绍为满足日益增长的低功耗、轻重量、小体积系统的应用需求而涌现出的多种裸芯片封装与多芯片叠层封装技术。详细讨论三维封装的垂直互连工艺。主要分析三维封装技术的硅效率、复杂程度、热处理、互连密度、系统功率与速度等问题。     

一种高密度系统封装的设计与制作

介绍了硅基内埋置有源芯片多层布线工艺、低温共烧陶瓷(LTCC)基板工艺、芯片叠层装配等高密度系统级封装技术,重点介绍了系统级封装技术的总体结构设计、主要工艺流程、三维层叠互连的关键工艺技术,以及系统测试和检测评价等技术.     

大电流窄脉冲激光器驱动芯片设计

脉冲式半导体激光器的出光质量直接影响探测精度。针对激光探测系统小型化的需求,设计一款面积小、集成度高的激光器驱动芯片。该芯片使用新型3D堆叠式封装技术将栅极驱动管芯与功率场效应晶体管管芯集成,并在中间添加双面覆铜陶瓷基板实现两管芯互连。该封装形式既提高了芯片的散热能力,又增强了过流能力。首先对激光探测发射模块现状进行详细介绍,引出了激光器驱动芯片的设计思路与方法,并给出了具体的封装设计流程。对栅极驱动电路与版图进行设计,使用0.25 μm BCD工艺制造栅极驱动芯片。在完成激光器驱动芯片封装后,搭建外围电路进行测试,使该芯片驱动860 nm激光器,芯片供电电压为12 V时,输入电平为3.3 V、频率为10 kHz的PWM信号,芯片输出脉冲宽度为180 ns的窄脉冲,其上升、下降时间小于30 ns,峰值电流高达15 A,可以使激光器正常出光,满足探测需求。芯片具有超小面积,约为5 mm×5 mm,解决了传统激光器驱动电路采用多芯片模块造成探测系统内部空间拥挤的问题,为小型化提供新思路。     

功率电子模块及其封装技术

功率电子模块正朝着高频、高可靠性、低损耗的方向发展,其种类日新月异。同时,模块的封装结构、模块内部芯片及其与基板的互连方式、封装材料的选择、制备工艺等诸多问题对其封装技术提出了严峻的挑战。文章结合了近年来国内外的主要研究成果,详细阐述了各类功率电子模块（GTR、MOSFET、IGBT、IPM、PEBB、IPEM）的内部结构、性能特点及其研究动态,并对其封装结构及主要封装技术,如基板材料、键合互连工艺、封装材料和散热技术进行了综述。     

确好芯片商业化的关键问题

基于老化筛选技术的确好芯片KGD是现行多芯片封装结构中的关键芯片,具有封装成本低、可靠性高、体积小、易封装集成等优点,其应用前景广泛,如多芯片组件、多芯片封装、系统封装、功率系统封装、微系统封装、堆叠封装、混合集成电路等。文章对KGD技术做了分类总结,综述了近几年KGD技术的研发进展,指出KGD进一步发展的商业化关键问题。     

埋置型叠层微系统封装技术

包含微机电系统(MEMS)混合元器件的埋置型叠层封装,此封装工艺为目前用于微电子封装的挠曲基板上芯片(COF)工艺的衍生物。COF是一种高性能、多芯片封装工艺技术,在此封装中把芯片包入模塑塑料基板中,通过在元器件上形成的薄膜结构构成互连。研究的激光融除工艺能够使所选择的COF叠层区域有效融除,而对封装的MEMS器件影响最小。对用于标准的COF工艺的融除程序进行分析和特征描述,以便设计一种新的对裸露的MEMS器件热损坏的潜在性最小的程序。COF/MEMS封装技术非常适合于诸如微光学及无线射频器件等很多微系统封装的应用。     

MCM(MCP)封装测试技术及产品

1、简介南通富士通的MCM封装测试技术是利用陶瓷基板或硅基板作为芯片间的互连,将二片以上的超大规模集成电路芯片安装在多层互连基板上,再用金丝与金属框架相连通,而后由树脂包封外壳的多芯片半导     

先进的MCM微电子组装技术

电子技术发展至今，限制电子器件性能提高的关键因素已不是芯片本身的制作，而是互连，封装技术。一种先进的互连，封装技术－多芯片组件已崭露头角。文章简要叙述了ＭＣＭ的历史背景，应用前景和市场预测，重点介绍了ＭＣＭ的种类，结构及其设计，制作和测试技术。