Ti/SnO_2 Sb_2O_3 MnO_2/PbO_2阳极的性能研究

制备了一种非贵金属阳极－Ｔｉ／ＳｎＯ２＋Ｓｂ２Ｏ３＋ＭｎＯ２／ＰｂＯ２,并用ＸＲＤ、ＳＥＭ进行了表征,计算出了电极的分形维数,测定了该电极在硫酸中的使用寿命和动力学参数,把该电极用于处理含酚废水和Ｐｂ电极进行对比．结果表明,节电３３％,转化率达９５％,是一种优良的电化学催化剂．     

Ti／RuO2＋SnO2＋Sb2O3｜Pb3O4阳极的性能研究

本文对Ｔｉ│ＲｕＯ２＋ＳｎＯ２＋Ｓｂ２Ｏ３│Ｐｂ３Ｏ４阳极进行了ＳＥＭ、ＥＤＳ、ＸＲＤ研究，考察了在ＩＭＨ２ＳＯ４中电极寿命，测定了该电极的电化学动力学参数ａ、ｂ、ｉ０，并用双位垒模型讨论了其电化学性能，结果表明该电极具有优良的电化学性能和较长的使用寿命。     

沉淀法合成高比表面积超细SiO2

以水玻璃和盐酸为原料，采用化学沉淀法制备出多孔型、高比表面积、超细ＳｉＯ２，用ＢＥＴ、ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＤＴＡ－ＴＧＡ等手段对其性能进行了表征，结果表明，所制得的多孔型ＳｉＯ２经表面积可达１０００ｍ＾２／ｇ以上，孔分布均匀，粒径小，具有许多特殊的性能。     

PECVD方法制备SnO2气敏薄膜的电子显微镜研究

通过ＳＥＭ、ＴＥＭ研究了ＰＥＣＶＤ方法制备的ＳｎＯ＿２薄膜的显微结构，讨论了沉积速率与颗粒大小的关系；在Ｓｉ、陶瓷和ＫＢｒ３种不同衬底上沉积的ＳｎＯ＿２薄膜的差异以及退火对ＳｎＯ＿２膜结晶状态的影响。结果表明，ＰＥＣＶＤ方法制备的ＳｎＯ＿２薄膜是非晶态，具有柱状结构。退火使非晶ＳｎＯ＿２膜向着多晶方向转化，演化过程为：非晶大颗粒→超微粒多晶→晶粒长大。     

超临界流体干燥法制备纳米级TiO2的研究

本文以廉价无机盐为原料,采用溶胶－凝胶法结合超临界流体干燥制备了纳米级ＴｉＯ２,并采用ＸＲＤ,ＤＴＡ－ＴＧ、ＴＥＭ技术研究了Ｓｏｌ－Ｇｅｌ过程中溶液的ＰＨ值、浓度、陈化时间及ＳＣＦＤ技术等条件对ＴｉＯ２粒径大小的影响。     

Al2O3-SiO2(sf)/Al-Si复合材料的界面结构研究

采用ＴＥＭ,ＥＤＳ,ＨＲＥＭ 等测试手段,对液体压力浸渗法制备的Ａｌ２Ｏ３－ ＳｉＯ２（ｓｆ）／ＺＬ１０９复合材料的界面结构以及界面反应机理进行了观察和分析,结果表明：多晶Ａｌ２Ｏ３－ ＳｉＯ２纤维和基体金属在复合材料的高温制备过程中发生了化学反应,产生了尖晶石ＭｇＡｌ２Ｏ４;ＭｇＡｌ２Ｏ４沿复合材料界面呈颗粒状分布,形成了非连续分布的反应结合型界面结构。     

三嵌段共聚物合成SiO2中孔材料的制备化学

采用溶胶－凝胶法,以正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）为前驱体,添加聚氧乙烯醚（ＰＥＯ）－聚氧丙烯醚（ＰＰＯ）－聚氧乙烯醚（ＰＥＯ）共聚物为模板剂制备结构可控的ＳｉＯ２中孔材料,通过ＢＥＴ、ＴＧ／ＤＴＡ、ＦＴ－ＩＲ、＾２９ＳｉＮＭＲ等分析手段,     

Al2O3—SiO2（sf）／Al—Si复合材料的界面结构研究

采用ＴＥＭ,ＥＤＳ,ＨＲＥＭ等测试手段,对液体压力浸渗法制备的Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２（ｓｆ）／ＺＬ１０９复合材料的界面结构以及界面反应机理进行了观察和分析,结果表明：多晶Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２纤维和基体金属在复合材料的高温制备过程中发生了化学反应,产生了尖晶石ＭｇＡｌ２Ｏ４;ＭｇＡｌ２Ｏ４沿复合材料界面呈颗粒状分布,形成了非连续分布的反应结果型界面结构。     

Pd/γ-Al2O3复合膜的制备工艺研究

本文研究了采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备用于Ｈ２分离的Ｐｄ／γ－Ａｌ２Ｏ３复合膜的工艺过程,将含Ｐｄ＾２＋的源物质直接加入到稳定,ｐＨ适宜的勃姆石溶液中,用直接浸取的方法在多孔α－Ａｌ２Ｏ３实底上成膜。ＢＥＴ测试表明,复合膜的平均孔径为２．５－４．０ｍｍ,分析了Ｐｄ的含量和工艺参数对复合膜的形貌和结构的影响,并对膜材料进行了ＳＥＭ,ＸＲＤ和Ｎ２透气性能研究。     

ZrO2-Ti系材料的热力学分析与显微结构研究

通过热力学数据的预报与计算,对ＺｒＯ２－Ｔｉ体系的相间热力学稳定性进行了分析,并确定了材料民折和学条件。在此基础上常压烧结合不同组分配比的ＺｒＯ２－Ｔｉ系复合材料,并采用ＸＲＤ,ＳＥＭ,ＴＥＭ等方法对材料的显微结构进行了表征,ＺｒＯ２－Ｔｉ系均质复合材料由α－Ｔｉ相,四方ＺｒＯ２相和少量的单斜ＺｒＯ２相组成,ＸＲＤ和ＴＥＭ分析表明,组元Ｔｉ、ＺｒＯ２之间没有发生明显的化学反应,上有良好的化学相窝性     

PbO_2-CeO_2电极的制备及其电化学性能

为解决传统铅银合金存在的铅污染和钛基PbO2(DSA)基体易钝化、使用寿命短等问题,以不锈钢为基体,用稀土Ce改性,制备了PbO2-CeO2电极。分析了PbO2的形成机理,通过析氧曲线、Tafel曲线、EDS能谱及扫描电镜考察了温度、电流密度、稀土Ce等对电极性能的影响及所制备电极的元素分布及表面形貌。结果表明:最佳制备工艺为190 g/L Pb(NO3)2,15 g/L Cu(NO3)2,0.5 g/L NaF,30 g/L CeO2,pH值为2～3,机械搅拌,温度70℃,电流密度10～20 mA/cm2,时间30 min;所制备的镀层平整、均匀,电化学性能优良,镀层中CeO2质量分数约为4%～6%;PbO2-CeO2电极析氧电位1 500 mV左右,节能性能明显优于传统惰性阳极。     

微波法合成锑掺杂SnO2电极（英文）

提出了一种新的氧化物电极制备方法:微波热解法.分别采用微波热解法及刷涂热解法来制备电极.通过SEM、XRD、强化寿命、线性扫描等测试手段对两种电极进行了比较.以酸性红G为目标物考察两种电极的电催化性能.与传统刷涂热解法相比,微波热解法所需操作时间较少(2 h),操作步骤及强度也较低.结果表明,新方法制备得到的电极在表面形貌、氧化物晶型、电极稳定性、氧析出电位及电催化性能等方面,相比于传统方法制备的电极,均有一定程度的提升.     

Fabrication and properties of Al2O3/Cu/InSnO3 multilayer cathode electrodes in carbon nanotube field emission display

Multilayer cathode electrodes consisting of Al₂O₃ bufferlayer, Cu conductive layer and InSnO₃ current limiting layer, used in carbon nanotube (CNT) field emission display, were prepared by direct current magnetron sputtering and wet etching. Compared with conventional monolayer cathode electrodes, the multilayer electrodes possess higher current limiting resistance with lower inherent resistance variation. Profilometer measurement indicates the etched edges of the multilayer electrodes were abrupt and regular. Nano Indenter experiment shows that the multilayer electrodes remained intact after annealing treatment and were resistance to scratch damage at loads up to 12.6 mN. X-ray diffraction analysis reveals that no oxidized copper was formed during the annealing treatment. Atomic force microscope images show that the surface of the multilayer electrodes became smoother after plasma bombardment, and the maximum protrusion height decreased from 48.6 nm to 15.4 nm. With the multilayer cathode electrodes, the field emission properties of CNT film cathodes, such as uniformity, lifetime and stability are improved.     

超声对Ti/SnO2+Sb2O3/PbO2电极材料结构及电极性能的影响

用SEM和XRD技术测定和分析了不同超声波作用时间下Ti／SnO2 Sb2O3／PbO2电极材料的表面形貌和结构，应用循环伏安法研究了超声波作用时间对Ti／SnO2 Sb2O3／PbO2电极在1．0mol／LH2SO4溶液中的伏安特性的影响．实验结果表明：超声波作用于电极材料会对电极表面的形貌和结构产生影响；电极经超声处理20min后，其循环伏安峰电流与未经超声波作用时相比增加了近1倍；电极的电化学活性表面积随超声波作用时间的延长呈先增大后减小的趋势，在本实验中超声波作用时间为20min时，伏安电荷最大，即活性表面积最大.     

Comparison of the electrochemical behavior of CeO2–SnO2 and CeO2–TiO2 electrodes produced by the Pechini method

CeO₂–SnO₂ and CeO₂–TiO₂ thin films were prepared by the Pechini method and their characteristics were compared, using a fractional factorial design to quantify the effect of five preparation variables. It was observed that CeO₂–SnO₂ electrodes show a greater electrochemical response than the CeO₂–TiO₂ films. The best intercalation charge densities were 18.11 and 9.91 mC/cm² for CeO₂–SnO₂ and CeO₂–TiO₂, respectively. Both films were optically inactive with transparencies, in most cases, higher than 90%.     

涂覆热分解与电化学聚合法制备聚苯胺/RuO2复合电极材料

通过涂覆热分解法并结合电化学聚合法制备得到聚苯胺(PANI)/RuO₂电极材料。使用涂覆热分解法于260℃热处理3 h制备RuO₂薄膜, 通过电化学聚合法将PANI粒子沉积在RuO₂薄膜上, 并在80℃加热12 h。采用XRD分析PANI/RuO₂复合物晶相, 采用SEM观察PANI/RuO₂复合电极材料的形貌变化。利用循环伏安及恒流充放电测试了该复合电极的电化学性能。结果表明, PANI沉积时间为25 min, 该PANI/RuO₂复合电极的最大电容量为9.72 F, 比电容为452 F·g^-1, 充放电曲线体现了较低的电压降、等效串联电阻及良好的充放电性能。经1000次循环伏安后, 其比电容损失约为11%。     

聚苯胺/TiO2复合纳米膜电极的制备及其光电性能

采用原位化学氧化法,在酸性TiO2溶胶中未加分散剂制备了聚苯胺修饰的TiO2稳定溶胶,并以涂刮法在柔性导电塑料薄膜上成膜。利用FT-IR、XRD、TEM、选区电子衍射、紫外-可见光谱、光电流-电压曲线对所制备的复合溶胶及复合膜进行了表征。结果表明TiO2与聚苯胺之间实现了结构上的复合,聚苯胺的引入改善了TiO2膜对太阳光的利用率,提高了TiO2膜的光电响应性能。这种用复合溶胶制备聚苯胺/TiO2复合膜的方式扩大了成膜基底的范围。     

Photoelectric currents in thin Al2O3 films

The photoconductivity in the 1–6 eV energy range was measured for Al₂O₃ prepared in three different ways with Mg, Al and Au counterelectrodes. C-V curves were taken on Al---Al₂O₃---p-Si and Au---Al₂O₃---p-Si devices. The leakage currents of Na---Al₂O₃---Al sandwiches were measured. From these measurements the barrier at the metal-oxide conduction band was found to be 3.5 ± 0.2 eV for Al. The photoconductivity with a threshold of about 2 eV is shown not to be due to the emitting metal electrodes for all three metals used. This threshold is independent of the work function of the counterelectrode.     

基于SnO2/Fe3O4粒子电极的三维电极体系的电催化性能

通过水热法合成复合金属氧化物SnO_2/Fe_3O_4粒子电极,然后采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、磁滞回线等技术分别对粒子电极的晶体组分、形貌、元素组成和分子结构以及粒子电极的磁性特征进行表征。采用循环伏安法分析了三维电极系统的电化学性能,并进行了电催化氧化降解罗丹明B(RhB)的实验。结果表明,SnO_2/Fe_3O_4粒子电极负载稳定、导电性强、便于回收再利用,有利于电催化氧化降解反应。三维电极降解罗丹明B的析氧电流高于其他电极体系,电催化活性效果明显,90min内罗丹明B的降解率为100%、TOC去除率为83%,反应中产生的·OH是降解有机物的主要活性基。粒子电极在重复利用5次的情况下,对罗丹明B的降解率仍保持93%以上、TOC去除率保持在77%以上,具有稳定的电催化性能。     

Dielectric properties of films prepared by the reactive sputtering of Ta In O2/N2 mixtures

The dielectric properties of amorphous films prepared by reactively sputtering tantalum in oxygen-nitrogen mixtures have been measured. As the nitrogen content in the sputtering discharge was increased, the dielectric constant decreased from 26 to 16 and the films became more suitable for capacitor fabrication (i.e. had lower leakage currents and higher breakdown voltages). Comparison with reported results for anodic films indicates that the nitrogen concentration in the films reached approximately 7 at.% at the lowest dielectric constant. Sputtered tantalum films were found to be suitable for base electrodes, whereas aluminum electrodes significantly increased the capacitor leakage currents.