PCVD制备工业硬膜研究

用等离子化学气相沉积技术制备了ＴｉＮ，ＴｉＣ，Ｔｉ（ＣＮ）和（ＴｉＳｉ）Ｎ膜及其组合的多层膜。ＰＣＶＤ具有很好的覆盖性，ＰＣＶＤ－ＴｉＮ具有很好的耐磨耐蚀性，膜与基体结合良好，因而用ＰＣＶＤ法在高速钢刀具，模具及轴承上沉积ＴｉＮ可大大提高其使用寿命。     

金刚石薄膜-金属接触的SEM和XRD研究

用ＳＥＭ和ＸＲＤ研究了金刚石薄膜与双层金属之间的接触及界面性质，采用微波等离子体ＣＶＤ方法在Ｓｉ（１１１）基片上沉积了掺硼金刚石薄膜，然后蒸发上Ｔｉ／Ａｕ金属层，在氮保护气氛下７００℃热处理５０ｍｉｎ后获得一个线性的电流－电压特性，经ＳＥＭ和ＸＲＤ实验结果表明，Ｔｉ／Ａｕ金属与金刚石薄膜之间优良的接触性能的获得，显然是由于大金刚石膜－Ｔｉ／Ｔｕ界面处产生了ＴｉＣ新相以及ＴｉＣ的浸润性质的缘故。     

Pt／TiO_2厚膜氧敏元件研究

利用溶胶－凝胶法制备Ｐｔ／ＴｉＯ_２厚膜氧敏元件，对元件的性能进行了测试，得出了一些有益的结论。     

用Ti（OC3H7）4制备Ti（CN）涂层研究

文章叙述了采用金属有机物四异丙基钛（Ｔｉ［ＯＣ３Ｈ７］４］为钛温，在外加热ＰＣＶＤ设备上沉积Ｔｉ（ＣＮ）涂层。并对涂层进行了其显微硬度测量，扫描电镜（ＳＥＭ）观察和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）分析。结果表明，此法制备的Ｔｉ（ＣＮ）涂层其显微硬度可达标１５６００Ｎ／ｍｍ２，膜层结构仍为在状晶，Ｔｉ（ＣＮ）晶体的ｄ（２００）随着炉温的升高和Ｈ２．Ｎ２比的增大在逐渐变化。     

TiO2超细微粒的有序组装

将水解法制备的ＴｉＯ２超细闰溶胶液滴于水平旋转的高取向热解石墨（ＨＯＰＧ）基底上，可形成一定面积的有序性排列较好的二维结构，基底ＨＯＰＧ具有原子级粗糙度表面。沿液膜铺展方向取点进行原子力显微镜观察，证实了在扩展液膜边缘的ＴｉＯ２超细微粒有序性最好，而且粒径最小；造近落滴位置处，粒子多聚集成一定的畴结构，粒子的粒径也增大。此外，对比观察了落滴于水平云母基底上形成膜的表面形貌，进行了相应的讨论。     

与Si集成的溶胶—凝胶法制备的TiO2—SiO2复合薄膜的应力分析

采用激光束反射偏转法测量了用溶胶－凝胶法在Ｓｉ（１１）基片上制备的ＴｉＯ２－ＳｉＯ２复合薄膜的曲率半径。由此计算出薄膜的热应力，应力和本征应力。研究了工艺过程与薄膜应力的关系，其应力随热处理温度的增加而由张应力转变为压应力；当热处理温度较低时，随膜厚的增加，其应力增大，而最终导致膜的开裂，薄膜的最大不开裂厚度随热处理温度和ＴｉＯ２含量的增加而增加。     

用Ti（OC2H5）4制备Ti（CN）涂层研究

本文叙述了采用金属有机物钛酸四乙酯（Ｔｉ［ＯＣ２Ｈ５］４取代四氯化钛，运用ＰＣＶＤ外加热法沉积Ｔｉ（ＣＮ）涂层，并对涂层进行了Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、扫描电镜（ＳＥＭ）、Ｘ光电子（ＸＰＳ）分析，其显微硬度可达到１６００ｋｇ／ｍｍ２，膜层结构仍为柱状晶     

自对准Ti－SALICIDE LDD MOS工艺研究

本文着重研究了０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＭＯＳ工艺技术．ＴｉＳｉ２的形成采用两步快速热退火及选择腐蚀完成，Ｔｉ膜厚度的最佳选择使ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺与０．２μｍ浅结相容，源／漏薄层电阻为４Ω／□．上述技术已成功地应用于０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＮＭＯＳ器件及其Ｅ／ＤＭＯＳ３１级环形振荡器的研制，特性良好．     

光学薄膜反应离子镀技术研究

光学薄膜反应离子镀技术是近年来新发展的一种光学薄膜技术。本文介绍了光学薄膜反应离子镀设备的研制，在此设备上成功地制备了ＴｉＯ２，ＺｒＯ２，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３光学薄膜，测出其折射率接近或达到同种块状材料的折射率；并对ＴｉＯ，ＳｉＯ２单层膜的成份及价态作了Ｘ光电子能谱分析。     

新开发的千兆位级DRAM用高介电常数膜成膜装置

为制成千兆位级ＤＲＡＭ ,人们期望可实现单元电容器微细化的高介电常数膜材料。为此 ,开发了ＳｉＯ2 ,膜 /氮化膜、Ｔａ2 Ｏ5膜等。而且 ,也期待开发高介电常数电容器材料———钛酸钡锶氧化膜 (ＢＳＴ :(ＢａＳｒ)ＴｉＯ3)成膜技术。此时 ,ＮＥＣ便开发了低温成膜和台阶覆盖性良好的ＥＣＲ—ＣＶＤ法形成的ＢＳＴ成膜装置。开发的装置特点如下 :( 1)Ｂａ、Ｓｒ、Ｔｉ各种材料为挥发性金属化合物 ,Ｂａ、Ｓｒ采用ｄｅｃａｔｎａｔｅ系络合物材料 ;Ｔｉ采用醇盐系材料。靠着精密原料输送系统的温控可控制原料化合物的蒸气压 ,进而控制原料输…     

偶氮染料掺杂高分子薄膜的光学常数

在单晶硅片上 ,以旋涂 (Spin- Coating)法制备了推 -拉型偶氮染料掺杂高分子 (PMMA)薄膜 ,其中二甲基胺基 [N(CH3 ) 2 ]作为推电子基团 ,羧基 (COOH)作为拉电子基团。利用椭圆偏振光谱和吸收光谱 ,研究了薄膜的复折射率、复介电函数和吸收系数 ,分析了影响薄膜电子光谱的因素。结果表明 ,该薄膜在 40 0～ 60 0 nm波长范围内 ,存在强而宽的吸收 ,并发现染料分子的聚集状态对其吸收光谱有较大的影响     

光学薄膜弱吸收测试装置参数优化

光学薄膜对入射光的弱吸收特性是评价元件质量的重要参数.在高能激光作用下,即使十分微弱的吸收也将足以导致薄膜元件的灾难性破坏.因此,有必要对光学薄膜的平均吸收及局部吸收进行精确、快速、实时的检测.从光热偏转技术发展而来的表面热透镜法由于其对测试装置要求的放宽,并且同样拥有较高的测试精度,是测试元件薄膜弱吸收特性的有效方法...     

纳米硅镶嵌薄膜的光学性质及对1342nm激光的被动调Q

采用射频磁控溅射技术和热退火处理制备了石英衬底的纳米Si镶嵌SiN<,x>(ne-SiN<,x>)薄膜.通过对薄膜的小角度X射线衍射和吸收光谱测试,确定了硅晶粒尺寸和光学带隙.采用Z-扫描技术研究了薄膜的三阶非线性光学特性,结果表明薄膜的非线性吸收属于双光子吸收.把ne-Si/SiN<,x>薄膜作为可饱和吸收体插入LD...     

可见与近红外激光通信系统光学滤光膜的研制

在空间光通信中,光学系统起着非常重要的作用,光学薄膜技术已成为制作光学元件的关键技术。对532、808、1064、1550nm激光工作的4个波段,选择Ti3O5和SiO2作为高低折射率材料,借助于膜系设计软件,采用电子束蒸发和离子辅助沉积的方法设计并制备了激光滤光膜。镀膜后的基片在808nm处的透射率大于90%,532、1064、1550nm处的反射率均大于99%。重点解决了808nm透射区半波孔的问题,通过对基片进行清洁、减少薄膜的吸收和进行真空退火等方法提高了膜层的激光损伤阈值。经过性能测试和评估,满足系统的要求。     

低压MOCVD生长ZnO单晶薄膜的制备与性质

利用 LP-MOCVD生长技术 ,采用 Zn(C2 H5) 2 作 Zn源和 CO2 作氧源 ,在 (0 0 0 2 )蓝宝石衬底上获得了沿 c轴取向高度一致的 Zn O单晶薄膜。通过对其吸收谱的曲线拟合 ,得到室温下 Zn O薄膜的光学带隙为 3 .2 45e V。在样品的室温光荧光谱 (PL)中观察到对应于带边发射的较强的发光峰 ,对样品中蓝带的产生原因进行了讨论     

Ce:YIG薄膜中氧空位对光吸收性能的影响

讨论了Ce替代石榴石薄膜制备条件对其光吸收性能的影响.通过引入氧空位概念,提出了溅射气氛中的氧含量对薄膜中Ce元素价态影响的理论模型.基于该模型,讨论了Ce：YIG晶体中氧空位的产生机理.研究表明,当晶格中存在过量氧空位时,会导致部分Fe^3＋被还原成Fe^2＋,使得薄膜的光吸收显著增大.实验结果证实,在Ce：YIG薄膜的晶化过程中,采用富氧气氛可以使得薄膜中Ce元素的价态以Ce^3＋离子为主而Ce^4＋离子含量较少,从而有效降低薄膜的光吸收.溅射气氛中的氧含量及后续热处理过程中氧含量的大小均会直接影响Ce：YIG薄膜的光吸收特性.     

ZnO纳米棒薄膜光学性能的系统研究

采用简化的种子层制备工艺在ITO基底上制备了ZnO种子层,并使用化学溶液沉积法制备了高度取向的ZnO纳米棒阵列。采用XRD和SEM对ZnO纳米棒的结构和形貌进行表征,并对样品的光学性能进行了测试。测试结果表明,所制备的ZnO纳米棒为c轴择优取向的六角纤锌矿结构,直径为66~122nm可控,且排列紧密,形貌规整。光学性能测试结果表明,吸收光谱在375nm附近表现出强烈的紫外吸收边是由于禁带边吸收引起的;反射光谱具有一定的周期振荡性,可用于薄膜厚度的估算;光致发光谱在378nm附近有很强的紫外发射峰;增大生长液浓度和高温退火可降低缺陷发光,改善结晶质量。     

菁染料旋涂薄膜的短波长光存储性能研究

利用旋涂法 (spin coating)制备了一种新的菁染料薄膜 ,并进一步制备成可录型数字多用光盘 (DVD R) ,测试该菁染料溶液和薄膜的吸收光谱 ,薄膜的透过、反射光谱 ,用椭圆偏振光谱仪测试了薄膜光学常数n和k ,发现薄膜在 6 30～ 6 5 0nm波段内有良好的吸收和反射特性。在 6 32 8nm光盘动、静态测试装置和 6 5 0nm光盘性能测试仪上测试了以该染料薄膜为记录层介质的DVD R光盘 ,结果表明盘片具有良好的光存储性能。     

一种新型芴类衍生物的双光子光致漂白三维光存储

基于光致漂白的双光子吸收三维光信息存储原理,以钛蓝宝石飞秒脉冲激光在一种新型光致漂白材料芴类衍生物BMOSF中进行光致漂白双光子信息写入和读出的实验研究,实现了6层光信息存储,信息点间距和信息层间距分别为8和10μm;采用MATLAB软件对6层信息点进行信号强度识别和信号点强度对比.实验表明,芴类衍生物BMOSF可以用...     

碱土族金属掺杂对C_(60)薄膜的电子结构与性质的影响

将Ｓｎ粉末和Ｃ６０粉末共同蒸发获得碱土族金属掺杂的Ｃ６０薄膜样品,与未掺杂的纯Ｃ６０样品一起进行扫描电镜、紫外可见吸收光谱和电阻随温度变化特性的测量,分析比较掺杂对薄膜样品的组成、结构和性质的影响．结果显示,掺锡后组成薄膜的纳米颗粒略有增大并突出表面,使薄膜的电子发射阈值降低;掺入的Ｓｎ原子在禁带中形成杂质能级,使电子吸收跃迁由原来的直接跃迁变为间接跃迁,导电性也由原来的绝缘体变为Ｎ型半导体．