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EEPROM单元结构的变革及发展方向 总被引:5,自引:2,他引:3
扼要阐述了电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)发展史上的各种结构如FAMOS、MNOS、SIMOS、DIFMOS、FETMOS(FLOTOX)等,比较了它们的优缺点,着重论述了EEPROM结构今后的变革方向。 相似文献
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采用SIMOX材料,研制了一种全耗尽CMOS/SOI模拟开关电路,研究了全耗尽SOI MOS场效应晶体管的阈值电压与背栅偏置的依赖关系,对漏源击穿的Snapback特性进行分析,介绍了薄层CMOS/SIMOX制作工艺,给出了全耗尽CMOS/SOI电路的测试结果。 相似文献
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本文介绍MCBiCMOS门阵列的母片设计技术。由于采用了先进的MCBiCMOS工艺和设计技术,MCBiCMOS更适合地制作高性能,大规模的专用集成电路。在2μmCMOS和3μm双极相结合的设计规则基础上,我们设计了MCBiCMOS2000门门阵列母片,并利用MCBiCMOS宏单元库,成功地完成了CGB2003 相似文献
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对条栅CMOS/SIMOX倒相器在不同偏置条件下进行了^60Coγ射线的总剂量辐照试验,比较研究了PMOS、NMOS对倒相器功能的影响,发现NMOS抗总剂量副照性能比PMOS差,主要是NMOS引起器件功能的失效。 相似文献
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为便于快捷准确地测试和维修MOTOROLA系列GSM手机,市面上先后推出了几种特殊用途的GSM手机卡,外形与普通的SIM卡一模一样。利用这些特殊卡可不用拆机就能对MOTOROLA系列手机省时省力地测试和维修,有了这些卡,许多MOTOROLA GSM手机常见的软件故障几乎“卡”到病除。因此这些特殊卡已经成为维修MOTOROLA GSM手机的必备工具。 常见的单一功能卡有:MOTOROLA串号修复单卡,MOTOROLA测试卡,MOTOROLA维修卡。常见的二合一卡能修复串号和解除8位特殊密码。常见的三… 相似文献
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对条栅CMOS/SIMOX例相器在不同偏置条件下进行了60Coγ射线的总剂量辐照试验,比较研究了PMOS、NMOS对倒相器功能的影响,发现NMOS抗总剂量辐照性能比PMOS差,主要是NMOS引起器件功能的失效。 相似文献
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采用SIMOX和BESOI材料制作了CMOS倒相器电路,在25 ̄200℃的不同温度下测量了PMOS和NMOS的亚阈特性曲线,实验结果显示,薄膜全耗尽IMOX器件的阈值电压和泄漏电流随温度的变化小于厚膜BESOI器件。 相似文献
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您的电脑传真卡(MODEM)是否进网了?@伍新民您的电脑传真卡(MODEM)是否进网了?伍新民为什么要有入网证利用电话网开通计算机通信业务,传输可视数据、可视电话、智能电报、电子邮箱等业务,都需要借助传输设备MODEM。MODEM在功能上属于用户终端设备,... 相似文献
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BiCMOS是双极的速度和驱动能力与CMOS的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因,BiCMOS器件主要以CMOS为主。因此,双极器件通常并入CMOS核心工艺流程。当器件尺寸减小时,双极和CMOS技术显得愈发相似。本文例举了0.8μm和0.5μm的技术论点,BiCMOS电路与CMOS相比,成本稍有增加,但其性能提高一倍。 相似文献
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简要地评述了硅微波功率DMOSFET(LDMOS,VDMOS)的发展概况,叙述了硅微波功率DMOS的基本结构和一些重要的制造技术。对微波功率DMOS的性能,特点与BJT进行了比较,并对其应用,发展方向及前景进行了探讨。 相似文献
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采用混合模式晶体管(BMHMT)构成低温BiCMOS集成电路 总被引:3,自引:0,他引:3
本文介绍采用与CMOS工艺完全相容的双极/MOS混合模式晶体管(BMHMT)构成新型的低温BiCMOS集成电路.理论分析表明该电路与CMOS相比,在电压摆幅相同,静态功耗相近的条件下,具有更大的驱动能力,尤其在较低的工作电压下,其特点更加突出.我们用统一的标准和相同芯片面积设计了39级带负载的BiCMOS和CMOS环形振荡器.实验样品经室温和低温平均门延迟时间测试,表明在相同工作电压下BiCMOS优于CMOS.若两种电路都采用SOI结构,预计BiCMOS可以获得更好的结果 相似文献
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简要地评述了硅微波功率DMOSFET (LDMOS, VDMOS) 的发展概况, 叙述了硅微波功率DMOS的基本结构和一些重要的制造技术。对微波功率DMOS的性能、特点与BJT进行了比较, 并对其应用、发展方向及前景进行了探讨。 相似文献
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较详细分析了HICOM系统AMOCOSSU的服务范围、命令格式、各参数意义,和AMOCOSSU的使用举例,并给出了各命令的错误信息和建议。 相似文献
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在SOI/CMOS电路制作中引入了自对准钴硅化物(SALICIDE)技术,研究了SALICIDE工艺对SOI/MOSFET单管特性和SOI/CMOS电路速度性能的影响。实验表明,SALICIDE技术能有效地减小MOSFET栅、源、漏电极的寄生接触电阻和薄层电阻,改善单管的输出特性,降低SOI/CMOS环振电路门延迟时间,提高SOI/CMOS电路的速度特性。 相似文献
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本文介绍了一种适用于VDMOS功率集成电路的双扩散p阱nMOS器件新结构,该结构具有与VDMOS工艺完全兼容和加工工艺简单的特点。利用这种结构可实现nMOS处理电路与衬底间的pn结隔离,并且隔离电压接近VDMOS管的耐压。通过调节源、漏扩散窗口间距,可以在小范围内调整nMOS管的阈值电压。这种双扩散nMOS器件结构,特别适合于制作单驱动器件的MOS功率集成电路。 相似文献