AWU6601／02／04／05／08：WCDMA/HSPA功率放大器

ANADIGICS推出全新系列的WCDMA／HSPA功率放大器AWU6601／02／04／05／08，该系列功率放大器集成了可菊环连接的射频功率耦合器，可简化3G手机、数据卡、调制解调器以及其它UMTS用户设备的设计。利用业内领先的HELP3技术，ANADIGICS全新的集成功率放大器可为先进的3G网络提供所需的高输出功率和线性度，并具有最低的电池电流消耗。     

一种带功率检测的TD-SCDMA锗硅功率放大器

设计了一个用于TD-SCDMA的锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)功率放大器。该放大器使用3.3 V电源,内部实现了包括级间匹配网络等的全电路片上集成。对于码分多址环境,功率放大器提供28 dBm的功率输出,实现34.8%的功率附加效率(PAE),另外,在28 dBm的输出功率下,邻道功率泄漏比(ACPR)小于-35 dBc。该功率放大器同时包括动态控制偏置电路和完全集成的功率检测器。     

VHF频段小型化千瓦级GaN功率放大器

为了满足VHF频段对高功率放大器小型化的需求，设计并制备了一款基于0.5μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的VHF频段小型化千瓦级功率放大器。通过采用多节微带电容网络和高介电常数的印制电路板(PCB)实现了末级功率放大器匹配电路的小型化；以高通滤波器作为级间匹配电路，在减小电路尺寸的同时，提高了链路增益；采用混合集成工艺，实现了电源调制器、前级驱动功率放大器和末级功率放大器等各单元的小型化高密度集成。测试结果表明，在0.24～0.30 GHz频带内，该功率放大器的工作电压为50 V,工作脉宽为100μs,在占空比10%、输入功率10 dBm的工作条件下，带内输出功率大于1 000 W,功率附加效率约为60%～69%,功率增益大于50 dB,功放体积为46 mm×30 mm×6 mm。     

一种0.18μm全集成锗硅BiCMOS功率放大器设计

本文提出了一种用于多模前端集成电路的全集成功率放大器,该功率放大器采用0.18μm锗硅BiCMOS工艺设计,所有匹配网络及元件全部片上集成。利用负载牵引测试技术,得到了最佳功率放大级器件尺寸,并对版图进行了优化,最终的测试结果显示：该功率放大器在2.4GHz处最大输出功率达到24dBm,在5dBm功率输入时,得到输出1dB功率压缩点,为21dBm,此时功率附加效率为18%。该功率放大器全部片上测试,没有任何邦定线及片上匹配,可用于多模片上系统的功率模组集成。     

飞利浦单封装系统无线电和基带新品

ADI公司推出一种新型的下一代X—PA功率放大器模块ADL5552，用于GSM／GPRS手机。该模块具有集成的控制回路结构和单点校准，为了改善各种条件下的信号完整性，ADL5552在功率控制回路采用了方向耦合技术。ADL5552是集成了RF功率控制和测量的人功率高效率手机用功率放大器。它通过方向耦合器测量并控制发送功率，     

一种功率增益可控的全集成CMOS功率放大器

设计了一种单片全集成、输出功率增益可变的CMOS功率放大器电路。功率放大器电路输出级通过电容分压实现阻抗匹配,输出功率增益通过三位数字控制位实现七级增益控制。该功率放大器基于SMIC 0.18μm CMOS工艺设计。测试结果表明,当功率放大器工作在2.4GHz时,功率增益可以从2.5dB变化到16dB。当增益为16dB时,功率叠加效率约为15%,输出1dB功率为8dBm。整个功率放大器芯片尺寸为1.2mm×1.2mm。     

一种大功率高效率的Ku波段SiGe硅功率放大器设计

采用SiGe BiCMOS工艺设计了一款大功率高效率硅基功率放大器芯片,用于驱动现有大功率GaN功率放大器芯片,满足相控阵雷达的低成本需求。该硅基功率放大器通过和低噪声放大器、驱动放大器、数控移相器、数控衰减器、单刀双掷开关、电源管理以及数字逻辑单元等硅基电路进一步集成,实现了一片式高集成度硅基幅相多功能芯片,从而降低了前端收发组件的尺寸和成本。在硅基功率放大器设计中,结合Stack结构、变压器耦合结构和有源偏置结构,开展电路设计及优化,提高了放大器的输出功率和效率。测试结果表明:研制的硅基功率放大器在Ku波段f_1~f_2(3GHz带宽)频带内,实现了小信号增益31dB;在-3dBm输入功率条件下,实现发射功率21.5dBm、功率附加效率(PAE)25%等技术指标。集成功率放大器的幅相多功能芯片在f_1~f_2(3GHz带宽)频带内,实现了发射通道增益24dB;在5dBm输入功率条件下发射功率21.5dBm、功率附加效率(PAE)23%等技术指标。     

Apex提供混合集成功放和DC/DC转换器

设计师往往用分立功率器件自行设计功率放大器,加上电流、电压过载保护和热保护电路,整个功率放大器的元件数最多,体积大,笨重,可靠性差,而且在电路设计和热设计上需要耗费不少精力。谁不希望使用现成的集成功率放大器,而把精力集中在整机设计上呢?Apex微电子的混合集成功率放     

一种CMOS脉宽调制功率放大器的设计

设计了一种一次集成实现的CMOS脉宽功率调制功率放大器,介绍了其工作原理,给出了各子电路模块的设计方法并指出设计难点,此系统可用来驱动小功率的直流电机.     

LM4752 11瓦立体声音频功率放大器

ＬＭ４７５２１１瓦立体声音频功率放大器电子部三所李洹ＬＭ４７５２是一种专为单电源工作而设计的低价格立体声音频功率放大器。电路外围元件非常少，增益及偏流电阻均集成在电路内部，其输出功率在４Ω负载时，每通道输出连续平均功率为１１Ｗ，８Ω负载时，每通道输出...     

恩智浦推出全集成Doherty放大器

恩智浦半导体（NXP Semiconductors，由飞利浦创建的独立半导体公司）目前推出全球首款TD—SCDMA和WCDMA基站用全集成Doherty功率放大器，从而进一步丰富了其业界领先的射频功率晶体管产品范围。先进的BLD6G21—50和BLD6G22—50全集成功率放大器继承了恩智浦的射频技术创新，不仅使设计更加简易，而且提供无与伦比的效率，在10W平均功率时的效率大于40％。与AB类放大器相比，这将使多载波信号工作条件下的功耗降低35％。     

基于柔性基片集成波导技术的Ka波段功率放大器的设计和制作

设计、制作并测试了一个Ka波段八路合成宽带功率放大器.测试结果表明在26.5GHz上最大输出功率约为4.2W(连续波),在26.4GHz上最大合成效率约为72.5%,在25.1～28.4GHz范围内合成效率大于60%.这种功率放大器的基本组成单元是一对含对称尖劈过渡结构的柔性基片集成波导(FSIW).将一组该单元上的对称尖劈沿波导窄壁分别插入相应的输入和输出矩形金属波导,就可在波导内实现宽带、高效率的功率分配和功率合成.结果表明这项技术可方便地用于宽带毫米波固态功率放大器设计.     

厚膜集成音频功率放大器H－GFJ5～7

厚膜集成音频功率放大器Ｈ－ＧＦＪ５～７杨邦文Ｈ－ＧＦＪ５～７功率放大器采用厚膜电路、半导体器件以及其它有关元件混合集成的ＯＴＬ音频功率放大器。与普通分立元件的同类型功率放大器相比，它具有体积小、结构紧凑合理、电性能好、可靠性高、使用简便等优点。该功率...     

BLD6G21-50122-50：Doherty放大器

NXP推出首款TD-SCDMA和WCDMA基站用全集成Do—herty功率放大器,从而进一步丰富了射频功率晶体管产品范围。先进的BLD6G21—50和BLD6G22—50全集成功率放大器继承了NXP的射频技术创新,不仅使设计更加简易,而且提供更高效率,在10W平均功率时效率大于40％。与AB类放大器相比,这将使多载波信号工作条件下的功耗降低35％。     

2.4GHz全集成CMOS Doherty功率放大器

采用0.18μm CMOS工艺设计并制作了一个2.4 GHz全集成CMOS Doherty功率放大器.着重考虑了片上螺旋电感的回流路径对电感模型的影响,并在设计中使用了一种新颖的螺旋电感版图结构来避免回流路径的影响.实测结果表明该功率放大器增益达到16dB,1dB压缩点为20.5dBm,峰值输出功率和对应功率附加效率分别为21.2dBm和20.4％,整个芯片面积为2.8mm×1.7mm.     

C波段高效率小型化GaN 150W功率放大器载片设计

介绍了一种C波段高效率GaN功率放大器的设计流程。该功率放大器为满足小型化尺寸要求,采用高介电常数的钛酸锆陶瓷实现功分器匹配电路,通过无源集总元件(integrated passive device,IPD)技术,创新性地将栅极匹配电容和二次谐波匹配网络集成在同一芯片尺寸内,采用Lange电桥合成构成平衡结构的小型化功率放大器载片。整个功率放大器在15.0 mm×9.2 mm×2.0 mm的载体内实现。测试结果显示,在工作电压36 V、输入功率40 dBm、脉宽1 ms、占空比30%条件下,4.4 GHz~5.0 GHz频带内饱和输出功率在145~166 W,功率增益在10~10.6 dB,功率附加效率大于56%,最高功率附加效率达到59.3%。     

电路板与模块

RF Micro Devices线性功率放大器模块 RF Micro Devices公司推出其RF5198大功率线性功率放大器(PA)模块,该产品针对WCDMA手机应用而设计.其尺寸为3mm×3mm×0.9mm,据称是世界上最小的、包括一个片上功率检波器的线性PA模块.该模块由于实现了功率检波器的片上集成,可以减小设计的复杂性并优化手机的设计流程.     

基于40 nm CMOS工艺的高效率功率放大器设计

针对硅基毫米波功率放大器存在的饱和输出功率较低、增益不足和效率不高的问题,基于TSMC 40nm CMOS工艺,设计了一款工作在28GHz的高效率和高增益连续F类功率放大器。提出的功率放大器由驱动级和功率级组成。针对功率级设计了一款基于变压器的谐波控制网络来实现功率合成和谐波控制,有效地提高了功率放大器的饱和输出功率和功率附加效率。采用PMOS管电容抵消功率级的栅源电容,进一步提高线性度和增益。电路后仿真结果表明,设计的功率放大器在饱和输出功率为20.5dBm处的峰值功率附加效率54%,1dB压缩点为19dBm,功率增益为27dB,在24GHz~32GHz频率处的功率附加效率大于40%。     

通用IC

ADI公司推出4频段功率放大器模块美国模拟器件公司(ADI)推出的新一代X-PATM功率放大器模块ADL5552X-PA,采用2.9V~4.5V电源供电和8mm×6mm×1.4mmLCC封装,专为4频段GSM/GPRS蜂窝电话应用而设计,内含RF功率控制和测量、高输出功率、高效率移动电话功率放大器模块。通过采用对数检测方法使其可在40dB范围内提供精确指数输出功率控制,且由于该新品在其功率控制环路内采用了定向耦合技术的功率放大器模块,从而能在各种条件下改善信号完整性的定向耦合。此外,该模块还具有一个集成的控制环路结构和单点校准功能,从而简化了应用设计并…     

基于0.8μm BCD工艺的20W×2集成D类音频功放设计

基于0.8μm BCD工艺完成了一种具有高转换效率的20W×2立体声集成音频功率放大器.该放大器可在18V电源电压下以全桥输出的方式向8Ω负载提供超过20W的功率,其转换效率可达85%以上.介绍了功率输出级、过流保护电路以及高性能轨-轨比较器的设计,并基于横向双扩散MOSFET器件结构讨论了功率输出器件寄生效应对输出电压波形失真的影响.最后给出了所设计的D类音频功率放大器的测试结果.