硅基光电器件研究进展

在信息处理和通信技术中,光电子器件起着越来越重要的作用,然而,因为硅是间接湿润地导体,度图把光电子器件集成在硅微电子集成电路上却遇到很大困难,为解决这一困难,人们发展了多种与同电子集成电路兼容的光电子器件制造技术,本文介绍最近几年这方面技术的发展状况。     

光电集成电路的设计自动化技术

光电子技术是继微电子技术之后近十几年来迅速发展的高技术，像微电子集成电路设计一样，不论是器件级模拟还是电器级模拟，光电子集成电路的设计都离不开电子自动化设计（EDA）。目前光电子设计软件的发展跟不上光电子技术的发展，因此光电子器件和光电子集成电路的EDA软件研究已越来越受到重视。     

平板显示与混合信号集成电路设计研究室

正南开大学电光学院平板显示与混合信号集成电路设计研究室成立于2013年8月份,隶属于南开大学,教育部光电信息科学重点实验室,教育部光电子工程中心和光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室。由原来的南开大学光电子薄膜器件与技术研究所硅基微显示课题组和南开大学微电子工程系共同组成,专业方向为硅基微显示器件、微纳电子器件和数模混合集成电路设计。从1998年开始,该研究室     

平板显示与混合信号集成电路设计研究室

正南开大学电光学院平板显示与混合信号集成电路设计研究室成立于2013年8月份,隶属于南开大学,教育部光电信息科学重点实验室,教育部光电子工程中心和光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室。由原来的南开大学光电子薄膜器件与技术研究所硅基微显示课题组和南开大学微电子工程系共同组成,专业方向为硅基微显示器件、微纳电子器件和数模混合集成电路设计。从1998年开始,该研究室在教育部和天津市科委支持下,在孙钟林先生的带领下,率先在国内开展了LCoS微显示技术的研究,     

平板显示与混合信号集成电路设计研究室

<正>南开大学电光学院平板显示与混合信号集成电路设计研究室成立于2013年8月份,隶属于南开大学,教育部光电信息科学重点实验室,教育部光电子工程中心和光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室。由原来的南开大学光电子薄膜器件与技术研究所硅基微显示课题组和南开大学微电子工程系共同组成,专业方向为硅基微显示器件、微纳电子器件和数模混合集成电路设计。从1998年开始,该研究室在教育部和天津市科委支持下,在孙钟林先生的带领下,率先在国内开展了LCoS微显示技术的研究,     

新型微电子器件及IC

评述了GaAs FET器件以后的新型微电子器件和IC的开发与研究现状,它们包括高电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管、硅锗合金基区异质结双极晶体管、真空微电子器件、量子电子器件和光电集成电路.其中,有的已取得可观的实绩,巩固了阵地,有的虽然刚崭露头角,但却显示出雄厚的潜力.它们基本代表了半导体微电子器件未来的发展方向.     

硅基量子点器件

硅基量子点器件由于其独特的性能以及和硅集成电路相容的特点成为研究的重点。量子点中电子和空穴强的量子限制作用使其表现出一些新颖的物理性能,从而在微电子和光电子器件方面有着重要的应用价值。本文介绍了硅基量子点器件的一些应用,包括单电子晶体管、红外探测器、发光二极管。     

平板显示与混合信号集成电路设计研究室

正南开大学电光学院平板显示与混合信号集成电路设计研究室成立于2013年8月份,隶属于南开大学,教育部光电信息科学重点实验室,教育部光电子工程中心和光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室。由原来的南开大学光电子薄膜器件与技术研究所硅基微显示课题组和南开大学微电子工程系共同组成,专业方向为硅基微显示器件、微纳电子器件和数模混合集成电路设计。从1998年开始,该研究室在教育部和天津市科委支持下,在孙钟林先生的带领下,率先在国内开展了LCoS微显示技术的研究,2003年研制成功中国大陆第一枚具有完全自主知识产权的投影用LCoS微显示器模块,天津电视台等     

外延迁移技术制作用于光电子单片集成的Si上GaAs／GaAlAsDHLED

描述了在国内首次采用外延迁移技术研制适合于制作光电子集成电路的硅上硬化镓双异质结发光二极管的工艺过程及实验结果。发光器件是在外延迁移以后流片制作的，克服了光子器件的对准问题，可与电子器件大规模集成。     

SB-601型曝光机

SB-601型曝光机主要用于功率电子器件、传感器、光电子器件、GaAs微波器件、微波电路、MEMS(微电子机械系统)以及其它新型电子元器件的单、双面对准及曝光工艺.     

外延迁移技术制作光电子单片集成Si的GaAs/GaAlAs DH LED

描述了采用外延迁移技术制作光电子集成电路的Si衬底砷化镓双异质结发光二极管的工艺过程及实验结果.发光器件是在外延迁移后流片制作的,克服了光子器件与电子器件的对准问题,可与电子器件大规模集成.     

迎接后硅时代涌动化合物半导体

市场硅是迄今为止产量最大，应用最广的半导体材料。自从TI公司1954年和1958年相继研制成世界第一只硅晶体管和第一块硅集成电路之后，硅更成为电子工业中不可或缺的材料，硅和电子器件不断相互促进，因而被人们称为“新石器时代”。硅的产量和用量也标志着一个国家的电子工业水平。硅作为电子半导体材料应用已历经50多年，无论技术发展还是应用程度都已趋向成熟，现在业界提出世界正迈入“后硅器件时代”，以GaAs 、InP等为代表的III-V族化合物半导体材料时代。到90年代末期，化合物半导体集成电路已从小规模的特殊应用市场，转向了先…     

微电子器件的现状和未来

电子器件的尺寸到底小到什么程度,才算是微电子器件,至今还没有一个明确的定义。但微电子器件的重要性,其发展速度的迅速,以及对人类生产、生活的影响,已被世人所瞩目。微电子器件的发展,从晶体管发明(1947年)算起,已有44年;从锗集成电路问世(1958年)算起,已有33年;从硅双极型单片集成电路问世(1960年)算起,已有31年;从硅 MOS 动态随机存取存贮器(DRAM)的出现(1968年)算起,也已有23年历史了。根据美国市场调查公司——Data Quest 公司今年年初公布的1990年情况来看,全世界微电子器件的总产值约为582亿美元。由于规模生产的特点和剧烈     

纳米集成电路用硅基半导体材料

随着超大规模集成电路设计线宽向纳米尺寸过渡，对半导体硅材料的性能和参数提出了更加严格的要求。本文阐述了绝缘体上硅(SOI)和锗硅(SiGe)等主要硅基半导体材料的研究进展，讨论了这些材料应用于纳米集成电路和微电子、光电子器件的经济技术前景。     

文摘

SOI——突破硅材料与硅集成电路限制的新技术与体硅材料和器件相比,SOI具有许多独特的优越性,例如高开关速度、高密度、抗辐照、无闩锁效应等,因而被称为21世纪的微电子技术而引起人们越来越多的关注.SOI技术正走向商业应用阶段,特别是应用于低压、低功耗CMOS电路,抗辐照器件和高温电子器件等.结合第9届SOI工艺和器件国际会议的内容,综述了SOI材料和器件的最新进展.(NO.8)国内X射线光刻技术研究进展     

2005上海国际光电器件及显示产品博览会定于明年四月举办

随着信息产业的飞速发展，全球光电子产业市场的增长率一直保持着两位数的势头，广阔的市场前景正在引发一场超过电子和微电子技术的光电子技术产业革命。尤其是涉及到多种创新领域的激光器件及其应用设备、显示器件与显示屏、红外探测器和各种成像设备、光电子器件、     

MEMS封装和微组装技术面临的挑战

１引言经过近１０年的发展，MEMS（微电机械系统）已从最初的实验探索阶段发展到具有广泛应用的可行技术。在商品消费市场上，MEMS封装和MEMS器件制造业已取得了重大的发展。在MEMS制造中，人们使用了硅基集成电路技术将具有机械特征的尺寸减至微电子尺寸。在同样一块芯片上将机械性能和电子电路结合起来提供了一系列制造新产品的方法，而这些是传统的制造和设计方法不能实现的。最初的MEMS是指以硅为基底的装置，但现在它不只限定于硅材料。MEMS器件已经超出了电子和机械的功能限制。今天，这些器件已具有机械、光学、液体、热功…     

信息光电子“微电子化”技术进展和发展探讨

微电子技术使电子器件从分立走向集成，带来成本、可靠性、功耗和体积等方面长达几十年的指数级改善，是电子信息技术能够得到广泛应用的关键。当前，电子信息技术正遭遇带宽和能耗等瓶颈制约，摩尔定律步履维艰。光子作为另一种主要的信息载子，具有高带宽、高速率、低功耗和高并行等特性，信息技术的继续进步必须更为倚重光子。但是，光子器件的成本、可靠性和规模生产性等方面严重落后于电子器件。因此，基于电子器件发展的历史经验，我们提出光电子“微电子化”,强调光电子以“集成”为发展轨道，以“光电融合”为发展方向。以集成为发展轨道，是强调光电子需借鉴微电子的经验，以适应现代信息系统对器件的要求。光电子的集成化发展有3个主要特征：一是芯片平台硅基化，二是集成规模稳步提升，三是生产模式向fabless演进。以光电融合为发展方向，是强调光电子需与微电子相互结合，通过两者的器件一体化、功能融合化来共同解决信息技术目前面临的带宽、速率和功耗等挑战，以适应数字孪生和元宇宙等应用的要求。光电融合主要有芯片和系统两个层面，涉及到单片光电集成、光电共封装(CPO)、混合光电集成、设备解汇聚和光电混合计算等。光电子“微电子化”不仅是一...     

微电子技术新领域

微电子技术新领域陈克金,邵凯（南京电子器件研究所,南京,２１００１６）（一）微电子机械系统１引言微电子机械系统（ＭＥＭＳ）的技术目标是把微机械和集成电路融为一体,将电子系统与外部世界联系起来。它不仅可以感受运动、光、声、热、磁等自然界的外部信号,将这...     

征稿通知

《电子器件》创刊于1978年,是由教育部主管、东南大学主办的学术性刊物。对国内外公开发行,并被英国科学文摘(SA)收录。本刊主要刊登真空电子学、微波电子学、光电子学、薄膜电子学、电子显示技术、激光与红外技术、半导体物理与器件、集成电路与微电子技术、光纤技术、真空物理与技术、表面分析技术、传感技术、电子材料与元器件、电光源与照明技术、电