细晶Al2O3—TiN复合物的高温蠕变

研究了Ａｌ２Ｏ３－ＴｉＮ复合物在１２５０－１４００℃、１０－５０ＭＰａ应力范围的压缩蠕变特性。结果表明Ａｌ２Ｏ３中加入ＴｉＮ料尖变速率在有所提高,其最大值在ＴｉＮ的体积分数２０－３０％附近,进一步提高ＴｉＮ体积分数应变速率有所下降。 应力指数约为２．１,温度变化对其影响不大,表观活化能为５００－６００ｋＪ·ｍｏｌ＾－１。应变速率的提高可能Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＮ的界面化学组成有关。     

具有给定周期的不可约布尔矩阵的传递指数集

本文考虑具有周期为ｐ的ｎ阶不可约布尔矩阵的传递指数集Ｔｎ，ｐ（１）给出Ｔｎ、ｐ的一个空隙，（２）证明了若ｎ＝ｐｒ＋ｓ，０≤ｓ≤ｐ－１，则当ｒ＞１时，当ｒ≥３５时，其中当ｓ＝０时ω＝０，否则ω＝１。（３）给出对称非本原布尔矩阵的传递指数集ＳＴｎ，２＝｛ｍ｜２≤ｍ≤ｎ－１且ｍ为偶数｝。     

Al2O3—TiN复合物高温蠕变的显微结构及蠕变机理

研究了Ａｌ２Ｏ３－ＴｉＮ复合物在１２５０￣１４００℃,１０￣５０ＭＰａ应力范围压缩蠕变后的显微结构变化。结果表明Ａｌ２Ｏ３－ＴｉＮ复合物具有相当的结构稳定性,蠕变后的晶粒尺寸及晶粒形状与变形前几乎相同。     

半线性椭圆方程径向正解

讨论了半线性椭圆方程－Δｕ＋ａ（ｒ）ｕ＝ｂ（ｒ）ｕ＾ｐ＋ｇ（ｒ，ｕ）在Ｒ＾ｎ中的径向正解存在性，其中ｐ＝（ｎ＋２）／（ｎ－１），ｎ≥３。     

氧化锆增韧陶瓷的室温动态疲劳

用动态疲劳试验法研究了３Ｙ－ＴＺＰ和３Ｙ－ＴＺＰ／Ａｌ２Ｏ３（２０Ｗｔ％）陶瓷在空气中的室温动态疲劳，并讨论了疲劳慢裂纹扩展特性。另外利用动态疲劳数据对两种陶瓷的平均寿命进行了预测，两种陶瓷材料在室温下均存在慢裂纹扩展，主要是由空气中水蒸汽的应力腐蚀所造成的，且裂纹是沿晶界玻璃相扩展的，相变诱发的表面压应力和裂纹尖端的正应主为可提高疲劳抗力。在８００ＭＰａ应力作用下３Ｙ－ＴＺＰ和３Ｙ－ＴＺＰ／Ａｌ     

曲面的GC^k拼接条件

在一定的基本假设下，若Ｓ（ｈ１）∥Ｓ（ｈ２）∥Ｓ（ｈ３）得到了存在一个ｐ次多项式ｆ，使曲面Ｓ（ｆ）分别与Ｓ（ｇ）在Ｓ（ｇｉ，ｈｉ）（ｉ＝１，２，３）处ＧＣ＾ｋ光滑拼接的充要条件为存在ｐ－ｍ次多项式ω１，ｐ－ｎ多次式ω２，ｐ－ｌ次多项式ω３，以及多项式ａｉ（ｉ＝１，２，３）使得｛ω１ｇ１－ω２ｇ２＝ａ２ｈ＾ｋ＋１２－ａ１ｈ＾ｋ＋１１∈〈ｈ＾ｋ＋１１，ｈ＾ｋ＋１２〉 ω２ｇ２－ω３ｇ３＝ａ３ｈ＾ｋ＋１     

陶瓷材料高温蠕变行为研究

含有晶界玻璃相的陶瓷防热材料的高温蠕变行为主要包括晶界孔洞的成核及扩展,晶粒的滑移是控制晶界孔洞扩展的主要因素,决定了孔洞的扩展速率及扩展到完整晶界所需要的时间.建立了一个基于晶界滑移条件下单个及多个晶界孔洞扩展的模型,通过计算,给出了单个孔洞扩展的临界应力及扩展到完整晶界尺寸需要的时间,分析了在一个晶界上分别含有三晶孔洞和双晶孔洞时孔洞扩展的模式,讨论了两个孔洞在扩展过程中的相互影响,比较了前后两个孔洞在晶粒滑移条件下的扩展速率,并通过算例获得了前后两个孔洞连通与扩展同时完成的临界位置.定性及半定量的给出了晶粒滑移对蠕变陶瓷晶界孔洞扩展的影响,为计算晶界孔洞扩展到一个完整晶粒尺寸所需要时间奠定了理论基础.     

15vol%SiCp/LY12 复合材料在强电场中超塑性变形时的最佳条件

研究了由喷射共沉积法制备的１５ｖｏｌ％ＳｉＣｐ／ＬＹ１２复合材料在强电场中进行超塑性变形时的最佳温度—速度—场强条件。结果表明,在最佳的工艺参数（７７３Ｋ－３．３×１０－４ｓ－１－２ｋＶ／ｃｍ）条件下,１５ｖｏｌ％ＳｉＣｐ／ＬＹ１２复合材料超塑性变形时的最大延伸率为４２０％。方差分析结果证实了场强（Ｅ）是在强电场中超塑性变形时的一个重要工艺参数。     

铝锂合金超塑性变形模型

透射电镜（ＴＥＭ）观察表明８０９０和ＣＰ２７６铝锂合金在超塑性变形最佳条件下，除位错滑移、攀移和扩散蠕变外，还发生贯穿变形始终的动态回复和动态再结晶。研究指出，８０９０和ＣＰ２７６铝锂合金的超塑性变形是位错滑移、在晶界上的位错攀移、三角晶界处阻碍晶粒的动态再结晶及扩散蠕变共同协调晶界滑动的过程。其中，在晶界上的位错攀移及三角晶界处阻碍晶粒的动态再结晶是两个交替作用的速控过程。本文提出了有动态回复…     

曲面的GC~k拼接条件

在一定的基本假设下，若Ｓ（ｈ１）≠Ｓ（ｈ２）≠Ｓ（ｈ３），得到了存在一个ｐ次多项式ｆ，使曲面Ｓ（ｆ）分别与Ｓ（ｇｉ）在Ｓ（ｇｉ，ｈｉ）（ｉ＝１，２，３）处ＧＣｋ光滑拼接的充要条件为存在ｐ－ｍ次多项式ｗ１，ｐ－ｎ次多项式ｗ２，ｐ－ｌ次多项式ｗ３，以及多项式ａｉ（ｉ＝１，２，３）使得ｗ１ｇ１－ｗ２ｇ２＝ａ２ｈｋ＋１２－ａ１ｈｋ＋１１∈〈ｈｋ＋１１，ｈｋ＋１２〉ｗ２ｇ２－ｗ３ｇ３＝ａ３ｈｋ＋１３－ａ２ｈｋ＋１２∈〈ｈｋ＋１２，ｈｋ＋１３〉｛从而将ＧＣｋ拼接问题的复杂运算化简成了一个简单的线性方程组。     

氮化硅陶瓷高温蠕变试验研究

本文研究了以6wt%Y_2O_3和2wt%Al_2O_3为烧结添加剂的氮化硅材料在1300—1400℃温度范围内的蠕变特性。研究表明该材料系统的蠕变指数n等于2,激活能Q等于700kJ mol~(-1) 。实验结果分析和计算都显示蠕变速率控制机理为氮沿晶界玻璃相扩散的扩散型控制机理。     

—μr＋α（x）u=b（x）u^（n＋2）／（n—2）＋g（x,u）的正解

讨论了方程－Δｕ＋α（ｘ）ｕ＝ｂ（ｘ）ｕ＾ｐ＋ｇ（ｘ，ｕ）（Ｐ＝（ｎ＋２）／（ｎ－２），ｎ≥３，Ｂ（Ｘ）≥１，Ｘ∈Ω）在Ｒ＾ｎ中有界区域Ω上的正解存在性。     

超塑性变形TiAl基合金中的孔洞

研究了超塑性Ｔｉ－３３Ａｌ－３Ｃｒ－０．５Ｍｏ（质量分数，％）合金中孔洞的形成和发展过程及其与合金的断裂之间的关系，研究结果表明 ，ＴｉＡｌ基合金在超塑性变形过程中产生的孔洞有３种类型，它们分别形成于三叉晶界外、晶界上和晶粒内。三叉晶界上的孔洞一般呈Ｖ型，而晶界和晶内的孔洞则呈圆形或椭圆，分析认为，孔洞的长大、扩展和聚集是造成ＴｉＡｌ基合金超塑性拉伸断裂的主要原因。     

高阶常系数非齐次线性微分方程特解的简捷求法

本文给出了微分方程ｙ￣（ｎ）＋ｐ＿１ｙ￣（ｎ－１）＋ｐ＿２ｙ￣（ｎ－２）＋…＋ｐ＿ｎｙ＝ｐ＿ｍ（ｘ）ｅ￣（λｘ）（其中ｐ＿１，ｐ＿２，…ｐ＿ｎ及λ为实常数，ｐ＿ｍ（ｘ）为ｍ次多项式），求特解的一种简捷方法。     

钛掺杂的α—Fe2O3—K2O系钠米湿敏陶瓷的复阻抗谱

采用硬脂酸凝胶法这种化学新工艺制备了α－Ｆｅ２Ｏ３－ＴｉＯ２－Ｋ２Ｏ复合氧化物纳米湿敏陶瓷元件,研究了该元件在不同湿度下的复阻抗谱,并建立相应的模拟等效电路;材料晶粒电阻,晶界电阻等特征参数计算结果表明,晶粒电阻基本不随湿度变化,晶界电阻随湿度升高而降低,从而界电阻角度探讨了本系材料的湿敏导电机制备了 低湿阶段导电载流子为电子和自由Ｈ＾＋,自由Ｈ＾＋Ｃ ＲＮＣＡＳＴＤ ＱＶＦＰＦＰ ＩＹＡ ＤＹＮ     

完全偶图的P2p—分解

利用图论中关于偶图的一个结论“Ｋ５,５是１－可因子分解的”构造出当Ｋｍ,ｍ有一个Ｐ２ｐ－－分解时,Ｋｍ,ｍ,也有一个Ｐ２ｐ,－－分解（当ｓ是正整数）,进一步我们还证明了Ｋｍ,ｎ有一个Ｐ２ｐ－－分解,当且仅当１〉ｍ＝ｎ,Ⅱ〉ｍ＝０（ｍｏｄｐ（２ｐ－１）。     

C─Mn钢热变形流变曲线的计算机模拟

本文建立了一种新的Ｃ－Ｍｎ钢奥氏体动态回复、动态再结晶热变形流变曲线模型，考察了动态再结晶特征应力、应变，例如σ＿ｓ、σ＿ｐ及ε＿ｃ同热变形工艺参数间的关系模型。依据Ｅｎｇｌｅ－Ｂｒｅｗｅｒ理论，提出了预测Ｚ参数激活能的表象公式，创立了一种运用最优化技术求解流变应力模型中应力指数、形变激活能等待定参数的新方法。     

关于C4n,2m,2n的K——优美性

把由ｍ 个ｎ 回路Ｃｎ 恰有ｐ 条相邻的公共边构成的图记为Ｃｎ ,ｍ ,ｐ ,证明了图Ｃ４ｎ ,２ ｍ ,２ｎ 是Ｋ—优美图,从而推广了文献［１ ,２ ,３］ 中的结果。     

Ta^5＋掺杂的SrTiO3系复合功能陶瓷的半导化和晶界层的研究

采用一次烧在法制备了Ｔａ＾５＋掺杂的ＳｒＴｉＯ３系复合功能陶瓷，测试了样品的介电性能，分析了晶粒的半导化机理，并讨论了晶界层对样品复合功能效应的影响。     

颗粒增强ZA27基复合材料的高温蠕变特性

采用高温持久硬度试验及压入蠕变特性分析进行了颗粒增强ＺＡ２７基复合材料抵抗高温蠕变能力的研究。研究发现ＳｉＣ,Ａｌ２Ｏ３颗粒的加入大大提高了ＺＡ２７合金的抗高温蠕变的能力。其强化机理主要是由于材料承受的载荷有效地转移到增强相颗粒上;复合材料基体中有高的位密度;复合材料中的内应力提高了位错滑移的门榄应力。