OLED彩屏显示驱动芯片控制电路的设计

有机发光二极管显示器(OLED)是一种新型的平板器件,介绍了一种用于220×176彩色PM-OLED的显示驱动芯片.该芯片可以选择262 k色和65 k色的显示模式.芯片为18 V高压CMOS数模混合集成电路,采用了MCU接口模式和RGB接口模式两种工作模式,内置的γ调制模块能够弥补屏幕与电流的非线性关系.该芯片是一种电流驱动型电路,列驱动采用了PAM和PWM结合的调制方式实现灰度调制.全芯片已经完成电路的设计和版图的实现,并进行了后端仿真,仿真结果验证了设计的正确性.     

两种新型无源OLED显示列驱动电路的研究与设计

针对两种采用不同灰度调制方式和预充方法的新型无源OLED显示列驱动电路进行研究和设计。阐述了脉冲宽度调制和脉冲幅度调制两种灰度显示方式的一致性,提出相对应两种灰度调制方式的列驱动电路,从电路设计到版图实现上比较了这两种电路。阐述了电压和电流两种预充方式,设计出两种新型预充方法,并且应用到OLED显示驱动芯片中。Hspice仿真和版图实现后表明,两种列驱动电路中前者的版图面积约是后者的1/2,采用省电模式预充方法的后者的功耗约是前者的1/3。     

实现64级灰度显示的无源OLED驱动芯片的设计

设计出了一种实现64级灰度显示的单片混合信号驱动芯片,它采用脉冲宽度调制方法和两级电压预充方式,适用于驱动132×64像素的无源OLED显示屏.芯片内部主要包括数字控制器,显示数据存取器,DC-DC电压转换器,参考电流产生器,电压预充电路产生器,64个行驱动电路和132个列驱动电路.它已经用Chartered0.35μm 18V高压CMOS工艺制作完成,芯片面积约为10mm×2mm.测试结果表明芯片性能良好,在电源低压为3V,高压为12V,显示电流为100mA并处于最高级灰度显示的条件下,芯片与面板的总功耗为294mW.     

A 64-Step Gray Scale Driver Chip for a 132×64-Pixel Passive Matrix OLED

设计出了一种实现64级灰度显示的单片混合信号驱动芯片，它采用脉冲宽度调制方法和两级电压预充方式，适用于驱动132×64像素的无源OLED显示屏. 芯片内部主要包括数字控制器，显示数据存取器，DC-DC电压转换器，参考电流产生器，电压预充电路产生器，64个行驱动电路和132个列驱动电路. 它已经用Chartered 0.35μm 18V高压CMOS工艺制作完成，芯片面积约为10mm×2mm. 测试结果表明芯片性能良好，在电源低压为3V，高压为12V，显示电流为100mA并处于最高级灰度显示的条件下，芯片与面板的总功耗为294mW.     

实现64级灰度显示的无源OLED驱动芯片的设计

设计出了一种实现64级灰度显示的单片混合信号驱动芯片,它采用脉冲宽度调制方法和两级电压预充方式,适用于驱动132×64像素的无源OLED显示屏.芯片内部主要包括数字控制器,显示数据存取器,DC-DC电压转换器,参考电流产生器,电压预充电路产生器,64个行驱动电路和132个列驱动电路.它已经用Chartered0.35μm 18V高压CMOS工艺制作完成,芯片面积约为10mm×2mm.测试结果表明芯片性能良好,在电源低压为3V,高压为12V,显示电流为100mA并处于最高级灰度显示的条件下,芯片与面板的总功耗为294mW.     

相变存储器驱动电路的设计与实现

介绍了一种新型的相变存储器驱动电路的基本原理,设计了一种依靠电流驱动的驱动电路,整体电路由带隙基准电压源电路、偏置电流产生电路、电流镜电路及控制电路组成.该结构用于16Kb以及1 Mb容量的相变存储器芯片的设计,并采用中芯国际集成电路制造(上海)有限公司的0.18μm标准CMOS工艺实现.该驱动电路通过Hspice仿真,表明带隙基准电压、偏置电流均具有较高的精度,取得了良好的仿真结果,在16 Kb相变存储器芯片测试中,进一步验证了以上仿真结果.     

高压、高效率白光LED驱动电路的研究与设计

设计了一种高效率的高输入电压,恒定电流输出的白光LED驱动芯片.采用高压工艺,以脉宽调制(PWM)峰值电流的控制方式,实现了宽范围电压输入、恒定电流输出的LED驱动芯片的设计.内部集成了带隙电压基准源,产生0.25V的参考电压.芯片设计采用了高压横向扩散金属氧化物半导体场效应管(LDDMOS),设计了电压预调整电路,实现了输入电压范围在85V-400V间变化,输出电流在1毫安到1安培间设定.芯片仿真结果显示电能转换效率最高可达90%以上.     

一种集成反馈环路的自举升压驱动电路设计

针对DC/DC降压型变换器中N型功率管驱动能力不足的问题,提出了一种集成反馈环路的自举升压驱动电路。采用负反馈调节,实现了驱动电压的精准控制,同时通过片内集成的高压PMOS管代替传统架构的二极管,保证了足够的电流驱动能力。此外,对环路传输函数进行分析,负反馈环路的稳定性得以验证。采用该电路的一款电流模DC/DC降压型变换器已在0.35 μm BCD工艺线投片验证。测试结果显示,在全负载范围内,芯片工作稳定,自举驱动电路功能正常,自举驱动电压约为5 V。     

用于LED驱动芯片的高低边电流检测电路

本文介绍了一种适用于大功率LED驱动芯片的高低边电流检测电路.该检测电路可以根据实际应用系统不同实现高低边检测电路的自动切换,不需要额外设置,并且采用该电流检测电路的LED驱动芯片能支持升压、降压以及升-降压等多种拓扑结构的应用,为LED驱动芯片提供更广阔的应用市场.芯片采用CSMC 0.6μm 60VBCD工艺实现,测试结果显示当基准电压VREF为1.217V时,LED电流为371.3mA,采样比例与设计的基本一致,从而验证了该高低边电流检测电路的可行性.     

平板显示器驱动芯片高低电压转换电路

LCD、PDP、VFD等各类平板显示器已越来越受到人们关注与喜爱,但大多数平板显示器需要专用的功率驱动芯片来驱动其发光显示,各类专用功率驱动芯片又离不开高低电压转换电路,高低电压转换电路性能的好坏直接影响到驱动芯片的稳定性和功耗等。通过比较平板显示器驱动芯片的几种典型高低压转换电路,设计出一种带有电流源的CMOS型高低压转换电路,它具有最佳的性能指标,该电路不但可以为平板显示器驱动芯片使用,还可以作为其他各类驱动芯片的高低压转换模块使用,最后给出一种具体的平板显示驱动芯片高压CMOS器件结构。     

带启动迟滞的大电流驱动高压基准电路

设计了一种具有大电流驱动能力的新型带启动迟滞的高压基准电路。该电路不仅极大地提高了传统基准电路的精度和稳定性,而且具有较大的电流驱动能力,可应用于双模式有源功率因数校正电路。采用UMC 0.6μm BCD工艺模型进行仿真,仿真结果显示,该电路所产生的基准电压精度为23 ppm/℃,且受电源电压和温度变化的影响很小。     

一种STN LCD驱动芯片的设计研究

介绍了一种超扭曲向列（STN）LCD驱动芯片的总体设计方案,重点讨论分析了其关键模块--接口电路、控制电路和驱动电路以及电源电路的设计,并用Verilog硬件描述语言对所设计的驱动芯片的功能进行了仿真验证。     

42"PDP平板显示器扫描驱动IC及其生产工艺的实现

在自主研发国内BCD高压工艺的同时,设计并实现了一款用于42"数字电视PDP平板显示屏的扫描驱动芯片.该芯片及其制作工艺不仅实现了Bipolar,CMOS和高压功率DMOS器件的良好兼容(BCD工艺),而且采用工艺与电路设计互相匹配的交互方式完成了高低电平位移电路和高压输出驱动电路及其器件的设计,有效提高了芯片的性能,减小了芯片的面积.测试结果表明该芯片功能正常,性能良好,各项技术参数基本达到国外同类产品指标.在低压5V和高压160V的情况下工作,完全满足42"PDP显示系统的需求.     

42"PDP平板显示器扫描驱动IC及其生产工艺的实现

在自主研发国内BCD高压工艺的同时,设计并实现了一款用于42"数字电视PDP平板显示屏的扫描驱动芯片.该芯片及其制作工艺不仅实现了Bipolar,CMOS和高压功率DMOS器件的良好兼容(BCD工艺),而且采用工艺与电路设计互相匹配的交互方式完成了高低电平位移电路和高压输出驱动电路及其器件的设计,有效提高了芯片的性能,减小了芯片的面积.测试结果表明该芯片功能正常,性能良好,各项技术参数基本达到国外同类产品指标.在低压5V和高压160V的情况下工作,完全满足42"PDP显示系统的需求.     

42"PDP平板显示器扫描驱动IC及其生产工艺的实现

在自主研发国内BCD高压工艺的同时,设计并实现了一款用于42″数字电视PDP平板显示屏的扫描驱动芯片.该芯片及其制作工艺不仅实现了Bipolar,CMOS和高压功率DMOS器件的良好兼容（BCD工艺）,而且采用工艺与电路设计互相匹配的交互方式完成了高低电平位移电路和高压输出驱动电路及其器件的设计,有效提高了芯片的性能,减小了芯片的面积.测试结果表明该芯片功能正常,性能良好,各项技术参数基本达到国外同类产品指标.在低压5V和高压160V的情况下工作,完全满足42″PDP显示系统的需求.     

PDP驱动芯片用能量恢复电路的设计

主要提出了一种基于PDP驱动芯片的能量恢复电路,该电路利用将各个输出端通过控制高压开关管连接在一起进行电荷共享的原理,经过Hspice仿真验证具有完整的功能,并在CSMC0.5μm CMOS工艺下得到实现.仿真结果表明这种能量恢复电路不仅可以显著降低驱动芯片的能量损耗,并且具有结构简单的特点,目前被应用于一款等离子电视的列驱动芯片中,降低芯片功耗,提高芯片工作的稳定性.     

基于雪崩晶体管的多电流1550nm激光驱动电路

设计了一种基于雪崩晶体管和可编程逻辑器件的多电流155nm半导体激光驱动电路.该驱动电路包括多种大电窄脉冲生成电路、恒流与保护电路和温控电路三部分.利用51单片机、可编程逻辑器件和雪崩晶体管实现数字式的多种大电流窄脉冲生成电路,易于控制与扩展.恒流与保护电路则借助51单片机的分段程序和高分辨率的数/辛莫转换器实现,精度高.而温控电路采取一种类PWM的控制方式.所设计的驱动电路精度高,实时性好,达到了设计要求.     

16位稳态电流LED驱动器的ASIC设计

提出了一种大电流16位稳态电流LED驱动器的ASIC设计方案,并描述了芯片的主要功能原理。对各个模块的主要电路进行了分析和设计,数字部分电路依靠成熟的FPGA平台验证,最大程度提高了电路可靠性;模拟部分电路通过分析和计算,确定不同参数,最后对整个方案进行了仿真。这种16位稳态电流LED驱动芯片可以完成对点阵LED显示屏的驱动,芯片外围电路简单、成本低、可靠性高。该芯片也适用于点阵LED屏等LED设备的驱动,应用十分广泛。芯片方案的各个部分都给出了详细的仿真结果,整个方案最后通过了T-Spice后仿真。     

一种1024级灰度大电容负载的LCD驱动芯片设计

设计了一种基于动态扫描原理的液晶显示(LCD)驱动芯片。该芯片为高压CMOS数模混合集成电路并支持输出频率可选功能。芯片输入数据频率为13.5MHz,输出1 024级256列模拟电压信号直接驱动LCD,输出电压幅度可达12V以上。负载为200pF时,最大摆幅上升/下降时间小于5μs。芯片采用新加坡特许半导体(Chartered)0.35μm、18V高压工艺设计,并进行了仔细的版图设计以减小匹配误差,仿真结果显示电路性能完全满足设计指标要求。     

降压变换器片内集成软启动电路设计

针对电流模降压变换器的集成化趋势,提出了一种可片内集成的软启动电路. 该结构利用芯片振荡器产生的窄脉冲信号,控制微电流对片内电容间歇充电得到斜坡电压,并巧妙地利用复合比较器以较小的功耗实现了对峰值电流的限制,避免了浪涌电流,完成了软启动功能. 提出的软启动电路结构简单、易于实现,减少了芯片引脚数目,降低了PCB面积,并在一款基于0.5μm CMOS工艺设计的降压型DC-DC中进行了投片验证. 测试结果表明,3.6V输入1.8V输出600mA负载电流在使能140μs后芯片成功实现了软启动.