金刚刀划片过程中的崩缺问题应对方案

本文针对金刚刀划片崩缺问题,对比双刀划片和单刀划片试验,分析了崩缺产生的原因,提出了窄划片槽晶圆金刚刀划片崩缺问题的应对方案。金刚刀划片采用双刀划片降低崩缺风险优于单刀划片工艺,双刀划片刀宽度越窄有利于降低崩缺,第一刀切深1/3厚度有利于降低崩缺风险。     

CCD图像传感器划片工艺优化

针对某型CCD图像传感器划片过程中产生的静电损伤、崩边等缺陷造成器件失效,通过优化划片工艺条件,避免了静电损伤,减少了崩边缺陷,封装的成品率由48％提高至96％.     

基于DOE优化光学玻璃晶片边缘磨削工艺

在光电器件的制造过程中,用光学玻璃晶片作为电路制作的基板材料。玻璃晶片通过在大面积的玻璃面板上划圆获得。划圆后会形成非常锐利的边缘,需要将锐利边缘磨削成圆弧形,以减少在后续加工中产生破损、崩边。在光学玻璃晶片的边缘磨削中,合适的玻璃晶片边缘磨削参数对于晶片边缘磨削后的崩边情况、磨削斜面宽度、中心误差等均有很大影响。利用DOE试验方法,光学玻璃晶片边缘磨削过程中有效减小崩边,并给出了影响因素,获得并验证了最优化的磨削工艺参数,减少了晶片磨削后的崩边破损。     

混成式InSb焦平面器件的湿法倒角技术研究

针对焦平面器件在抛光过程中出现的崩边和深划伤问题,通过分析采用了湿法倒角工艺,并进行了倒角可行性试验、倒角对电极的影响和对电路连通性的影响等实验.结果表明,用湿法倒角技术不仅使InSb边缘没有尖锐的角,并且对器件的电性能没有影响,抛光后可得到高光洁的表面,最终得到性能良好的焦平面器件.     

LTCC基板砂轮划片工艺研究

通过正交试验确认了导致LTCC(低温共烧陶瓷)基板砂轮划片背面崩边的主要因素,基于对各个主要因素的分析,优化了砂轮划片方案,有效地解决了背面崩边问题,获得了高质量的划片效果。     

超薄硅片倒角工艺研究

在硅片加工的前期工程中,由于切割成型的硅片存在着边缘崩口、裂纹、应力集中等物理特性差的现象,需用倒角机来对硅片进行边缘磨削加工,以改善硅片的物理性能,随着硅片厚度的减小,硅片边缘越来越容易出现崩边,碎片率也逐渐提升,砂轮寿命也在逐渐降低,硅片的倒角技术逐渐变为一个难题。本文通过对砂轮转速、吸盘转速的改变来开展工艺试验,当加工超薄硅片时适当减小砂轮转速,可明显提高硅片边缘倒角质量;吸盘转速一般稳定在15 mm/s左右时,加工速率相对比较高,边缘质量也会得到最大程度的保证。     

提高锗圆片材料利用率

一、概况在小圆片的生产过程中,原料费要占全部费用的95％左右。因而,在生产中设法提高成品率降低原料费,是保证产品质量提高经济效益最重要的途径。这个问题是锗材料厂和有关晶体管厂十分注意和关心的问题。小圆片在切割过程中,产品圆周边缘出现局部破裂脱落现象称之为“崩边”,它严重地影响小圆片生产成品率,也影响下一步晶体管的制造质量。因此,减少“崩边”或消除“崩边”又是提高材料利用率降低生产成本非常重     

崩角问题分析探讨

在集成电路封装过程中,L（T）QFP／PQFP系列产品在胶体四角进浇口、排气槽位置的崩角问题已直接影响到封装成品率和产品可靠性。本文展现了崩角的几种现象,对出现的原因进行了分析,并提出了通过改善模具的凸凹模结构、改善框架冲切方向（反冲、胶体支撑）、优化塑封料特性、改进塑封模具等都可不同程度的改善崩角。综合考虑方案的可行性、经济性、方便性诸因素,选择最优化的途径,使解决崩角问题达到最佳效果。     

GaAs基通孔刻蚀的崩边形成机理研究

在砷化镓(GaAs)集成无源器件(Integrated Passive Device, IPD)的制作工艺中,通孔刻蚀是一道重要环节。蚀刻孔边缘的GaAs会被蚀刻,由此引发崩边并对器件性能及可靠性造成不利影响。本文中,用于通孔蚀刻的GaAs厚度不小于200 μm,通孔边缘没有被蚀刻的痕迹,以实现金属导线的平滑连接。采用光阻和金属来充当掩膜,有效解决了单一光阻因厚度过高而变形或者厚度薄导致GaAs衬底被蚀刻的问题。通过优化工艺,在光阻厚度为32 μm、金属掩膜厚度为0.5 μm、金属蚀刻时间为60 s以及感应耦合等离子体(Inductively Couple Plasma, ICP)蚀刻4000 s的条件下,得到了孔深为200 μm且通孔边缘平整的形貌。分析了 GaAs 崩边形成的主要原因与机理,并通过优化工艺解决了200 μm通孔的崩边问题,从而提高了器件性能及可靠性。     

用于InSb探测器芯片的激光划片工艺方案简析

针对InSb探测器芯片,基于紫外皮秒激光器搭建了定制化的光学平台和振镜系统。通过固定激光脉冲的重复频率,探讨了低能量多刀数以及高能量少刀数等工艺条件,获得了适合InSb探测器芯片激光划片的工艺条件。结果表明,热影响与崩边情况均可满足项目要求。     

毫米波成像前端中H面电感膜片波导带通滤波器的精确设计

在H面电感膜片波导带通滤波器的设计中,考虑到加工产生倒角及其产生的频率偏移,总结出带倒角膜片滤波器的精确设计方法,并给出了修正公式。为了验证本文提出的设计方法,利用HFSS对具有不同的中心频率、不同的3 dB带宽(BW)和不同的倒角半径下对这种滤波器进行了仿真,其中心频率分别为18 GHz,26 GHz,34 GHz和42 GHz,对应的带宽对应为2.265%,2.5%,10%,15%和20%,仿真结果表现出了规律性偏移趋势。通过对中心频率和带宽分别为26 GHz、2.5%和34 GHz、2.265%的2种H面波导滤波器进行实测,测试结果与利用修正公式的仿真结果一致。     

AlGaN/GaN HFET电流崩塌效应研究

电流崩塌效应是限制AlGaN/GaN HFET高输出功率特性的一个重要因素,文中从器件研制的角度研究了AlGaN/GaN HFET的电流崩塌效应.研究结果表明,采用传统的化合物半导体器件细栅工艺制作的器件,栅边缘易发生钻蚀效应,SiN层出现钻蚀区域,器件电流崩塌明显;采用ICP刻蚀SiN后,AlGaN表面产生损伤,电流崩塌效应进一步增强;采用电子束直写方式和SiN钝化,电子未对AlGaN层产生损伤,电流崩塌参量小于20%;采用场板结构,SiN层增加了表面态俘获电子的释放通道.电流崩塌效应得到进一步抑制,减小到小于10%.     

Fabrication of Precise Die Edges for Micro-Optical and MEMS Applications

A method for fabricating precise silicon die edges aligned to a precision of 0.5 mum to the features on the front side of the die without damaging these features is described in this paper. A two step die edge fabrication process with die edge defined by silicon DRIE on the front side of the die and edge grinding on the backside of the die was developed. The features on the front-side of the die close to the edge are not mechanically damaged by this technique. Test structure design and fabrication to measure the precision of die edge with respect to the features on the front side is discussed. Die cleaning process using a protective coating deposited prior to the sawing and grinding processes is also presented.     

基于FEM的单颗磨粒切削光子晶体光纤端面仿真研究

光子晶体光纤端面研磨过程中存在着大量磨粒切削光纤包层的空气孔壁.将这一过程简化为单颗磨粒切削单孔壁,并应用有限元法(FEM)建立了数值仿真模型.分析了裂纹损伤产生的机理,以及不同切削深度和磨粒尖端半径对加工结果的影响.仿真结果表明:切削过程中,孔壁边缘容易出现沿圆周分布的崩塌区域;切削力和边缘崩塌区域随切削深度和磨粒尖端半径的增加而增加;该光子晶体光纤孔壁边缘无崩塌的最大切削深度约为20 nm.该方法对光子晶体光纤端面加工及耦合应用的研究具有重要意义.     

偏光片磨边工艺设备的开发与研制

主要介绍了在偏光片磨边工艺设备开发和研制中,如何实现压紧和旋转的工艺过程。通过采用双导轨高刚性支撑结构和交叉滚子轴承及向心轴承的组合结构设计了上下压台,保证了偏光片在压紧的状态下,不产生上下偏移和崩塌,同时保证压台在磨削时的定位精度;采用不完全齿轮和齿条的间隙运动机构组成六轴联动机构,实现了偏光片的旋转工艺,将其与气缸定位相结合,实现了偏光片的定位;合理设计的辅助夹具,不仅便于操作,而且实现了偏光片的上下同步旋转。最后通过C型料盒设计,进一步提高了生产效率。     

齿面激光熔覆中的防边缘塌陷工艺研究

为了研究激光熔覆过程中产生边缘塌陷问题的原因并且找到具有较强可操作性的解决方法,采用对激光熔覆过程的温度场进行数值计算的方法,分析得到边缘塌陷问题主要是由于激光熔覆过程中边缘地带温度过于集中所造成;在分析结果的基础上,以样块为实验对象,提出了解决此问题的基本方法;最后将此方法应用于齿面激光熔覆的实际中,并根据齿面激光熔覆的特殊情况对此方法进行了改进和完善,取得了较为令人满意的结果。结果表明,此方法可以较好地解决齿面激光熔覆的边缘塌陷问题,而且具有较强的可操作性。     

GaN HFET沟道热电子隧穿电流崩塌模型

研究了GaN HFET中沟道热电子隧穿到表面态及表面态电子跃迁到表面导带两种跃迁过程及其激活能.从沟道热电子隧穿过程出发,提出了新的电流崩塌微观模型.用该微观模型解释了光离化谱、DLTS、瞬态电流及电流崩塌等各类实验现象.研究了各种异质结构的不同电流崩塌特性,在此基础上讨论了无电流崩塌器件的优化设计.     

动态特性可调的微动平台优化设计

针对目前柔性铰链主要靠局部变形来工作,其存在应力集中,且微动平台的动态特性受材料特性、设计制造等误差影响,难以满足变工况条件下的高精密位移输出。基于应力刚化原理,采用对称布置的带倒角的弹片式柔性铰链,设计张紧力调节机构,实现微动平台的动态特性可调。采用COMSOL Multiphysics和MATLAB联合仿真对张紧力调节机构进行参数优化,让调节机构保持线性调节关系,使柔性铰链的应力分布最小化。结果表明,所设计的微动平台能够进行高度线性固有频率调节,与有限元分析结果相比,频率调节范围相差2.55%,在理论设计范围内。     

GaN基HEMT器件的表面陷阱电荷输运过程实验研究

基于特制的无台面AlGaN/GaN HEMT,设计了一种实验方法,用以研究AlGaN/GaN外延表面陷阱态间的电荷输运过程。经实验证实,在器件电流崩塌效应中,存在表面陷阱电荷输运,并确定了相关时间常数。针对应力后电流崩塌驰豫过程,实验监测到小于0.1 s和大于10 s两类时间常数,其中较大的常数对应于表面陷阱电荷的输运过程。此结论可望用于对AlGaN/GaNHEMT电流崩塌效应进一步的理论探索和相关的器件研究。     

半自动瓷砖倒棱机的创新设计

根据我国建筑行业的规定,分析装饰瓷砖在使用时需倒出45°棱角的必要性和倒角过程中遇到的困难,设计了一可实现半自动化的瓷砖倒棱专用机械,包括提出了倒棱机的总体设计思想,描述了机器的工作原理及其重要参数切削力的计算。最后简单介绍利用Pro/Engineer进行机械设计、动态仿真的方法以及应注意的问题。