WC—Co硬质合金表面MW—PCVD制备金刚石薄膜去钴预处理的研究

研究了ＷＣ－Ｃｏ硬质合金刀具表面微波等离子体化学气相沉积（ＭＷ－ＰＣＶＤ）制备金刚石薄膜时不同的去钴预处理方式的影响。扫描电子显微镜形貌观察和喇曼谱分析表明，利用氢－氧等离子体处理方式有显著的去钴效果，相应沉积获得的金刚石薄膜质量相对较高。与酸腐蚀处理相比，微波等离子体化学气相沉积装置中实现氢－氧等离子体处理方式具有独特的优越性。     

WC—Co硬质合金表面不同去钴预处理方法的比较研究

用微波等离子体化学气相沉积（MWPCVD）制备金刚石薄膜涂层之前，采用盐酸、硝酸化学腐蚀和氢-氧等离子体对WC-Co硬质合金（YG6）基体表面进行去钴预处理。扫描电子显微镜形貌观察和X射线衍射谱分析都表明，与化学腐蚀方法相比，氢-氧等离子体处理具有独特的表面钴效果，沉积金刚石薄膜的喇曼谱分析更证实其对涂层质量的改善，且对MWPCVD过程而言有其技术上的一些优越性。     

WC-Co硬质合金表面不同去钴预处理方法的比较研究

用微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)制备金刚石薄膜涂层之前,采用盐酸、硝酸化学腐蚀和氢-氧等离子体对WC-Co硬质合金(YG6)基体表面进行去钴预处理。扫描电子显微镜形貌观察和X射线衍射谱分析都表明,与化学腐蚀方法相比,氢-氧等离子体处理具有独特的表面去钴效果,沉积金刚石薄膜的喇曼谱分析更证实其对涂层质量的改善,且对MWPCVD过程而言有其技术上的一些优越性。     

沉积气压对MW—PCVD制备金刚石薄膜的影响

利用石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积（ＭＷ－ＰＣＶＤ）实验装置研究了不同沉积气压对金刚石薄膜沉积结果的影响。扫描电子显微镜（ＳＥＭ）显微形貌观察及喇曼光谱（ＲＡＭＡＮ）分析表明沉积气压的提高有利于改善ＭＷ－ＰＣＶＤ制备金刚石薄膜的质量。     

基片位置对MWPCVD制备金刚石薄膜的影响

在石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积实验装置中研究了基片位置对金刚石薄膜沉积质量的影响。扫描电子显微镜显微形貌观察和激光喇曼谱分析表明，对微波等离子体化学气相沉积制备金刚石薄膜而言，基片位置处于近等离子体球下游区域将有利于改善金刚石薄膜沉积质量。     

用CO和CH_4作为碳气源生长金刚石的比较

使用一氧化碳作碳源气体，用微波等离子体化学气相沉积法在单晶硅上制备金刚石薄膜，分析氧对金刚石生长的影响。     

基片位置对MWPCVD制备金刚石薄膜的影响

在石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积实验装置中研究了基片位置对金刚石薄膜沉积质量的影响。扫描电子显微镜显微形貌观察和激光喇曼谱分析表明 ,对微波等离子体化学气相沉积制备金刚石薄膜而言 ,基片位置处于近等离子体球下游区域将有利于改善金刚石薄膜沉积质量。     

甲烷浓度对金刚石薄膜质量的影响

纳米金刚石薄膜具有优异的性能,已在多个领域获得广泛应用.但微波等离子体化学气相沉积制备的金刚石薄膜质量却严重受沉积工艺的影响,为了深入了解沉积工艺对制备的金刚石薄膜质量的影响,本文详细研究了甲烷浓度对微波等离子体化学气相沉积( MPCVD)金刚石薄膜质量的影响,利用扫描电镜、X射线衍射、拉曼光谱以及原子力显微镜对其进行...     

微波ECR—CVD低温SiNx薄膜的氢含量分析

利用红外光谱技术研究了微波电子回旋共振（ＥＣＲ）等离子体化学气相沉积（ＣＶＤ）法在低温条件下制备的ＳｉＮ。膜的键的结构和氢含量，分析了微波 功率和后处理条件对膜含量的影响及其成因，提出适当提高微波功率是降低微波ＥＣＲ－ＣＶＤ低温ＳｉＮｘ膜中氢含量的可能途径。     

CVD金刚石薄膜抛光技术的研究进展

采用化学气相沉积方法在非金刚石衬底上沉积的金刚石薄膜,本质上为多晶,而且表面粗糙。本文论述了目前国际上出现的抛光ＣＶＤ金刚石薄膜的主要方法,包括机械抛光法、热－化学抛光法、化学－＝机械抛光法、等离子体／离子束抛光法以及激光抛光法等。     

Dual roles of stearic acid in the synthesis of Co nanomaterials in polyol

The role of stearic acid in the synthesis of Co nanostructures in polyol was demonstrated to be structure directing and acidic etching agents. Lower concentration of stearic acid favors the formation of Co nanowires with the diameter of 10 nm and the length up to 1000 nm through the structure directing effect, whereas higher concentration of stearic acid tends to produce Co nanoparticles with size of 10-50 nm mainly because of the acidic etching effect. Both the nanowires and the nanoparticles can effectively catalyze hydrogenolysis of glycerol to propylene glycol, giving quite promising activity and selectivity under very mild conditions.     

不同氩气与氢气流量比对硼掺杂纳米金刚石膜的影响

采用直流热阴极PCVD方法,以B(OCH3)3作为硼源,通过改变氩气与氢气流量比,在p型Si衬底上沉积了硼掺杂纳米金刚石膜.研究了不同氩气与氢气流最比对掺硼金刚石膜生长的影响.采用扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、X射线衍射仪、霍尔系统等对样品的形貌、结构和导电性能进行了表征.结果表明,随着氩气与氢气流量比的增加,膜的晶粒尺寸由微米级向纳米级转变,并且膜中非晶碳成分增多,膜的导电性能变好.     

直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备金刚石膜

采用直流热阴极PCVD(Plasma chemical vapor deposition)法间歇生长模式制备金刚石膜,通过加入周期性的刻蚀阶段清除金刚石膜在一定生长期中形成的石墨和非晶碳等杂质,实现了金刚石膜生长的质量调控。间歇式生长过程分为沉积阶段和刻蚀阶段,两个阶段交替进行。采用Raman光谱、SEM和XRD对所制金刚石膜的品质进行了表征,并与同样生长条件下连续生长模式制备的金刚石膜样品进行了比较。结果表明,当单个生长周期为30 min(沉积时间为20 min、刻蚀时间为10 min)时,直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备的金刚石膜中的非金刚石相杂质含量低于连续间歇生长模式制备的金刚石膜。     

爆炸喷涂WC-Co涂层结合强度的测量方法及喷涂工艺研究

设计了一种新的测量方法用于测量爆炸喷涂涂层与基体的结合强度，从理论上分析了这种方法拉伸面的临界尺寸，实验结果表明，对国产喷枪尺寸设计为2mm左右是合适的，爆炸喷涂涂层与基体的结合离最高可达143MPa.为避免喷涂过程中金属Co的损失，获得较好的显微形,爆炸气体中C2H2需要过量，O2/C2H2(摩尔比）为1．5左右较合适。     

Coating of TiO2 thin films on particles by a plasma chemical vapor deposition process

TiO₂ thin films were experimentally coated on glass beads by means of a rotating cylindrical plasma chemical vapor deposition (PCVD) reactor. The morphologies and growth rates of the TiO₂ thin films before and after heat treatment were measured for various process conditions. The precursors for the TiO₂ films were generated from TTIP by plasma reactions, and they were deposited on the glass beads to become TiO₂ thin films. The TiO₂ thin films coated on the glass beads became more uniform by heat treatment. The TiO₂ thin films grew more quickly on the glass beads with increasing mass flow rate of TTIP, reactor pressure, or rotation speed of the reactor. As the applied electric power decreases, the thickness of the thin films on the glass beads increases. This experimental study shows that the use of a rotating cylindrical PCVD reactor can be a good method to coat high-quality TiO₂ thin films uniformly on particles.     

Properties of fluorosilicate glass prepared by MCVD

Multilayer and two-layer fiber preforms with a fluorosilicate glass core have been produced by the modified chemical vapor deposition (MCVD) process with SiF₄ as a fluorination agent. The fluorine profile across the preforms has been studied, the fluorine concentration in the glass has been determined as a function of the initial vapor mixture composition, and the effect of the fluorine concentration on the refractive-index difference between the fluorosilicate and silica glasses and on the mechanical stress in the glass has been examined. Comparison of the present results with literature data demonstrates that the above parameters depend significantly on the fluorosilicate glass preparation process: MCVD or plasma chemical vapor deposition (PCVD). This is tentatively attributed to the difference in structure between the glasses made by MCVD and PCVD.     

氢等离子作用下Fe、Co对金刚石膜刻蚀的研究

金刚石具有很高的硬度,加工困难,为寻找一种刻蚀效率较高的材料,利用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）技术,在氢等离子体作用下,研究了Fe、Co对CVD金刚石膜表面的刻蚀效率。用SEM观察刻蚀效果,用Raman光谱对其表面结构进行表征。结果表明：在氢等离子体的作用下,Fe、Co对金刚石表面都有明显的腐蚀作用,其中Fe的刻蚀速率较高,并且可以通过对溶碳材料的厚度控制,来实现对刻蚀速率与刻蚀量的有效控制。对刻蚀后的样品用混合酸及丙酮处理后,得到了可与原始金刚石相媲美的质量。     

氧空位超薄Co2AlO4纳米片的合成及其增强电催化氧析出反应（英文）

本文报道了通过脱合金和后续退火工艺合成一种新型超薄二维尖晶石结构的Co2Al O4纳米片.通过温和的溶剂热还原法将氧空位缺陷引入Co2Al O4纳米片中,使得电化学表面积增大,活性位密度变高,钴原子得到电子而产生更多的空轨道.这些空轨道有利于接受水分子中氧原子的孤对电子,促进水分子的活化.含有氧空位的超薄Co2Al O4纳米片在10 m A cm^-2时的过电位为280 m V,塔菲尔斜率为70.98 m V dec^-1.此外,其在碱性溶液中也表现出显著的稳定性,并且优于多数已报道的Co3O4电催化剂.该工作为制备高效的可持续新能源材料提供了新思路.     

交替刻蚀制备有序锯齿形硅纳米线阵列及其光学性能研究

采用金属催化化学刻蚀法(MCCE),以金属Ag为催化剂,在HF与H2O2体系中通过交替刻蚀在P(111)硅衬底上制备出锯齿形硅纳米线阵列.利用扫描电子显微镜对硅纳米线的形貌进行了表征,研究了HF浓度与H2O2浓度对纳米线刹蚀方向的调控作用.选取不同的HF与H2O2浓度配比,分别对硅基底各向同性刻蚀与各向异性刻蚀进行调控,使得刻蚀方向对溶液浓度的变化能够快速响应.在溶液Ⅰ([HF]=2.3 mol/L,[H2O2]=0.4 mol/L)与溶液Ⅱ([HF]=9.2 mol/L,[H2O2]=0.04 mol/L)中交替刻蚀,制备出刻蚀方向高度可控的大规模锯齿形硅纳米线.利用紫外-可见分光光度计对锯齿形硅纳米线的减反射性能进行研究,结果表明,其表现出优异的减反特性,最低反射率为5.9％.纳米线形貌的高度可控性使其在微电子器件领域也具有巨大的应用前景.