纳米电子技术

近十多年来,随着微电子技术和功能材料技术的进展,一门新的技术科学━━纳米技术应运而生,并且正在派生出纳米功能材料学、纳米电子学、纳米生物学、纳米机械学、纳米显微学、纳米化学、纳米物理学和纳米测量学等。基本概念纳米技术纳米是一个量度单位,1纳米等于一百万分之一毫米,即1nm=1×10-6mm,纳米也称毫微米,仅为头发丝的万分之一量级。1纳米差不多等于10个原子的尺度。所谓纳米技术就是指在原子或分子水平上的技术,即在原子或分子层面上进行物质的观测、识别、制作（堆砌）与控制,从而构成某种特别细小,而又具有独立功能的…     

日开发出用于未来半导体产业的正电子纳米显微技术

据《科技日报》2006年8月10日报道,日本原子能研究开发机构开发出一种正电子纳米显微新技术。它可利用正电子束,对表面纳米物质内部的原子排列精密观测,这项技术将帮助开发新的表面纳米技术。这种纳米层的组成物质被称为表面纳米物质。表面纳米物质是未来半导体产业的尖端材料,     

纳米技术及其在军事上的应用

引言纳米是一个长度单位，1纳米＝10-9米(即十亿分之一米)，相当一根头发直径的6万分之一。纳米技术是在0.1～100纳米的尺度空间内研究电子、原子、分子的内在运行规律和特性的崭新技术。它的涵盖面十分广泛，包括纳米电子技术、纳米材料技术、纳米机械制造技术、纳米显微技术及纳米物理学和纳米生物学等不同学科和领域。纳米技术是一门异军突起的新兴技术，它的出现，标志着人类在利用自然方面进入了一个新的层次，即从微米深入到原子、分子级的纳米层次，使人类最终能够按照自己的意愿操纵单个原子和分子，以实现对微观世界的有效控制。正…     

纳米电子/纳米光电子技术

主要介绍纳米技术领域里纳米电子学/纳米光电子学的基本概念、纳米电子学的分类、纳米电子器件、纳米光电子器件、纳米电子学和纳米光电子学的发展模式以及纳米高技术群。     

纳米电子／纳米光电子技术

主要介绍纳米技术领域里纳米电子学／纳米光电子学的基本概念、纳米电子学的分类、纳米电子器件、纳米光电子器件、纳米电子学和纳米光电子学的发展模式以及纳米高技术群。     

纳米蚀刻技术及其在20GHz频段SAW器件中的应用

纳米蚀刻技术及其在２０ＧＨｚ频段ＳＡＷ器件中的应用阎永志利用纳米蚀刻技术可将图形做得非常精细（ｕｍ级），将在ＵＬＳＩ、高速ＦＥＴ、分布反馈式激光器和ＧＨｚ频段ＳＡＷ器件等领域获得应用。常规蚀刻过程中，抗蚀膜层必须有一定厚度，但较厚的抗蚀膜无法获得纳米...     

跨世纪新学科—纳米电子学

本世纪最后十年，一个崭新的学科领域－纳米科学技术诞生了，这一新领域为多科性交叉学科，包括纳米电子学、纳米材料科学、纳米生物学、纳米机械学、纳米显微学和纳米制造等。本文讨论联新颖的纳米电子学的提出、设想、内容、现状和前景。纳米科学技术的最终目标是直接操纵单个原子或分子，制造具有特定功能的产品，从而将惊人地改变着人类的生产和生活模式。     

单电子晶体管悄然兴起

纳米器件与单电子晶体管所谓纳米科技是指在纳米尺度(0.1一100nm)范围内研究物质(包括原子、分子的操纵和安排)的特性和相互作用以及如何利用这些特性和相互作用的具有多学科交叉性质的科学和技术。国际纳米科学与技术常设委员会将纳米科技分成6个主要部分,纳米电子学、纳米物理学、纳米化学、纳米生物学、纳米机械学和纳米表征测量学。纳米电子学被列为其首要部分是因为它与当前在科技和生产中起重要作用的微电子有密切关系。美国制定的《国家纳米技术战略》以纳米电子学为主攻方向。纳米电子学     

硅纳米线纳米电子器件及其制备技术

硅纳米线由于特殊的光学及电学性能如量子限制效应及库仑阻塞效应等,在纳米电子器件的应用方面具有潜在的发展前景。介绍了采用电子束蚀刻技术(EB)、反应性离子蚀刻技术(RIE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等制备技术及场效应晶体管、单电子探测器及存储器、双方向电子泵及双重门电路等硅纳米线纳米电子器件的最新进展情况,并对其发展前景作了展望。     

纳米力学测量中的仪器校准

上世纪90年代初兴起的纳米科技是在纳米尺度上（1nm到100nm之间）研究物质（包括原子、分子的操纵）的特性和相互作用，以及利用这些特性的多学科交叉的科学和技术。纳米测试技术是纳米材料和材料纳米性能研究与发展的重要基础。     

高斯电子束曝光系统

电子束光刻技术是纳米级加工技术的主要手段,在纳米器件加工、掩模制造、新器件新结构加工中扮演举足轻重的角色。虽然现在最先进的电子束聚焦技术可以得到几个纳米的电子束斑,但是由于邻近效应问题,依然很难使用电子束光刻技术得到接近其理论极限的纳米尺度图形,对电子束曝光系统的基本原理及其邻近效应校正技术进行了研究,并得到一些比较理想的曝光结果。     

光刻与微纳制造技术的研究现状及展望

首先介绍了微纳制造的关键工艺技术——光刻技术。回顾了光刻技术的发展历程,介绍了各阶段主流光刻技术的基本原理和特点。阐述了国内外对光刻技术的研究现状,并讨论了光刻与微纳制造技术面临的挑战及其需要解决的关键性技术问题。然后重点介绍了浸没光刻、极紫外光刻、电子束光刻、离子束光刻、X射线光刻、纳米压印光刻等技术的概念、发展过程和特点,并对不同光刻技术的优缺点和生产适用条件进行了比较。最后结合国内外生产商、工程师和研究学者的研究成果,对光刻技术的未来发展做出展望。     

无掩模光刻技术的前景

介绍了无掩模光刻技术的现状、存在的问题和前景展望;说明了无掩模光刻技术的最大优点即是降低掩模成本;同时还介绍了电子束光刻技术及其改进。     

角度限制散射投影电子束光刻

角度限制散射投影电子束光刻（SCALPEL）采用并行投影技术,具有分辨率高、曝光范围大的特点,可望获得远比电子束直写光刻高的产量。本文介绍了SCALPEL的原理、特点及该技术的研究进展情况。     

电子束光刻在纳米加工及器件制备中的应用

电子束光刻技术是推动微米电子学和微纳米加工发展的关键技术,尤其在纳米制造领域中起着不可替代的作用。介绍了中国科学院微电子研究所拥有JEOLJBX5000LS、JBX6300FS纳米电子束光刻系统和电子显微镜系统的电子束光刻技术实验室,利用电子束直写系统所开展的纳米器件和纳米结构制造工艺技术方面的研究。重点阐述了如何利用电子束直写技术实现纳米器件和纳米结构的电子束光刻。针对电子束光刻效率低和电子束光刻邻近效应等问题所采取的措施;采用无宽度线曝光技术和高分辨率、高反差、低灵敏度电子抗蚀剂相结合实现电子束纳米尺度光刻以及采用电子束光刻与X射线曝光相结合的技术实现高高宽比的纳米尺度结构的加工等具体工艺技术问题展开讨论。     

电子束重复增量扫描曝光方式的反应机理研究

从高分子辐射化学的角度分析了电子束曝光的实际反应机理,推导得出曝光辐射剂量与辐射降解程度间的关系,提出了重复增量扫描方式的电子束微三维加工方法。通过在SDS-3型电子束曝光机上对正性抗蚀剂PMMA进行曝光实验,显影后得到轮廓清晰的三维结构,验证了该方法的可行性。     

高能电子束曝光技术研究

介绍了将商用透射电镜JEM—2000EX改造为高能电子束曝光系统的研制工作，在现阶段研制工作的基础上进行了曝光实验。结果表明，利用此高能电子束曝光系统可以制备出纳米线条，并且能够制备出具有高深宽比的微细结构，从而为微小器件的加工提供了新的方法。     

Resolution, overlay, and field size for lithography systems

Resolution, overlay, and field size limits for UV, X-ray, electron beam, and ion beam lithography are described. The following conclusions emerge in the discussion. 1) At 1-µm linewidth, contrast for optical projection can be higher than that for electron beam. 2) Optical cameras using mirror optics and deep UV radiation can potentially produce linewidths approaching 0.5 µm. 3) For the purpose of comparing the resolution of electron beam and optical exposure, it is useful to define the minimum linewidth as twice the linewidth at which the contrast of the exposure system has fallen to 30 percent. 4) X-ray lithography offers the highest contrast and resist aspect ratio for linewidths above about 0.1 µm, but for dimensions below 0.1 µm, highest aspect ratio is obtained with electron beam. 5) With electron beam exposure on a bulk sample, contrast for a 50-nm linewidth is the same as that for 1-µm linewidth, provided the resist is thin. Higher accelerating voltages make it easier to correct for proximity effects and to maintain resolution with thick resist. 6) Ultimately the range of secondary electrons limits resolution in electron beam lithography, just as the range of photoelectrons limits resolution in X-ray lithography. In both cases, minimum linewidth and spacing in dense patterns is about 20 nm. Resolution with ion beams will probably be about the same because the interaction range of the ions will be similar to the electrons.     

亚半微米铬掩模版制作技术研究

介绍了用LeicaVB5电子束曝光系统在涂敷有PMMA电子束抗蚀剂的4英寸铬板上,通过扫描曝光、湿法显影、干法刻蚀等手段制作亚微米、亚半微米铬掩模版的工艺技术。     

多能点X射线透射光栅的制作技术

针对X射线自支撑透射光栅在多能点单色成像光栅谱仪中的应用,采用电子束和光学匹配曝光、微电镀和高密度等离子体刻蚀技术,成功制备了周期为500nm、金吸收体厚度为350nm、占空比接近1∶1,满足三个能点成像需求的2000lp/mm X射线自支撑透射光栅。首先利用电子束光刻和微电镀技术制备金光栅图形,然后采用紫外光刻和微电镀技术制作自支撑结构,最后通过腐蚀体硅和感应耦合等离子体刻蚀聚酰亚胺完成X射线自支撑透射光栅的制作。在电子束光刻中,采用几何校正和高反差电子束抗蚀剂实现了对纳米尺度光栅图形的精确控制。实验结果表明,同一个器件分布的三块光栅占空比合理,栅线平滑,可以满足单能点单色成像谱仪的要求。