N管开启电压调整注入对P－N结击穿电压的影响

为了讨论问题方便，定义了两种Ｐ－Ｎ结：“漏Ｐ－Ｎ结”和“单纯Ｐ－Ｎ结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别，认为“漏Ｐ－Ｎ结”的击穿电压与沟道区杂质浓度密切相关。ＥＥＰＲＯＭ的研制中，要求“漏Ｐ－Ｎ结”击穿电压≥２０Ｖ，即沟道区杂质浓度要低到一定的程度，而同时又必须保证一定的开启电压，即沟道区杂质浓度要高到一定的程度。通过分析与实验，提出了解决这一矛盾的通用原则。     

EEPROM工艺中场开启电压的特殊要求与对策

ＥＥＰＲＯＭ要求场开启电压≥２０Ｖ，Ｐ－Ｎ结击穿电压也要求≥２０Ｖ，前者需提高场区杂质浓度，而后者则需要降低场杂质浓度，通过工艺模拟和实验找到了一种化解这个矛盾的对策，首先根据Ｐ－Ｎ结击穿电压的要求确定场区杂质浓度，继而大幅度调节场氧厚度，从而使二者都能满足要求。     

提高E^2PROM中NMOS管源漏穿通电压的实验研究

为了提高Ｅ＾２ＰＲＯＭ中Ｎ管源漏穿通电压，用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明，高能量注入是提高ＶＰＴ的有效手段，但受到ｐｎ结击穿的限制，只适用于低区短沟Ｎ管；ＤＤＤ工艺大幅度高ＶＰＴ，但ｐｎ结击穿电压低于２０Ｖ，不能应用于高压ＭＯＳ管；采用适量的防穿通注入和适当增大沟道长度为最理想的工艺途径。     

采用硅平面工艺制造垂直沟道结型场效应晶体管

采用自对准和掺杂多晶硅技术制造出了一种具有新结构的垂直沟道结型场效应晶体管。因为很多沟道容易集成在单片上,这种结构适用于大功率器件。它也适用于高频器件,因为对于高频工作的两个根本的条件,即足够低的栅电阻和小的沟道长度能很容易地实现。这种器件显示出类似三极管的电流-电压特性,它由沟道杂质浓度和栅极扩散的分布所决定。为音频放大器设计的 n 型沟道,4毫米×4毫米、5520个沟道的功率场效应晶体管的典型特性是:电压放大系数为5;源-栅击穿电压为60伏;漏-栅击穿电压为200伏;在 V_(DS)=7伏时 I_(DSS)=4安。     

高击穿电压InAIAs／n~＋－InGaAs HFET

高击穿电压ＩｎＡＩＡｓ／ｎ￣＋－ＩｎＧａＡｓＨＦＥＴ最近报道了一种适于高压应用的ＩｎＰ基ＨＦＥＴ，它采用的是双应变外延结构。为了提高器件的击穿电压，采用了如下方法：①采用量子阶沟道，以实现电子的量子化和提高有效沟道的带隙；②使用应变的Ｉｎ＿（０．４１...     

高压偏移栅P沟MOSFET的电离辐照性能研究

详细研究了高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ在Ｃｏ＾６０－γ辐照下击穿电压随辐照剂量的变化关系。结果表明：；击穿电压的辐照剂量响应与漂移区杂质面密度、票移区长度、场板长度以及漏区结构有关。另外，γ辐照志致导通电阻增加。结果证实了我们以前提出的电离辐照引起击穿电压变化的机制。对实验现象给出了比较圆满的解释。结论对研制电离辐射加固高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ具有重要的指导作用。     

SOI高压MOSFET的电流-电压特性模拟

在不同漂移区浓度分布下 ,通过二维数值模拟充分地研究了薄膜 SOI高压 MOSFET击穿电压的浓度相关性 ,指出了击穿优化对 MOSFET漂移区杂质浓度分布的要求。分析了MOSFET的电场电位分布随漏源电压的变化 ,提出寄生晶体管击穿有使 SOI MOSFET击穿降低的作用。     

高压编移栅P沟MOSFET的电离辐照性能研究

详细研究了高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ在Ｃｏ６０－γ，辐照下击穿电压随辐照剂量的变化关系．结果表明：击穿电压的辐照剂量响应与漂移区杂质面密度、漂移区长度、场板长度以及漏区结构有关．另外，γ辐照导致导通电阻增加．结果证实了我们以前提出的电离辐照引起击穿电压变化的机制．对实验现象给出了比较圆满的解释．结论对研制电离辐射加固高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ具有重要的指导作用．     

PDSOI nMOSFETs关态击穿特性

分别采用不同的背栅沟道注入剂量制成了部分耗尽绝缘体上硅浮体和H型栅体接触n型沟道器件.对这些器件的关态击穿特性进行了研究.当背栅沟道注入剂量从1.0×1013增加到1.3×1013cm-2,浮体n型沟道器件关态击穿电压由5.2升高到6.7V,而H型栅体接触n型沟道器件关态击穿电压从11.9降低到9V.通过测量寄生双极晶体管静态增益和漏体pn结击穿电压,对部分耗尽绝缘体上硅浮体和H型栅体接触n型沟道器件的击穿特性进行了定性解释和分析.     

PDSOI nMOSFETs关态击穿特性

分别采用不同的背栅沟道注入剂量制成了部分耗尽绝缘体上硅浮体和H型栅体接触n型沟道器件.对这些器件的关态击穿特性进行了研究.当背栅沟道注入剂量从1.0×1013增加到1.3×1013cm-2,浮体n型沟道器件关态击穿电压由5.2升高到6.7V,而H型栅体接触n型沟道器件关态击穿电压从11.9降低到9V.通过测量寄生双极晶体管静态增益和漏体pn结击穿电压,对部分耗尽绝缘体上硅浮体和H型栅体接触n型沟道器件的击穿特性进行了定性解释和分析.     

埋层低掺杂漏SOI高压器件的击穿电压

提出一种具有埋层低掺杂漏(BLD)SOI高压器件新结构。其机理是埋层附加电场调制耐压层电场,使漂移区电荷共享效应增强,降低沟道边缘电场,在漂移区中部产生新的电场峰。埋层电中性作用增加漂移区优化掺杂浓度,导通电阻降低;低掺杂漏区在漏极附近形成缓冲层,改善漏极击穿特性。借助二维半导体仿真器MEDICI,研究漂移区浓度和厚度对击穿电压的影响,获得改善击穿电压和导通电阻折中关系的途径。在器件参数优化理论的指导下,成功研制了700V的SOI高压器件。结果表明:BLD SOI结构击穿电压由均匀漂移区器件的204V提高到275V,比导通电阻下降25%。     

NMOS低温热载流子晶体管的解析研究

利用低温（７７－２９５Ｋ）短沟ＮＭＯＳＦＥＴ准二维解析模型，研究了７７－２９５Ｋ温区ＮＭＯＳＦＥＴ衬底电流相关的物理机制。发现沟道电子平均自由程不随温度而改变，其值约为７．６ｎｍ；低温下虽然沟道电子在漏端获得较高的能量，但由于碰撞电离减弱，使ＮＭＯＳＦＥＴ的衬底电流不随温度降低而显著增长。实验结果证明，提出的衬底电流机制和模型适用于７７－２９５Ｋ宽温区范围。     

3DK20900高反压大功率硅NPN晶体管的研制

本文较详细地介绍了３ＫＤ２０９００高反压大功率硅ＮＰＮ晶体管的研制过程和生产工艺。该器件最大集电极电流Ｉｃｍ＝２０Ａ，最大耗散功率Ｐｃｍ－２５０Ｗ，Ｃ－Ｅ结反向击穿电压ＶＢＲ（ｃｅｏ）≥９００Ｖ，Ｃ－Ｂ结反向击穿电压ＶＢＲ（ｃｂｏ）≥１２００Ｖ，属国内首创，技术性能指标基本达到国际同类军用产品水平。     

高压VDMOSFET击穿电压优化设计

通过理论计算,优化了外延层厚度和掺杂浓度,对影响击穿电压的相关结构参数进行设计,探讨了VDMOSFET的终端结构。讨论了场限环和结终端扩展技术,提出了终端多区设计思路,提高了新型结构VDMOSFET的漏源击穿电压。设计了800V、6A功率VDMOSFET,同场限环技术相比,优化的结终端扩展技术,节省芯片面积10.6%,而不增加工艺流程,漏源击穿电压高达882V,提高了3%,由于芯片面积的缩小,平均芯片中测合格率提高5%,达到了预期目的,具有很好的经济价值。     

圆柱突变结击穿电压及电场沿结边的分布

基于横向侧扩散与纵向体扩散结深构成椭圆形冶金结外形这一与工艺实际相符合的假设，通过圆柱对称解的归一化，提出了平面结击穿电场沿结边分布的解析解。理论结果阐述了不同结深及结边形状对边缘区击穿电压的影响规律，说明了表面南击穿电压总是小于体内击穿电压的原因。     

栅非对称配置的GaAsMESFET击穿电压的研究

本文分析了栅非对称配置的GaAsMESFET的栅-源击穿电压和栅-漏击穿电压,给出了二者关系的简单数学表达式,由此发现了栅-漏击穿电压与器件夹断性能的关系,从实验上证明理论分析是正确的,对器件制造有一定的指导意义.     

LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究

研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了ＬＤＤ结构参数对器件击穿特性的影响，并结合实验结果对Ｎ＾－区的注入剂量，长度及引入的串联电阻进行了优化设计。     

用十字形模型解析静电感应晶体管的工作机理

为了阐明静电感应晶体管静态特性与有源区杂质浓度的关系,提出了十字线形结构模型,所谓十字线形模型是把静电感应晶体管中最本质的东西,即源到漏的电流通路和由栅极引起的势垒之间呈十字线形结构。使用该模型,可以分别求出电流-电压特性,其计算结果可以对实验数值进行定性的说明,并求出了晶体管三个参数与杂质浓度的关系。用此模型得到的结果是:漏极微分电阻与外延层厚度的平方成正比,实验结果是与1.5次方成正比。另外,明确了由自建电位使沟道正好处于夹断状态时,跨导与杂质浓度的平方根成正比,这一点在实验上也得到了证明。     

一种新型的双极功率器件—BST

针对常规双极功率晶体管（ＢＰＴ）中存在的高频、高电流增益和高ＣＥ击穿电压间的固有矛盾，基于一新工艺提出了一种新型的双极功率器件──ＢＳＴ（ＢａｓｅＳｈｉｅｌｄｉｎｇＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）结构。分析了ＢＳＴ夹断后的两维电场解析解，可知深Ｐ＋多晶硅基区的引入对有源Ｐ基区产生明显的电场屏蔽效应，该基区屏蔽效应随Ｐ＋基区深入Ｎ－区中的深度Ｌ的增加以及相邻Ｐ＋基区间距２Ｄ的减小而增强。正是这种基区屏蔽效应，使得ＢＳＴ的特征频率ｆＴ、电流增益ｈｆｅ和ＣＥ击穿电压ＢＶｃｅ０都较常规ＢＰＴ大为提高，较好地解决了常规ＢＰＴ中存在的主要矛盾。实验验证了理论分析的结果。     

卫星电视接收机维修实例

故障现象 长虹ＮＳ７２８型，开机后数码显示正常，但无声音输出。 分析检修 ①功放电路中Ｎ１（ＴＡ７２４０ＡＰ）损坏；②解码电路中Ｄ１（ＵＳＰ３４１０）不良；③解码电路中Ｎ２（ＮＥ５５３２Ｐ）不良；④解码电路中Ｎ３（ＮＥ５５３２Ｐ）不良。 故障现象 长虹ＡＰＳ－２０００型，开机后图像出现细横条干扰。 分析检修 ①调谐路的晶振不良；②调谐电路的Ｃ１４３漏电；③调谐电路的Ｃ１３６漏电；④调谐供电电压滤波电容器不良。 故障现象 长虹ＷＳ５２３１Ａ型，无图无声，频道显示正常。 分析检修 ＬＮＢ ＋１８Ｖ降为２．５Ｖ，…