一种新型2×2 SOI热光开关

设计并制作了一种新型的SOI 2×2马赫-曾德(MZ)热光开关.这种光开关采用了深刻蚀结构的配对多模干涉耦合器,同时,为了保证单模传输和调制,在连接波导和调制臂区域采用了浅刻蚀结构.深刻蚀结构增强了多模干涉耦合器对光场的限制,有利于自映像质量的提高,从而减少了自映像损耗和不均衡度,同时也提高了制作容差.基于强限制配对干涉耦合器的新型热光开关,其插入损耗为-11.0 dB,其中包括光纤-波导耦合损耗-4.3 dB,上升和下降开关时间分别为3.5μs和8.8μs.     

多功能2×2 GaAs/GaAlAs多模干涉型光开关分析

提出了一种基于深刻蚀脊形光波导带模斑转换器的多功能2×2 GaAs/GaAlAs多模干涉型光开关,并用变量变换级数展开法及三维有限差分束传播法对其进行了模拟分析与优化设计.结果表明,通过控制多模波导中央的两段Schottky电极,器件可实现交叉态、直通态及3dB耦合器功能,并有较大的制作容差、较宽的工作带宽,只须一个多模波导,器件结构紧凑.采用深刻蚀脊形光波导能够满足多模干涉型器件的精确自镜像要求,并使输入/输出光波导在单模工作下有较大的横截面,较低的弯曲损耗及较小的耦合串扰.通道末端引入的模斑转换器可方便地与单模光纤连接耦合.     

采用楔形连接波导和自对准反射镜的8×8阻塞型热光开关

通过改进热光开关单元和全内反射镜,设计并制作了基于SOI材料的8×8阻塞型热光开关矩阵.开关设计中,在单模波导和多模干涉耦合器之间引入楔形连接波导并进行优化,增大单模波导与多模波导之间的耦合效率,减小开关单元的损耗.此外,采用自对准方法提高了全内反射镜的光刻容差.开关矩阵各端口的平均插入损耗约为21dB,单个反射镜引起的附加损耗约为1.4dB,串扰少于-21dB.实验结果说明新设计改善了开关器件的整体特性,与理论分析一致.     

采用楔形连接波导和自对准反射镜的8×8阻塞型热光开关

通过改进热光开关单元和全内反射镜,设计并制作了基于SOI材料的8×8阻塞型热光开关矩阵.开关设计中,在单模波导和多模干涉耦合器之间引入楔形连接波导并进行优化,增大单模波导与多模波导之间的耦合效率,减小开关单元的损耗.此外,采用自对准方法提高了全内反射镜的光刻容差.开关矩阵各端口的平均插入损耗约为21dB,单个反射镜引起的附加损耗约为1.4dB,串扰少于-21dB.实验结果说明新设计改善了开关器件的整体特性,与理论分析一致.     

SOI热光调制器

设计和制作了多模干涉马赫曾德型热光调制器.通过合理选择SOI光波导的埋层和包层的厚度,使制作出的调制器有良好的综合性能.调制器调制深度为91%,功耗为0.35W,调制速度约为27μs.减小多模干涉耦合器的设计误差和提高刻蚀均匀性可以改善调制器的性能.     

SOI热光调制器

设计和制作了多模干涉马赫曾德型热光调制器.通过合理选择SOI光波导的埋层和包层的厚度,使制作出的调制器有良好的综合性能.调制器调制深度为91% ,功耗为0 .35 W,调制速度约为2 7μs.减小多模干涉耦合器的设计误差和提高刻蚀均匀性可以改善调制器的性能     

离散谱折射率法优化设计MMI型光功分器

采用离散谱折射率法直接对三维脊形自镜像效应(SIE)多模波导的模式特性进行具体分析,并根据模式传播常数偏差分布情况,引入了SIE多模波导长度微小变量用以抵消或部分减弱由各阶模式传播常数偏差引起的相位偏差,设计了一种低自镜像损耗、高均匀度、几乎与偏振无关及深刻蚀SIE多模波导结构的多模干涉(MMI)光功分器。如1×16MMI光功分器TE模的自镜像损耗为0.0451dB,均匀度0.0309dB;对TE模的自镜像损耗为0.0455dB,均匀度为0.0311dB。     

4×4热光SOI波导开关阵列

设计并制作了阻塞型和完全无阻塞型4×4热光SOI(silicon-on-insulator)波导开关阵列。开关单元采用了多模干涉耦合器(MMI)-MZI(Mach-Zehnder interferometer)结构的2×2光开关。阻塞型光开关附加损耗为4.8～5.4dB,串扰为-21.8dB～-14.5dB。完全无阻塞型光开关阵列附加损耗为6.6～9.6dB,串扰为-25.8～-16.8dB。两者的消光比都在17～25dB内变化,开关单元功耗小于230mW。器件的开关时间小于3μs。功耗和开关速度都明显优于SiO2基和聚合物基的开关阵列。     

4×4区域调制多模干涉耦合器SOI光波导开关的设计

根据区域调制多模干涉耦合器光开关的工作原理,以2×2区域调制多模干涉光开关为基础,采用级联的方式设计了4×4区域调制多模干涉SOI光波导开关.用有限差分二维BPM方法模拟了器件在不同工作状态下的光场传输情况.器件工作波长为1.55μm,在不计耦合损耗时器件的平均插入损耗小于2.0dB/cm.     

基于SOI的2×2 MMI耦合器的设计

设计了一种可用于阵列波导光栅(AWG)解调集成微系统的绝缘体上硅(SOI)基2×2多模干涉(MMI)耦合器,用光束传播法(BPM)对MMI耦合器进行了模拟。耦合器输入/输出波导采用倒锥形,多模干涉区尺寸为6μm×57μm。在TE偏振中心波长为1.55μm时,器件附加损耗为0.46dB,不均匀性为0.06dB。在1.49～1.59μm波长范围内耦合器的附加损耗小于1.55dB。仿真结果表明所设计的2×2MMI耦合器体积小、附加损耗低、波长响应范围宽、分光均匀,符合片上集成系统的要求。     

金属簇合物cis-Cp*2MO2S4Cu2I2.(CH2CI2)2/CH2CI2

应用脉宽为4.5 ns,波长为532 nm的激光脉冲,用Z-扫描方法研究了金属簇合物cis-Cp*2Mo2S4Cu2I2.(CH2CI2)2/CH2CI2溶液的非线性特性.研究结果表明非线性折射主要来源于三阶光学非线性折射和非线性吸收引起的瞬态热致非线性折射.     

速度与激情2

2001年推出的《速度与激情》是当年票房的黑马,时尚跑车、帅哥美女、快节奏的剧情,赢得了众多年轻观众,也捧红了猛男范·迪赛     

双层锰酸盐La2-2x（Ca，Sr）1＋2xMn2O7系统中的电荷有序化研究

本文系统地分析了双层锰酸盐La2-2xCa1 2xMn2O7(0．5≤x≤1．0)与La2-2xSr1 2xMn2O7(0．45≤x≤0．60)的结构及物理性质。低温下，在0．6≤x≤0．75的样品中La2-2xCa1 2xMn2O7系统显示出电荷轨道有序化。温度低于160K时，在x=0．6的材料中观察到了因电荷有序态和铁磁态互相竞争而导致的微观     

Iodine-atom laser emission in 2-2-2 trifluoroethyliodide

Lasing at 1.3 μ upon flash photolysis of 2-2-2 tri-fluoroethyliodide, CF3CH2I, has been observed on the²P_{1/2}-²P_{3/2}magnetic dipole allowed transition of atomic iodine. Using an 800-J flash, a maximum peak power output of approximately 108 W for 10-μs duration at half-maximum intensity was obtained with a pressure of 17 torr CF3CH2I.     

环 F2＋ uF2＋ u2 F2上的常循环码

常循环码是一类重要的纠错码,本文基于（xn －1）在 F2[x]上的分解,探讨了环 R＝ F2＋ uF2＋ u2 F2上任意长度的（1＋λu）常循环码的极小生成元集（λ为R上的单位）。通过分析该环上循环码和常循环码的置换等价性,得到了该环上码长为奇数及码长 N≡2（mod 4）时（1＋ u2）常循环码的生成多项式和极小生成元集。     

SiO2-Al2O3-PbF2-ZnF2-ErF3玻璃陶瓷的显微结构

氟氧化物玻璃陶瓷综合了传统激光晶体和激光玻璃的优点，是近年来激光材料研究的新热点。我们制备了掺杂Er离子的SiO2-Al2O3-PbF2-ZnF2玻璃陶瓷材料，并对其显微结构进行了初步研究。     

Engineered flux-pinning centers in Bi2Sr2CaCu2Ox and TIBa2Ca2Cu3Ox superconductors

Three methods were used to introduce flux-pinning centers into Bi₂Sr₂CaCu₂O_x (Bi-2212) and TlBa₂Ca₂Cu₃O_x (Tl-1223) samples. It was found that carbon induced local decomposition, that nanosized Al₂O₃ additions created stable reaction products, and that second phases could be isolated in Tl-1223 during synthesis. Each of these defects enhanced flux pinning and was of most benefit at temperatures ≤ 35K.     

Reactive sintering of Bi2Sr2CaCu2Ox superconductors

Three phase assemblages were used to produce Bi₂Sr₂CaCu₂O_x (2212) during sintering: a mixture of 20% Ca-rich 2212+80%2212, partially synthesized 2212, and Bi₂Sr₂CuO_x (2201)+(1/2 Ca₂ CuO₃+1/2 CuO) (denoted 0011). The mixture of 2201+0011 produced highly pure 2212 within 50 h of heating in air at ≈850°C. Ag tubes were filled with a mixture of 2201+0011 and worked into tapes by a powder-in-tube process. Heat treatments produced microstructures consisting of small, highly textured 2212 grains. T_c values were ≈70K. Transport J_c values at 4.2K were ≈10⁴ A/cm².