拉伸纳米掺杂三层复合PI薄膜的介电性能

对部分亚胺化的纳米Al/Si掺杂三层复合聚酰胺酸薄膜进行拉伸处理(拉伸比为:横向5%,纵向2.5%),然后经高温闭环,制得一系列不同厚度的拉伸和未拉伸三层复合PI薄膜.在相同的环境条件下测试电导电流、介电谱和耐电晕老化寿命,研究掺杂层厚度和拉伸比例对复合薄膜介电性能的影响.结果表明:对于未拉伸的薄膜,随着掺杂层厚度的增加,电老化阈值略有下降、耐电晕寿命明显的提高;在相同场强下,电导电流随着掺杂层厚度的增加而增大.对于相同厚度的薄膜,拉伸也会使电导电流增大、电老化阈值略有减小,拉伸也使得耐电晕寿命明显的提高.在本实验范围内,拉伸对复合薄膜介电性能的影响,类似于增加掺杂层厚度的作用.     

La掺杂BaTi_2O_5薄膜的制备及性能

采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上成功制备了不同摩尔分数La掺杂BaTi2O5薄膜。研究了不同La掺量的BaTi2O5(Ba1-xLaxTi2O5)薄膜的物相组成、介电性能和铁电性能。XRD分析结果表明,采用溶胶-凝胶法经过850℃退火制备的Ba1-xLaxTi2O5(0≤x≤0.01)薄膜样品结晶较好,无杂相出现。La掺杂提高了薄膜的介电性能和铁电性能,当掺杂量0.004≤x≤0.008,测试频率为1MHz时,薄膜的介电常数约为630;当x=0.004时,掺La的BaTi2O5薄膜的剩余极化值最大,2Pr=2.1μC/cm2。     

BT/PANI/PVDF复合材料的制备及介电性能

为提高电介质材料的介电性能,采用原位聚合的方法制备了BT/PANI复合功能体,以其为功能相,制备了BT/PANI/PVDF三相复合材料.采用红外光谱法和X射线衍射法对BT/PANI复合功能体的结构进行了表征,采用扫描电子显微镜和阻抗分析仪对BT/PANI/PVDF三相复合材料的微观形貌和介电性能进行了表征.分析了BT/PANI/PVDF体系中的极化方式,并以此为基础,对介电性能随频率的变化规律进行了解释.结果表明:在BT/PANI/PVDF三相复合体系中,功能相BT/PANI被均匀包覆在聚合物基体中,得到了介电性能较好的BT/PANI/PVDF三相复合材料.     

组分对PI/TiO_2纳米复合薄膜电学性能的影响

采用原位聚合法制备聚酰亚胺/二氧化钛(PI/TiO2)纳米复合薄膜.利用扫描电镜、X射线衍射仪对复合薄膜进行表征及结构分析,研究无机组分对复合薄膜电学性能的影响.结果表明,TiO2颗粒与PI基体相容性好、分布较均匀.随着无机组分的增加(0~7%),复合薄膜的击穿场强先升高后降低,在1%组分处达到最大值240 kV/mm;复合薄膜的耐电晕寿命持续增加;介电常数先降低后升高,在3%组分处达到最小值3.11,在7%组分处为3.49;电导率与介电损耗随组分变化不大,在102Hz频率下,薄膜电导率均小于6.0×1013S/cm;聚酰亚胺/二氧化钛纳米复合薄膜具有良好的介电性能与热稳定性.     

溶胶-凝胶法制备PbTiO3薄膜的研究

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备了PbTiO3(PT)铁电薄膜,对薄膜的形貌、结晶等性能进行了表征,对铁电薄膜材料的介电、铁电、热释电性能进行了研究分析.     

掺杂剂对聚苯胺/棉复合吸波材料的介电性能研究

探讨了掺杂剂对聚苯胺/棉复合吸波材料介电性能的影响。对聚苯胺/棉复合吸波材料进行了红外光谱、扫描电镜等测试,研究了其强力、吸湿速率、牢度等服用性能。结果表明:掺杂剂对聚苯胺/棉复合吸波材料的介电性能,表面电阻影响较大;聚苯胺/棉复合材料既具备良好的吸波性能,又具有良好的润湿性、强力、牢度。     

PAA短链处理纳米粒子改性PI薄膜的介电性能

制备理论平均聚合度不同的聚酰胺酸短链分子用来处理纳米粒子,把经过处理的纳米分散液与高聚合度聚酰胺酸溶液纳米掺杂,再用流延法制得改性的纳米复合聚酰亚胺薄膜.通过介电谱、电导电流和耐电晕测试,研究不同聚合度聚酰胺酸短链分子处理纳米粒子对PI薄膜介电性能的影响.结果表明:随着聚酰胺酸短链分子理论平均聚合度的增加,复合薄膜介电系数逐渐增大,介电损耗逐渐变小,电老化阈值逐渐增大.在试验调整范围内,复合薄膜的耐电晕寿命随着聚酰胺酸短链分子理论平均聚合度的增加逐渐减小,但是变化幅度不太大,且均高于未用聚酰胺酸短链分子处理的薄膜.     

三层复合PI薄膜厚度比对其介电性能影响

利用微乳化-热液法制备纳米分散液,制备了掺杂层与中间纯聚酰亚胺（PI）层厚度比不同的三层复合薄膜.在相同环境条件下通过透射电镜（TEM）、击穿场强和耐电晕测试分别对三层复合薄膜的微观结构和纳米掺杂层厚度比例的变化与介电性能的影响进行了分析.TEM测试结果表明纳米粒子在有机基体中的分散均匀;介电强度测试和耐电晕测试表明随掺杂层厚度比例的增加,击穿场强逐渐下降,耐电晕性能呈先上升后下降趋势.     

(1-x)SrZnP_2O_7-xSr_2P_2O_7(0.2≤x≤0.8)陶瓷微波介电性能研究!

采用固相反应法制备了复相体系(1-x)SrZnP2O7-xSr2P2O7陶瓷,研究了该体系的相组成、晶体结构对微波介电性能的影响。研究结果表明,在比例系数x从0.2到0.8的范围内所获得的材料只含有SrZnP2O7和Sr2P2O7两种晶体相,并且当烧结温度合适时所有复相比例的材料均可获得较高的烧结密度。烧结温度的升高会使材料的相对密度和介电常数均有所上升;而随着x值的增大,体系中的Sr2P2O7相含量也逐渐升高,在同样的烧结温度下则伴随着品质因子Q×f值的下降和频率温度系数τf值的上升。在复合比x=0.6时,上述材料具有较优良的微波介电性能:ε=7.44,Q×f=10200GHz,τf=-28.6×10-6/℃。上述结果表明,复合Sr2P2O7相可以有效地使SrZnP2O7材料的负的频率温度系数τf值得到补偿。     

化学气相沉积金刚石薄膜的介电性能研究

目的研究CVD金刚石薄膜的介电性能．方法采用直流电弧等离子体CVD制备金刚石薄膜,测定其结构和介电性能（频率与电导、介电常数及损耗因子的关系）．结果CVD金刚石薄膜的介电性能主要取决于样品的多晶性质,以及表面和晶界处的非金刚石相和杂质成分．在500℃下对样品进行退火可以除去其中的大部分非晶石墨相,但不能去除所有的非晶石墨相和杂质．结论CVD金刚石薄膜如果要在电子器件上获得应用,在样品的制备和后处理方面还有许多工作要做．