焊接领域发展的新动向——太阳能应用中的焊接及表面工程

阐述了太阳能工业应用的简况,重点介绍了各太阳能电池和太阳能集热器及供热装置中的焊接及表面工程技术,包括:硅太阳能电池的生产链、太阳能电池生产工艺、薄膜太阳能电池、聚光光伏太阳能电池、太阳能集热器及供热装置中的焊接及表面工程技术,最后讨论了几种用于太阳能焊接的可能性。     

中国太阳能薄膜电池开始参与全球角逐

正近年薄膜太阳能电池发展迅速,以铜铟镓硒(CIGS)和碲化镉(CdTe)为代表的薄膜太阳能电池的发展速度最为突出,特别是美国、日本、德国等,长期保持着技术优势,但随着我国国内企业的不断发展,国产率水平的不断提高,我国自主研发生产的薄膜太阳能电池逐渐实现赶超。21世纪初之前,太阳能电池主要以硅系太阳能电池为主,超过89%的光伏市场由硅系列太阳能电池所占领,但自2003年以来,晶体硅太阳能电池的主要原料多晶硅价格快速上涨,因此,     

Fe—Si系热电材料

作为硅化物系半导体有FeSi2、Mg2Si、CrSi2、MnSi-1.73等，它们在500K以上的高温下具有较大的塞贝克（Seebeck）温差电动势系数和导电性，因而自20世纪60年代作为废热发电用材料而得到广泛研究。通常，在硅半导体领域用于太阳能电池时要求使用7N，用于大规模集成电路器件时则要求11N的超高纯度硅原料。     

太阳能电池用多晶硅铸造技术研究进展

高性价比优势使多晶硅成为光伏市场的主要材料.随着太阳能电池向低成本化方向的发展,太阳能电池用多晶硅铸造技术的研究与开发有着重要的意义.综述了目前太阳能电池用多晶硅锭、多晶硅带和多晶硅薄膜的铸造技术的起源、原理、优点和缺点,以及采用不同铸造方法制备的硅组织特点,评述了新的太阳能电池用多晶硅的铸造方法,展望了新的铸造太阳能级多晶硅新技术.     

杜邦研发出新型利用太阳能设备

DuPontWilmingtonDel发布一组利用科学成就研发的光伏新结构,旨在于提高太阳能模件效率和寿命、降低全套系统投资、以使太阳能发电成本低于其它任何发电方式。DuPont在光伏电池上的创新点是晶体硅、太阳能电池薄膜和模件的关键成套技术,其中包括薄膜、树脂、密封板、光伏电池的金属喷涂以及制造太阳能电池的高度密封、半导体结构和金属钠湿润（wet．tech）添加剂。     

GaAs/Ge太阳能电池用锗单晶的研究新进展

硅太阳能电池由于光电转换效率低和温度特性差等因素,最近几十年其在聚光光伏技术中并没有得到更大的发展,而砷化镓及相关Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳能电池因其高光电转换效率而越来越受到关注,尤其是用于空间电源。目前国内外对太阳能电池的的研究主要集中在以锗晶片作基板的多结高效GaAs/Ge太阳能电池上,本文主要介绍了GaAs/Ge太阳能电池用锗单晶目前国内外的研究新进展,并对高效率太阳能电池用锗晶片的发展进行了展望。     

冶金法制备太阳能级硅的原理及研究进展

随着光伏市场需求不断增加,满足光伏电池技术经济指标要求的硅材料出现严重短缺,低成本提纯冶金硅至太阳能级硅工艺技术越来越受到广泛重视,成为研究开发热点.本文分析了全球光伏产业的发展现状和趋势,对目前获得太阳能级多晶硅的化学路径和冶金路径进行了对比分析;重点介绍了冶金法制备太阳能级硅的工艺原理,以及目前常用的提纯技术;同时,简单介绍低成本生产太阳能级多晶硅的新工艺,并指出了冶金法可能是今后提纯多晶硅的主要研究方向.     

世界第一例铜电镀硅异质结太阳能电池诞生

第21届国际光伏科学与工程会议于2011年11月28日至12月2日在日本福冈召开。日本钟渊（Kaneka）和比利时徽电子研究中心（IMEC）在会中展示了非银浆硅基异质结太阳能电池。Kaneka在IMEC现有铜电镀技术的基础上，通过应用此技术成功研发出高效铜电镀硅基异质结太阳能电池。     

硅太阳能电池用铝浆的现状和发展趋势

硅太阳能电池是一种无污染、供量大的产品,它通过光电变换从太阳能获得电能,广泛应用于各种照明及发电系统中。文章介绍了对硅太阳能电池转换效率有重要影响的硅太阳能电池用铝浆的组成、作用及制备方法,着重阐述了硅太阳能电池用铝浆的现状和发展趋势。     

金属氧化物纳米粒子的合成

<正>日本大阪大学产业科学研究所真岛哲朗研究小组采用组合法,将呈现能有效分离电荷的p-型和n-型半导体特性的金属氧化物纳米粒子合成为纳米级结晶构造体(meso晶体)。由于只采用一个工序,合成时间减半,可以大规模生产,未来对提高产氢的光催化剂和太阳能电池等工业的能源转换器件效率起很大作用。该     

单晶硅太阳能电池硅与电极间的欧姆接触

通过样品横断面金相观察,TG－DTA及X－射线衍射分析,证明单晶硅与银浆、铝浆（银铝浆）在烧结过程中形成合金,消除硅与电极间的肖特基势垒,使电极与硅形成欧姆接触。     

太阳能级硅制备新工艺研究进展

本文总结了当前国内外多晶硅的几种生产工艺，以及目前国内外多晶硅生产的最新研究和发展趋势。指出了目前多晶硅发展过程中所存在的问题，并结合自己的工作提出了今后多晶硅发展的新思路。     

EDM texturing of multicrystalline silicon wafer and EFG ribbon for solar cell application

This paper presents a novel electrical discharge machining (EDM) texturing method for roughening mc-Si wafers and EFG ribbons for solar cell application. Experiments were carried out on an EDM die-sinker using a specially designed conductive and soft magnetic brush to texture the workpiece. The textured substrates were investigated and analysed using scanning electron microscope, and solar cells were made on textured samples to evaluate the effect of this method. Preliminary experimental results show that the throughput of this method can be over 1000 mm² minute with a brush of 100 mm diameter. Solar cells made on textured substrates give reasonable output.     

基于时频域混合分析的太阳能硅片缺陷检测方法

针对太阳能硅片的水印缺陷,提出一种基于时频域混合分析的检测方法。在此基础上,设计太阳能硅片表面缺陷检测硬件系统。对采集的硅片图像,首先在时域进行图像预处理,然后利用实数快速傅里叶变换得到频率谱图像;在频域里,设计高斯滤波器滤波,再通过傅里叶逆变换获得重构图像,转换到时域,进行差分得到差分图像;最后通过阈值化和形态学操作获得缺陷区域。实验结果表明:此方法对包含水印缺陷的太阳能硅片样本进行缺陷检测的准确率高,具有较高的实用价值。     

新型高性能高速烧嘴护套的研制

本文介绍了新型高性能高速烧嘴护套所用的材料－Ｓｉ３Ｎ４结合ＳｉＣ的特性，根据实验确定了工艺路线。在简介氮化烧成机理的基础上，对试验结果及现场使用情况进行了分析。作为替代进口产品，具有良好的推广应用价值。     

冶金硅定向凝固法制备太阳能级多晶硅及其微观组织与位错(英文)

以冶金硅为原料,探索采用具有高温度梯度的真空定向凝固技术制备低成本太阳能级多晶硅,并研究其在不同生长条件下的微观组织特征、晶界与晶粒大小、固液界面形貌以及位错结构。结果表明,当凝固速率低于60μm/s时,能获得具有高密度和良好取向的定向凝固多晶硅棒状试样,硅晶粒大小随凝固速率的增大而减小;在控制凝固过程,获得平的固液界面形貌是获得沿凝固方向排列柱状晶的关键;由于硅的小平面生长特性,微观组织中出现了位错生长台阶和孪晶结构;在晶粒中,位错分布呈现不均匀性,并且位错密度随凝固速率的增加而增加;在此基础上,讨论了多晶硅的生长行为以及位错形成机制。     

高强度多孔氮化硅陶瓷的制备与研究

以氮化硅为基体，通过加入一定量的纳米碳粉等添加剂，成功的制备出了具有高强度和较高气孔率的氮化硅多孔陶瓷。采用阿摹米得法、一点弯曲法测试了材料的密度、气孔率及强度；用X射线衍射仪及扫描电镜对相组成及断口进行了研究。实验结果表明：加入的纳米碳粉同在Si3N4表面的SiO2或者同Si3N4颗粒本身反应，生成了极细的SiC颗粒，钉扎在β型氮化硅的晶界，可以有效的增加材料的强度。在含碳量为5％(质量分数)，1780℃下保温60min，可以制得强度大于100MPa，气孔率大于40％的氮化硅多孔陶瓷。     

Correlations of Photoluminescence and Size Evolution of Si Quantum Dots in Amorphous Silicon Carbide

通过磁控溅射技术和1100 ℃的高温后续退火处理,在富硅碳化硅中形成高密度、小尺寸的硅量子点。其微结构和光学特性由高分辨电镜和光致发光技术进行表征。结合斯托克斯偏移和高分辨电镜分析表明,由非晶碳化硅包覆的硅量子点存在α-Si、c-Si两种结构,并呈现多带隙特征,子带隙分布范围从2.3到3.5 eV,出现紫外光到绿光的光致发光特征峰;发现此特征的硅量子点尺寸分布在~1.0~4.0 nm;通过改变薄膜中的Si和C原子比例,以及改变退火参数可进一步优化和控制硅量子点的微结构