激光作用下GeS2非晶半导体薄膜的性能及结构变化

采用514.5nm波长的氩离子激光器，结合X射线衍射分析（XRD）、红外光谱分析（IR）、扫描电镜分析（SEM）和透射光谱分析，研究了GeS2非晶半导体薄膜在激光辐照后的性能及结构变化。实验结果发现，经热处理和激光辐照后，薄膜的光学吸收边均移向短波长处，并且随着辐照激光强度和辐照时间的增加而增加，这种平移在退火薄膜中是可逆的。SEM结果分析表明，薄膜在激光辐照后有晶相出现，且随着辐照激光强度的增加，晶相更多。     

激光作用下GeS2非晶半导体薄膜的性能及结构变化

采用514.5石nm波长的氩离子激光器,结合X射线衍射分析（XRD）、红外光谱分析（IR）、扫描电镜分析（SEM）和透射光谱分析,研究了GeS₂非晶半导体薄膜在激光辐照后的性能及结构变化.实验结果发现,经热处理和激光辐照后,薄膜的光学吸收边均移向短波长处,并且随着辐照激光强度和辐照时间的增加而增加,这种平移在退火薄膜中是可逆的.SEM结果分析表明,薄膜在激光辐照后有晶相出现,且随着辐照激光强度的增加,晶相更多.     

γ射线辐照对类金刚石薄膜结构与特性的影响

用射频等离子体方法在玻璃基底上制备了类金刚石薄膜。分析了γ射线辐照类金刚石薄膜（以下简称ＤＬＣ薄膜）的结构与特性改变。采用Ｒａｍａｎ及红外光谱进行结构分析表明：随辐照剂量的增加，在膜中出现ＳＰ３Ｃ—Ｈ及 ＳＰ２Ｃ—Ｈ 键的断裂与减少，ＳＰ３Ｃ—Ｃ键的略微增加．当辐照剂量达 １０ ×１０４Ｇｙ时，ＳＰ３Ｃ—Ｈ键减少约５０％，与此同时，出现膜中氢的重新键合，并从中释出。γ射线辐照使ＤＬＣ薄膜的电阻率呈上升趋势，膜的类金刚石特征更加明显，结构得到改善。本文对γ射线对ＤＬＣ薄膜的辐照机制进行了简要的讨论。     

500 keV质子辐照对氧化石墨烯薄膜材料的影响研究

新兴的二维石墨烯材料因其优异的导电、导热性、力学性能等,是目前各领域研究的热点。本工作利用地面模拟设备研究了PET基底上氧化石墨烯薄膜材料的质子辐射效应。分别对500 keV质子辐照前后的氧化石墨烯薄膜材料进行了XPS、Raman以及XRD分析,得到了质子辐照对材料表面化学组成、结构以及辐射缺陷的影响。结果表明,在质子辐照注量达到2×10~(15)/cm~2时,材料表面发生了明显变化,薄膜颜色由棕黄色变为了黑色,主要是因为材料在质子辐照作用下发生了脱氧行为,使得材料中的含氧基团减少。XPS测试结果表明,随着辐照注量的增加,材料中的碳氧原子比不断增大。Raman测试结果表明,辐照后不仅使得材料中的缺陷增多,而且材料结构也发生了严重的无序化转变。     

工业铯钟速率变化主要因素的探讨

上海天文台（ＳＯ）原子时实验室的４台工业铯钟１９８３～１９９０年连续工作了４或７年，它们的速率的长期变化与钟房的环境参数和性能参数的变化有关。本文根据有关数据，用不同的方法进行了分析，得到了一些明晰的结果。１）钟的速率变化受湿度的季节性变化影响：在相对湿度变化１％时，Ｃｓ２（１２６７）和Ｃｓ４（１４５７４）的速率变化分别为１．８９５ｕｓ／ｄ（２．２×１０－１４）和０．６１８ｎｓ／ｄ（７．１×１０－１５）。ＳＯ的原子钟房的相对湿度的年变化为２０％～８５％，引起这两台钟的速率年变化分别为１．４３×１０－１２和４．６５×１０－１４２）钟的速率变化受钟的离子泵电流参数的线性变化（从钟束管寿命的中期开始）影响：在离子泵电流参数变化１μＡ时，Ｃｓ３（１６１８０）和Ｃｓｌ（１２９９７）的速率变化分别为０．４３９ｎｓ／ａ（５．０８×１０－１５）和０．５５２ｎｓ／ａ（６．３９×１０－１５）。这两台钟的离子系电流参数的年变化分别为１６．４７μＡ／ａ和６．５３μＡ／ａ，引起的频率漂移率分别为１．６７×１０－１３／ａ（０．０３９５ｎｓ／ｄ２）和８．３×１０１４／ａ（０．０１９７ｎｓ／ｄ２）     

氩等离子体预处理对纳米结构银非织造布抗菌性能的影响

采用磁控溅射技术，在丙纶非织造布（PP）基材表面沉积厚度为0．5-3nm的纳米结构银薄膜，重点研究了PP基材经氩等离子体预处理前后对纳米结构银薄膜抗菌性能的影响。采用振荡烧瓶法测试样品的抗菌性能，利用原子力显微镜（AFM）观察氩等离子处理前后PP基材表面的形态变化，同时应用EDX对纳米结构银薄膜进行元素分布及定量分析。实验结果表明：在纳米结构银薄膜厚度相同的条件下，经氩等离子预处理的丙纶非织造布具有更好的抗菌性能；AFM分析表明，经氩等离子处理后的纤维表面有明显的刻蚀痕迹，纤维表面凹凸不平，形成很多微小的空隙，溅射出的银粒子不易团聚，活性增加，抗菌性能因此提高；而EDX结果分析表明，抗菌性能提高是由于经氩等离子处理后，银离子溶出总量增加的缘故。     

离子束辅助沉积制备的铁锆多层膜中的相演化

研究了用氩离子束辅助沉积（ＩＢＡＤ）技术制备的铁／锆多层膜中的微结构演化规律。实验中所使用的氩离子能量范围为４ｋｅＶ到１２ｋｅＶ,束流密度为１２μＡ／ｃｍ＾２。实验结果表明,用ＩＢＡＤ技术右在富锆端制备出完全非晶化的薄膜。对于Ｆｅ（０．５４ｎｍ）／Ｚｒ（４．５ｎｍ）多层膜,随Ａｒ离子能量的增加,在薄膜中还观察到晶态－非晶－亚稳ｆｃｃ相－非晶－晶态的结构转变。对于富铁合金膜,ＩＢＡＤ技术仅能制备部分非晶化的薄膜。     

中国直流电动势副基准的现状

中国计量科学研究院（ＮＩＭ）的直流电动势副基准经多次与国内外约瑟夫森电压标准比对表明，七年中最大累积变化约为０．２１×１０－６，平均每年变化仅０．０３ｕＶ．从１９９５年１月１日起改值０．２０×１０－６后，可与国际电压值在３×１０－８误差范围内保持一致．     

以高岭石和NaTi2（PO4）3为基的钠快离子导体

本文以高岭石为起始原料、以ＮａＴｉ２（ＰＯ４）３为母体结构，通过高温固相反应合成快离子导体Ｎａ１＋２ｘＡｌｘＴｉ２－ｘＳｉｘＰ３－ｘＯ１２系统，并研究了此系统的相组成、结构和电性能．大多数合成反应在１０７３～１２２３Ｋ下完成．在。ｘ＜０．６的组成范围内可形成具有ＮＡＳＩＣＯＮ结构、空间群为Ｃ２／ｃ的固溶体·ｘ射线粉末衍射分析表明随。的增大，系统各合成物的晶胞参数增大．ｘ＝０．４的合成物具有最好的离子电导率，６７３Ｋ时达３．００×１０－３Ｓ／ｃｍ，而激活能为３６．０２ｋＪ／ｍｏｌ．     

多层气敏薄膜表面吸附及界面扩散的研究

制备了ＳｎＯ３／ＺｎＯ及ＺｎＯ／ＳｎＯ３多层结构的气敏薄膜，用能谱结合氩离子刻蚀的方法及Ｘ射线衍射法，对薄膜的表面吸附。膜间的相互与组成等进行了研究，结果表明：薄膜表面存在少量的吸附多层膜中锌的扩散远比锡一个模型，对吸附现象作了初步的解释，讨论了造成锌锡扩散的原因。     

RF反应溅射条件对ZnO透明导电薄膜的影响

ＺｎＯ薄膜是具有多种特性的功能薄膜。采用ＲＦ磁控反应溅射的方法可制备出较高质量的ＺｎＯ透明导电薄膜。该薄膜的电阻率为７．５×１０－３Ωｃｍ；可见光透射率约为８５％；载流子浓度为５．７×１０１９ｃｍ－３；霍尔迁移率为５．９９ｃｍ２／ｖ·ｓ。影响ＺｎＯ透明导电薄膜性能的因素很多，但是溅射用的靶体材料，反应溅射时的温度控制以及反应的氧气氛的控制尤为重要，实验表明使用掺有３．０ｗｔ％Ａｌ２Ｏ３的ＺｎＯ靶，基片温度控制在３００℃，氧氩比为１∶１０能制备出性能比较好的透明导电薄膜。本文对这三方面的影响进行实验并讨论了有关结果。     

交替马来酸酐共聚物多缩乙二醇酯盐络合物的离子传导性（Ⅱ）

深入研究了交替马来酸酐共聚物多缩乙二醇酯（ＢＭ３５０）－ＬｉＣＦ２ＳＯ３两种碱金属盐络合物的离子传导性能。实验结果表明，室温电导率最大可达５．０８×１０~（－５）Ｓ·ｃｍ~（－１）。络合物的玻璃化转变温度随盐含量的增加而上升。电导率随盐浓度的变化而出现一极大值。电导率均随温度升高而增加。络合物的导电行为符合ＶＴＦ方程。高弹态中分子链热运动是离子传输的动力。     

新型玻璃膨胀法真空标准装置

本文介绍了一种量程较宽的真空标准装置。 ６．７ × １０－３～１．３ × １０２Ｐａ范围采用一级膨胀法．１．３ × １０２～３．７ × １０３Ｐａ范围采用与Ｕ型压力计直接比对．叙述了装置的原理、结构、定量传递阀的设计和隔断阀的选择。此外，还介绍了油柱高度．校准室和定量传递阀容积的测定方法。 经过对装置参数的测量和误差分析，以及分别用ＦＢ－１型标准电离规和电容薄膜规作为参考规，前后用本装置与麦氏计和高真空膨胀法装置比对，本装置在 ６．３ × １０－３～３．７ × １０３Ｐａ范围的综合不确定度不大于±３％。 本装置为一等真空标准装置，可用于对低真空和中真空规进行检定和测试．     

低能离子束表面改性对聚碳酸酯（PC）润湿性能的影响

本文利用氩氧混合低能离子束对双酚A型聚碳酸酯（PC）透明材料进行表面改性,主要研究了改性前后表面润湿性的变化。结果表明,改性后的PC表面润湿性能得到了明显的改善,经XPS分析发现,改性后的PC表面生成了大量的含氧极性基团,使得表面含氧量有了很大的提高。原子力显微镜（AFM）的测试结果表明,改性后的PC表面粗糙度先减小后增大。     

300KeV氩离子辐照非晶态合金两代表面发泡形成

室温下，用３００ＫｅＶ氩离子辐照了非晶态合金Ｆｅ４０Ｎｉ４０Ｐ１２Ｂ８、Ｆｅ４０Ｎｉ４０Ｓｉ１２Ｂ８、Ｆｅ３９Ｎｉ３９Ｖ２Ｓｉ１２Ｂ８和Ｆｅ３９Ｎｉ３９Ｍｏ２Ｓｉ１２Ｂ３，研究了表面形貌随剂量的演变。在所研究的１．０×１０＾１７到５．０×１０＾１７离子／ｃｍ＾２的剂量范围，表面形貌以发泡形貌为主，并观测到了两代表面发泡的形成，第二代表面发泡的直径与第一代发泡相比，明显减小。油射自始至终影响着表面形     

Kapton/Al薄膜的电子辐照损伤

使用空间综合辐照设备对Kapton/Al薄膜进行了电子辐照的地面模拟实验,研究了Kapton薄膜的表面形貌、光学性能变化和辐照损伤机制.结果表明,辐照使Kapton薄膜表面发生了明显的充放电效应;在500-1000 nm波长区间光谱反射系数明显降低,太阳吸收比随着电子辐照剂量的增加而增高;在辐照过程中Kapton薄膜发生酰亚胺基团的破坏、羰基和桥氧键的断裂以及O在N 逸出空位处的替换,并有较复杂的新结构生成.     

含羧基的聚丙烯胺肟螯合纤维的辐射合成及吸附性能研究

利用一次辐照接枝和胺肟化反应合成了含羧基的聚丙烯胺肟（ＰＰＡＯ－ＡＡ）螯合纤维。研究了影响接枝率，胺肟基团含量和吸附容量的因素，结果表明，接枝率随预辐照剂量的增加而增加，单体摩尔比为１时，接枝率最高，在ｐＨ＝５时，对Ｃｕ（ＩＩ）离子的吸附容量达０．８４ｍｍｏｌ／ｇ干纤维。     

VO2薄膜γ辐照过程的变价和退火现象

对VO2薄膜进行不同剂量的γ辐照处理，利用SEM和XPS对辐照前后的薄膜进行分析，发现γ辐照诱导V离子出现不同价态之间的转变现象，并且价态变化的程度和方向与辐照剂量有关；较低剂量γ辐照在薄膜表面造成显著损伤，当辐照剂理增大时，γ辐照在VO2薄膜中产生退火效应，使薄膜表面质量得到改善。辐照后的VO2薄膜光透射特性测试结果与上述结论相合，对辐照诱导的价态变化和退火效应的机理进行了讨论。     

He~+辐照对非晶碳氢薄膜表面硬度的影响

在室温下,利用等离子体增强的化学气相沉积法(PECVD)在硅衬底上制备了非晶碳氢薄膜。采用100keV,剂量分别为1.0×1015、5.0×1015、5.0×1016和1.0×1017ions/cm2的He离子(He+)对非晶碳氢薄膜进行辐照实验。通过基于原子力显微镜(AFM)的纳米压痕和纳米划痕技术,对He+辐照前后碳氢薄膜的表面硬度进行分析。结果表明,经He+辐照后碳氢薄膜的表面硬度明显增加,并且随着He+辐照剂量增加,碳氢薄膜的表面硬度呈逐渐增加的趋势。傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和拉曼光谱分析表明,He+辐照会导致碳氢薄膜中sp2C键含量明显增加,而sp3C键及H原子的含量明显降低,这可能是引起碳氢薄膜硬度变化的主要原因。     

高分子薄膜等离子体表面改性的研究

本文采用不同的等离子体改性Ｐｉ、ＰＥＴ、ＰＰ薄膜，发现经处理的薄膜的表面电阻（Ｒｓ）降低了２￣４个数量级，材料的介电损耗（ｔｇｏ）和介电常数（ε）也发生了变化。表面薄膜刻蚀深度随放电时间的延长而增加。红外分析证明在薄膜表明结构中引入了极性基团。