NEC为1G DRAM开发最小的存储单元

ＮＥＣ为１ＧＤＲＡＭ开发最小的存储单元日本ＮＥＣ公司已为１ＧｂＤＲＡＭ开发了世界上最小的ＤＲＡＭ存储单元─０．３７５μｍ２。这种单元与在ＩＳＳＣＣ９５＇上宣布的用在１ＧｂＤＲＡＭ样品的单元有所不同，这种０．３７５μｍ２的单元技术包括对角开位线结构，相...     

NEC、日立在ISSCC上发表1GDRAM

ＮＥＣ、日立在ＩＳＳＣＣ上发表１ＧＤＲＡＭ据ＩＳＳＣＣ’９５的发表内容，ＮＥＣ、日立已经在世界上率先开发了１ＧＤＲＡＭ。ＮＥＣ开发的１ＧＤＲＡＭ的特点是，采用０．２μｍ电子束曝光技术和钽氧化膜低温（５００℃）工艺技术以０．２５μｍＣＭＯＳ工艺，存贮单...     

新品展馆

０．１７μｍ ＤＲＡＭ批量生产 三星电子设备有限公司准备批量生产第三代Ｒａｍｂｕｓ动态随机存取存储器芯片（ＲＤＲＡＭ）。ＲＤＲＡＭ使用０．１７μｍ设计规则，其电路尺寸仅为人发截面的１／６００。该公司生产的这种ＲＤＲＡＭ存储器容量有１２８Ｍｂ、１４４Ｍｂ和２８８Ｍｂ三种。安装在一个单一系统上的４块２８８Ｍｂ组件支持的存储器容量可高达２Ｇｂ。第三代０．１７μｍ设计规则的应用意味着在一块晶片上安装的芯片数要比采用第二代技术生产的多２５％。三星公司的下一代批量生产技术将使芯片尺寸缩小，并将缩短芯片内部信号…     

NEC推出新型256MDRAM

ＮＥＣ推出新型２５６ＭＤＲＡＭ日本ＮＥＣ公司在日本电子机械工业会主办的“电子’９３”展览会上展出新型２５６ＭＤＲＡＭ。产品最小加工尺寸０．２５μｍ，芯片面积１３．６×２４．５８ｍｍ，集成度５．５亿个元器件，存贮单元面积０．７２μｍ２，存贮单元容量３０...     

256Mb、1Gb DRAM发展动态

２５６Ｍｂ、１Ｇｂ　ＤＲＡＭ发展动态随着Ｇｂ级ＤＲＡＭ的问世，使存储器的发展又步入了一个新台阶。韩国三星采用０．２５μｍＣＭＯＳＩ艺制作的２５６ＭｂＤＲＡＭ，其驱动电压为２．２～２．４Ｖ，存取时间为４０ｕｓ。韩国现代电子已投资了１５亿美元在京矾道本部...     

栅长0．04μm的MOS晶体管

栅长０．０４μｍ的ＭＯＳ晶体管日本东芝公司研制成功世界上最小晶体管，栅长为０．０４μｍ。这种晶体管相当于１００Ｇ位以上的存贮器，适用于高速ＭＰＵ、高速、高频ＩＣ。该公司采用１．５Ｖ低电压、栅绝缘膜厚度０．００３μｍ、激态复合物曝光技术和固层扩散法等技...     

存取时间为50ns的64MDRAM

存取时间为５０ｎｓ的６４ＭＤＲＡＭ日本东芝、日立、三菱电机公司分别推出快速６４ＭＤＲＡＭ。东芝采用０．４μｍ工艺，存取时间５０～７０ｎｓ。日立采用０．３μｍ工艺，存取时间５０ｎｓ，电源电压１．５Ｖ．三菱电机采用０．３μｍ工艺，存取时间５０ｎｓ，电源电...     

LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙黄色发光二极管

利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ结构橙黄色发光二极管．引入厚层Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ电流扩展层和Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ－ＡｌＡｓ分布布拉格反射器（ＤＢＲ）．２０ｍＡ工作条件下，工作电压１．９Ｖ，发光波长峰值在６０５ｎｍ，峰值半宽为１８．３ｎｍ，管芯平均亮度达到２０ｍｃｄ，最大２９．４ｍｃｄ，透明封装成视角（２θ１／２）１５°的ＬＥＤ灯亮度达到１ｃｄ．     

东芝、IBM、西门子联合开发256MbDRAM

东芝、ＩＢＭ、西门子联合开发２５６ＭｂＤＲＡＭ据日本《ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ》１９９５年第８期报道，东芝、ＩＢＭ、西门子联合开发２５６ＭｂＤＲＡＭ。通过采用０．２５μｍＣＭＯＳ及单元阵列面积小型化技术，其芯片面积仅为２８５．５ｍｍ２。该...     

GaAs／AlGaAs光子平行存贮器的性能

本文报告用ＰｎｐＮ型ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ结构的光电双稳器件形成的光子平行存贮器单元器件和４×４阵列器件的特性．单元器件的最小维持功耗小于３０μＷ．使器件从“关闭”态翻转到“导通”态所需的光触发功率小于８０μＷ．单元面积１６０×１６０μｍ、间距４０μｍ的存贮器４×４原理性阵列已经研制成功，这是０．８５μｍ波长范围的光子平行存贮器的首次报道．     

X射线曝光技术

Ｘ射线曝光技术１．前言半导体电路的高集成化，在三年中以４倍的速度发展。存储元件的生产现在以４Ｍｂｉｔ的ＤＲＡＭ为中心，但也发表处于研究开发阶段的２５６Ｍｂｉｔ的ＤＲＡＭ制作成功的消息。图形的最小线宽，在２５６Ｍｂｉｔ时为０．２５μｎｍ，在１Ｇｂｉｔ时...     

一种采用先进水技术的模糊控制器VLSI结构

本文介绍了一种采用先进流水技术的模糊控制器（ＦＭＣ）的ＶＬＳＩ结构，该结构的虎采用了单指令流多数据流（ＳＩＭＤ）方式，以及多种先进的流水技术，包括：细分流水、流水的集中式动态调度、超级标量流水等，通过这些技术处理，使每条模糊运算指令平均所需时钟周期数（ＣＰＩ）＝０．５。基于硬件描述语言（ＶＨＤＬ）的模拟和综合结果表明，采用１．５μｍＣＭＯＳ工艺库，电路的规模约为２０Ｋ单元面积（内含２Ｋ ＲＭＡ），     

低压MOCVD外延生长InGaAsP／InP应变量子阱材料与器件应用

本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变量子阶材料，材料参数与外延条件的关系，量子阱器件的结构设计及其器件应用．用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于４００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值７～１２ｍＡ的１．３μｍ量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于６００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值９～１５ｍＡ的１．５５μｍ量子阶激光器以及高功率１．３μｍ量子阱发光二极管和ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器．     

用于1．2μmCMOS70MS／sADC阵列中的一种10位5MS／s逐次逼近ADC单元

用于１．２μｍＣＭＯＳ７０ＭＳ／ｓＡＤＣ阵列中的一种１０位５ＭＳ／ｓ逐次逼近ＡＤＣ单元＝Ａ１０－ｂｉｔ５ＭＳ／ｓｓｕｃｃｅｓｓｉｖｅａｐｐｒｏｘｉｍａｔｉｏｎＡＤＣｃｅｌｌｕｓｅｄｉｎａ７０ＭＳ／ｓＡＤＣａｒｒａｙｉｎ１．２μｍＣＭＯＳ［刊，英］／Ｙ...     

CMOS SRAM存储单元研究

阐述了采用１．０μｍ ＣＭＯＳ技术制作的２５６ｋ ＳＲＡＭ的存储单元。论述了存储单元的性能在ＣＭＯＳ ＳＲＡＭ中的重要性，分析了存储单元的工作原理，结构和主要参数性能。文章对几种类别的ＣＯＭＳ ＳＲＡＭ存储单元进行了分析比较，推测了技术发展趋势。     

低阈值0．98μm无铝应变量子阱InGaAs／InGaAsP／InGaP激光器

本文首次报道了在ＧａＡｓ衬底上采用新的双层ＩｎＧａＡｓＰ限制层和ＩｎＧａＰ光限制层工艺制作无铝应变云子阱Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ激光器。得到的宽条激光器的阈值电流密度低至５８Ａ／ｃｍ２，就作者所知，对用ＭＯＣＶＤ生长的０．９８μｍ激光器来说，该阈值电流密度是已有报道的最低值。     

AlGaAs／InGaAs功率PHEMT用异质材料的计算机优化与器件实验结果

借助一新的工艺模拟与异质器件模型用ＣＡＤ软件──ＰＯＳＥＳ（Ｐｏｉｓｓｏｎ－ＳｃｈｒｏｅｄｉｎｇｅｒＥｑｕａｔｉｏｎＳｏｌｖｅｒ），对以ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ异质结为基础的多种功率ＰＨＥＭＴ异质层结构系统（传统、单层与双层平面掺杂）进行了模拟与比较，确定出优化的双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ异质结构参数，并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算，用于指导材料生长与器件制造。采用常规的ＨＥＭＴ工艺进行ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ的实验研制。对栅长０．８μｍ、总栅宽１．６ｍｍ单胞器件的初步测试结果为：ＩＤｓｓ２５０～４５０ｍＡ／ｍｍ；ｇｍ０２５０～３２０ｍＳ／ｍｍ；Ｖｐ－２．０－２．５Ｖ；ＢＶＤＳ５～１２Ｖ。７ＧＨｚ下可获得最大１．６２Ｗ（功率密度１．０Ｗ／ｍｍ）的功率输出；最大功率附加效率（ＰＡＥ）达４７％。     

硅基GaAs／GaAlAs平面光波导的研究

分析了金属有机化合物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ／Ｓｉ材料结构的性能，用ＭＯＣＶＤ法地硅衬底上生长了ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ材料，并用这种材料制备了平面光波导样品，测定了１．３μｍ，单模激光的传输损耗小于０．６５ｄＢ／ｃｍ。     

LP－MOCVD制作InGaAs／InPPIN光电二极管

采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ制作了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ平面型ＰＩＮ光电二极管。器件光敏面直径为７５μｍ，采用Ｚｎ扩散形成ＰＮ结，－６Ｖ偏置下其暗电流低达８～１３ｎＡ；反向击穿电压为６０Ｖ（１μＡ）。在没有增透膜时，对１．３μｍ注入光响应度为０．５６Ａ／Ｗ，光谱响应范围为０．９０～１．７０μｍ。     

一种适于数据通路电路的FPGA结构

提出了一种适于实现通路逻辑的ＦＰＧＡ结构ＦＤＰ。该结构的主要创新之处在于采用了两条通用反馈逻辑，基于全加器的通用逻辑单元，基于信号流的不对称连线结构和并行的测试扫描链。ＳＰＩＣＥ模拟结果表明，用０．８μｍ的工艺，ＦＤＰ块内延时２．７ｎｓ，平均进位链延时０．１ｎｓ。