改善陷波滤波器Q值的反馈电路

本电路图示出一种带有正反馈电路的６０Ｈｚ陷波滤波器（图１）。如果将选用的缓冲器接在Ａ点和Ｂ点之间来代替短路的话，则确定正反馈的电阻（Ｒ４和Ｒ５）完全与确定陷波频率和陷波深度（Ｒ１、Ｒ２和Ｒ３）的电阻（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３）无关。在本例中（采用缓冲器），应用精确的方程，而Ｆ陷波＝１／（２ｎＣ（３×Ｒ１×Ｒ２）式中，Ｒ１＝ＲＩＡ＋Ｒ１Ｂ和Ｃ１＝Ｃ２＝Ｃ３＝Ｃ。Ｒ３确定陷波的深度，就缓冲情况而言，在Ｒ３＝６（Ｒ１＋Ｒ２）时，产生最大的陷波深度。通过改变系数Ｋ即Ｒ５与（Ｒ４＋Ｒ５）之比，Ｑ就可进行独立调节。…     

精确区分器件和互连寄生电阻电容的方法研究

随着器件线宽的不断缩小,在集成电路仿真中互连线延迟所占的比重逐渐变大,而MOSFET延迟所占的比重慢慢减小,这就意味着互连的寄生电阻电容对延迟的影响越来越大.研究了如何区分并计算器件部分和互连部分的寄生电阻电容.其中区分本地互连寄生电阻电容和器件电阻电容是关键.以90 nm器件为例,通过提取不同部分的寄生电阻电容,对环形振荡器进行延迟仿真,得到了它们对延迟的影响.通过不同的测试结构达到精确计算器件寄生电阻电容的目的,最终实现了对电路的精确仿真.     

12位分辨率的可编程阻抗

在可编程滤波器、信号发生器。数字检测电桥和标准阻抗中常常需要一个可以连续调节的阻抗。本应用方案提供了一种二进制码转换成阻抗值的方法，右图为应用电路图。等效电阻ＲＥＱ和等效电容ＣＥＱ有１２位分辨率。该应用电路的等效电阻和电容计算式如下： 其中，ＡＩ和ＢＩ是输入的二进制数。 电路中， ＩＣＩ是高输入阻抗运放，放大倍数为１＋Ｒ１／Ｒ２。如果在电路中去除Ｒ１和Ｒ２两个电阻，那么该电路就演化成了一个电压跟随器。调节Ｒ１和Ｒ２可以对信号幅值定标。选用ＬＦ３５３是因为它的动态性能较好，也可以选用其他高速型的运放…     

一种采用数控增益音频放大器的ALC实用电路

本文介绍了美国ＨＡＲＲＩＳ公司短波自适应通信系统中ＲＦ－１３１０Ａ激励器的音频放大单元ＡＬＣ（自动电平控制）电路。该电路采用了数控增益放大技术，与国内目前激励器中相应的ＡＬＣ电路相比较，具有音频控制范围大、音频输出幅度波动小的特点。这一较先进的技术，可供有关线路设计人员借鉴。     

一种新颖的电压模式通用二阶CFA滤波器设计

提出了一种仅用2个电流反馈放大器(CFA)实现的三输入单输出电压模式通用二阶滤波器电路。该电路由2个电流反馈放大器(CFA)、2个电容、3个电阻构成,他能实现二阶低通、带通、高通、陷波、全通滤波函数。分析了该电路的电压传输函数及电路参数,并用PSpice对该电路进行了仿真,仿真结果表明,该电路设计正确,电路结构简单,所用元器件少。     

由六反相器构成的DC/DC变换器

上图所示的电路用一个ＴＴＬ六反相器即可构成 ＤＣ／ＤＣ变换器,将５Ｖ变成１２Ｖ。该电路提供了ＤＣ／ＤＣ变换所需的所有功能。 该电路依靠 ＴＴＬ开关门限调节电压。 Ｕ１Ａ和Ｕ１Ｂ形成振荡器,其开关频率＜１ＭＨｚ。振荡器的输出驱动三个并联的反相器 Ｕ１Ｃ、 Ｕ１Ｄ和 Ｕ１Ｅ,可提供较高的输出电流和输出功率。其内部输出晶体管、Ｌ１和 Ｄ１形成标准的升压转换器,当其输出为低时,电流只流过电感Ｌ１;当其输出变高时,储存在电感中的能量迫使Ｄ１的阳极变高,Ｄ１导通对Ｃ１充电。 Ｕ１Ｆ监视输出电压在反馈电阻 Ｒ１和 Ｒ２…     

自对准硅化物SOI／CMOS技术研究

在ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路制作中引入了自对准钴硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路速度性能的影响。实验表明，ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和薄层电阻，改善单管的输出特性，降低ＳＯＩ／ＣＭＯＳ环振电路门延迟时间，提高ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路的速度特性。     

自对准硅化物CMOS／SOI技术研究

在ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸＳＯＩ电路制作中引入了自对准钴（Ｃｏ）硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路速度性能的影响．实验表明，采用ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和方块电阻，改善单管的输出特性，降低ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振电路门延迟时间，提高ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的速度特性．     

数控振荡器

数控振荡器的实际电路如图１所示。该电路由四与非门（７４ＨＣ１３２或７４ＨＣ００）和少量阻容元件组成。振荡器的输出频率由阻容元件决定，其公式为：ｆ＝１２（Ｒ２＋Ｒ３）Ｃ１［０．４０５Ｒ１Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ３＋０６９３］式中：Ｒ２为最大频率的限制电阻振荡器...     

薄膜晶体管寻址液晶显示器中栅延迟导致的图像信号失真

考虑栅信号线电阻、栅民源信号线的交叠电容以及ＴＦＴ导电沟道电容所构成的ＲＣ常数对栅延迟的影响，建立了ａ－ＳｉＴＦＴ－ＬＣＤ的等效电路模型。讨论了栅信号延迟对液晶显示屏尺寸、显示分辨率及民极材料的依赖关系。计算了用典型金属材料作民极时，在栅线的不直，象素电容的最大充电能力与栅延迟，为大面积、高分辨率ＴＦＴ－ＬＣＤ提供了设计依据。     

一种将OTA-C电路转换为CFA-RC电路的方法--替换法

本文介绍了一种直接将基于跨导－Ｃ的电路（ＯＴＡ－Ｃ电路）转换成基于电流反馈放大器ＣＦＡ的电路（ＣＦＡ－ＲＣ电路）的方法－替换法,给出了ＣＦＡ－ＲＣ电路的设计表格。设计实例和实验结果证明了这种转换方法的正确性。     

1-wire网络的电缆选择与保护

１选择电缆１-Ｗｉｒｅ网络包含三个部分 :主机、电缆、以及１-Ｗｉｒｅ器件。在主机和１-Ｗｉｒｅ器件之间的电缆可以通过数据线上的电感、电阻及电缆电容进行等效建模 ,其电缆电容一般为电缆长度与线长比容的乘积 ,一般５类双绞线的比容为５０ｐＦ／ｍ。同样 ,电缆的电阻是线路长度乘以每条导线每米的等效电阻。１-Ｗｉｒｅ器件通常可以通过其输入电容（Ｃｉｎ）、固定放电电流（Ｉｄｉｓｃ）、寄生电源电路（Ｄｉ、Ｒｉ、Ｃｌｏａｄ）及其在通信时的１０μＡ工作电流（Ｉｏｐ）来模拟。每个１-Ｗｉｒｅ器件需要５μＡ的空闲电流来保持其…     

TFT AMLCD像素矩阵电路中栅延迟的模拟研究

建立了ａ－ＳｉＴＦＴＡＭＬＣＤ的等效电路模型,综合考虑栅信号线电阻、栅与源信号线的交叠电容以及ＴＦＴ导电沟道电容构成的ＲＣ（ＲｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙＣａｐａｃｉｔａｎｃｅ）常数,模拟计算了栅信号延迟对液晶显示屏尺寸、显示分辨率及栅信号电极材料的依赖关系,为实现器件优化设计提供参考。     

低电压、恒定增益、Rail—to—Rail CMOS运算放大器设计

本文设计了一种低电压、恒定增益、Ｒａｉｌ－ｔｏ－Ｒａｉｌ的 ＣＭＯＳ运算放大器,整个电路采用标准的 ０．６μｍ ＣＭＯＳ工艺参数进行设计,并经过ＨＳＰＩＣＥ工具仿真,在３Ｖ的单电源工作电压情况下,静态功耗约为 ９． １ｍｗ,当电路同时驱动 ２０ＰＦ电容和 ５００Ω电阻的负载时,电路的直流增益达到 ６２ｄＢ,单位增益带 宽达到 １８ＭＨｚ,相位裕度为 ５０°。     

基于CDCTA的双模式等幅正交振荡器

针对正交振荡器实现复杂、振幅不相等、模式单一等问题,提出了一种基于电流差分级联跨导放大器的双模式正交振荡器。该电路仅使用一个电流差分级联跨导放大器、一个接地电阻和两个接地电容,可以同时产生等幅电压和电流正交信号。电路结构简单,灵敏度低,易于集成,振荡条件和振荡频率可相互独立地电控调谐。PSPICE仿真与硬件实验结果验证了理论分析的正确性。     

一种BJT可调电流控制振荡器的设计

提出了一种基于双极工艺的低成本振荡器电路结构,该振荡器电路利用系统内部参考电压和外接电阻产生的电流信号对电容进行充放电,通过调节外接电阻大小,调节电容充电电流大小,使振荡器频率可以连续调节.通过使用上华1um 36v BJT工艺库进行了仿真,验证了振荡器频率在35kHz～135kHz内可调,使振荡频率受温度、电源电压以...     

低噪声集成压控振荡器声性能分析

提出了一种低相位噪声时基核心电路的压控振荡器的设计方法。通过对采用由普通差分放大器单元和容性耦差分放大器单元构成的环行振荡器的噪声分析 ，由容性耦合差分放大器单元构成的环行振荡器，因其带通特性和负阻特性而具有较好的噪声能力，可用于对频率稳定度有较高要求的ＶＣＯ等电路中。     

一种新颖的基于电流传送器的多功能滤波器

提出了一种采用新的电流传送器（ＣＣⅡ）积木块构成的电流模式单输入多功能滤波器电路，它仅由４个ＣＣ器件、４个接地电阻和２个接地电容构成，选择电路三个输出端中的一个或它们的组合，即可实现五种基本的二阶滤波功能，给出了部分电路的ＰＳＰＩＣＥ仿真结果，验证了理论分析的正确性     

基于AOA的二阶多功能电流模式滤波器和振荡器

提出了一个二阶多功能电流模式AOA滤波器.该电路仅包含2个AOA,2个电容和7个电阻,能实现各种滤波功能,也能被修饰成一个电流模式振荡器.电路拥有高的精度和高的稳定性,极点频率和品质因数能够被独立、精确地调节.计算机仿真证明该滤波器正确有效.     

NV－370录象机色度通道集成电路VEFC－007故障分析与检修

ＮＶ－３７０录象机色度通道集成电路ＶＥＦＣ－００７故障分析与检修黄福森ＮＶ－３７０录象机色度通道是由ＩＣ８００１ＶＥＦＣ－００７集成电路和部分外围元件所构成的。其中ＶＥＰＣ－００７是核心部件，它是一块二次集成电路，整个电路由２４只电阻、１８只电容、４...