智能功率集成电路精彩纷呈

近年来,以新型功率MOS器件为基础的智能功率集成电路(Smart Power IC,SPIC)随着微电子技术的进步而得到了迅速发展。它融功率半导体、信息电子学、超大规模集成电路、电机学和计算机辅助设计等为一体,成为航空航天技术、工业自动化、汽车电子、未来家电和其它高新技术工业的基础。随着SPIC的设计与工艺水平不断提高,性能价格比不断改进,已逐步进入了实用阶段,成为实现功率电子装置小型化、智能化的重要途径。目前新型MOS功率器件已开始进入实用化阶段,其研究开发着眼于提高器件的工作频率和     

纳电子学的发展

进入21世纪,2004年集成电路的特征尺寸已进入90 nm节点,标志着微电子进入一个新的纪元,即进入了纳电子时代。介绍和总结了纳电子的新进展,包括纳电子的两条发展技术路线:其一是继续按自上而下的方法,以CMOS技术为基础,不断改变栅结构,改变沟道材料,增强控制电子的能力;其二是自下而上的新思路,采用新的器件结构,向自组装发展。此外,还介绍了"后CMOS"器件的工作原理、当前的实验以及和MOSFET相关的性能和面临的挑战。并预计了纳电子未来发展的趋势。     

战术通信领域微电子技术的发展及影响

微电子技术是推动战术通信发展的关键动力。介绍了战术通信中常用的数字集成电路、模拟集成电路等微电子器件的最新发展,论述了微电子器件对战术通信发展的重要影响,提出了推进国产军用微电子器件研制应用的建议。     

智能功率集成电路精彩纷呈

近年来,以新型功率MOS器件为基础的智能功率集成电路(Smart Power IC,SPIC)随着微电子技术的进步而得到了迅速发展。它融功率半导体、信息电子学、超大规模集成电路、电机学和计算机辅助设计等为一体,成为航空航天技术、工业自动化、汽车电子、未来家电和其它高新技术工业的基础。随着SPIC的设计与工艺水平不断提高,性能价格比不断改进,已逐步进入了实用阶段,成为实现功率电子装置小型化、智     

智能型MOS开关电源功率集成电路

智能化功率集成电路是当令国际上正在迅速发展的一个微电子技术和电力电子技术相结合的重要技术领域,由于微电子技术和功率MOS器件的迅速发展为智能型功率集成电路提供了可能性.集成电路的电隔离技术允许在同一芯片上集成功率DMOS和低压控制的双极型     

中国集成电路工业向何处去?

从二十世纪下半叶开始,世界进入了一个新的技术革命时期。所谓新技术包括了新材料、新能源、生物工程、海洋工程、航空航天技术和电子信息技术。其中影响最深、渗透力最强、最具有新技术革命代表性的就是以微电子技术为基础的电子信息技术。何谓微电子技术?简单说,微电子技术就是将一个电子子系统乃至一个电子系统“集成”在一个半导体的芯片上,来进行信息的采集、加工和存储的技术。所以,微电子技术的核心是集成电路。自1958年世界上第一块集成电路诞生以来,经过几十年的发展,集成电路技术不仅实现了产业化,而且已经过了小规模、大规模、超大规模和特大规模的发展阶段。     

新型微电子器件及IC

评述了GaAs FET器件以后的新型微电子器件和IC的开发与研究现状,它们包括高电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管、硅锗合金基区异质结双极晶体管、真空微电子器件、量子电子器件和光电集成电路.其中,有的已取得可观的实绩,巩固了阵地,有的虽然刚崭露头角,但却显示出雄厚的潜力.它们基本代表了半导体微电子器件未来的发展方向.     

微电子器件内引线球焊技术的现状及发展趋势

七十年代以来,作为正在崛起的新技术革命的主要标志的微电子技术获得了迅猛发展。而以集成电路为代表的微电子器件则是微电子技术发展的基础。由于对微电子器件和产品不断提出超小型化、轻量化、高密度、高可靠性和低成本的要求,使得人们对微电子器件连接技术日益重视,而作为其重要组成部分的内引线连接技术,近年来获得了令人振奋的进展。     

有关微细加工的几个问题

随着微波集成电路、声表面波器件、超导电子元件等固体器件的发展,特别是大规模集成电路、超大规模集成电路的发展,微细加工技术成了世界上发达国家发展微电子技术的重中之重,我国也将其列为重点攻关项目之一。化学气相沉积、热扩散掺杂、光学系统曝光、湿法刻蚀战功地解决了2～3微米以上线宽图形的制作,称为第一代微细加工技术。以真     

第二届全国电子工业焊接学术交流会征文通知

根据中国电子学会生产技术学会的有关规定,为了交流四年来我国电子工业战线所取得的成就,以促进电子产品的高可靠和高效益,决定于一九八四年第二季度召开第二届全国电子工业焊接学术交流会。此次学术交流会议,以交流讨论微电子器件(含大规模集成电路)焊接、微波器件     

脚踏实地，发展自主IC产业——访信息产业部电子第五十八研究所胡先发所长

微电子是21世纪信息产业的命脉,而微电子产业的核心就是集成电路产业。我国IC产量与需求之间始终存在着较大的缺口。目前我国整机生产所需集成电路的95％依赖进口。集成电路行业是资金和技术密集型产业,2000年我国集成电路产业取得了飞速的发展,尤其技术进步日新月异,目前国际上的主流生产技术为0.25微米到0.18微米,并已实现了0.15微米,研究工作则进入了0.1深亚微米的技术阶段。     

光电集成电路的设计自动化技术

光电子技术是继微电子技术之后近十几年来迅速发展的高技术，像微电子集成电路设计一样，不论是器件级模拟还是电器级模拟，光电子集成电路的设计都离不开电子自动化设计（EDA）。目前光电子设计软件的发展跟不上光电子技术的发展，因此光电子器件和光电子集成电路的EDA软件研究已越来越受到重视。     

InP基三端太赫兹固态电子器件和电路发展

随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的截止频率已经进入到太赫兹频段,太赫兹电路的频率特性得到极大发展。以固态器件为基础的太赫兹电路的工作频率进入到THz频段。本文重点介绍InP基双极器件和场效应器件的发展以及在太赫兹电路和系统中的应用。     

总论

0600001 浅谈后摩尔定律时期微电子技术的发展[刊,中]／李志坚//中国集成电路.-2005,(2).-1-5(G) 根据理论研究和国际半导体技术发展路线图 (ITRS),传统的硅基CMOS正在接近其极限。为了使微电子技术得以继续发展,最近提出了许多基于多种不同机制的新兴器件,它们可能作为下一代的微电子     

SiGe半导体在微电子技术发展中的重要作用

从Si-BJT和Si-FET集成电路在提高频率、速度上的困难,到SiGe-HBT和SiGe-FET及其集成电路的优异特性,论述了SiGe半导体在Si基微电子技术发展中的重要作用;特别强调了应变增强载流子迁移率-应变工程技术的重要作用.介绍了SiGe器件及其集成电路的发展概况.     

贯彻科技是第一生产力的思想 坚定不移地实施科技兴企战略──在公司第二次科技大会上的科技工作报告

第一部分微电子产业的形势及企业科技现状1．微电子技术现状及发展趋势当前,以集成电路为核心的世界微电子技术正以突飞猛进的速度向前发展。它的发展及其在各个领域的应用,极大地推动了科技进步和经济增长。集成电路产业已成为国家的战略产业,其技术水平和产业规模成为衡量一个国家经济发展、技术进步和国防实力的重要标志。它的战略地位源于它内在的技术经济特征。特别是进入大生产阶段以后,集成电路技术基本上每三、四年更新一代,集成度每三、四年翻两番。目前,加工线宽0．smp的CMOS技术已进入成熟期。0．35μm加工线宽的64MbDR…     

北京微电子设计企业孵化器：中小微电子企业成功创业的家园！

２０００年 １１月 １５日,由航天科技集团公司北京微电 子技术研究所和北京自动测试技术研究所等单位共同成立了的北京微电子设计企业孵化器。 北京微电子技术研究所是集成电路设计、测试、可靠性及检测分析的专业研究所,有一流的设备和优秀的人才,已推出一批领先的科研成果和产品。北京自动测试技术研究所是国内唯一从事集成电路测试技术研究的专业研究所,研制出了多种集成电路测试设备,取得了一系列国内领先的成果。以这两个所为基础,为孵化器的建设和发展无疑提供了良好的环境。 孵化器立足于芯片领域,旨在利用一切有效资源,为…     

微电子技术回顾与展望

<正> 自从1947年晶体管发明以来,至今已经历了整整四十个年头。然而,这四十年间,人类取得了难以置信的进展。迎来了以半导体集成电路为基础的微电子新时代,这个新时代的最大特点是微电子技术以空前的规摸和速度渗透到各行各业,集成电路以惊人的广度和深度进入生产和生活领域。四十年前,被认为是最复杂的电子设备或电子系统,其内部所包含的数万甚至十余万个电子元件,今天已可集成在一块面积比人手的小指甲还要小的晶片上;过去价值连城、普通人难以涉及的电子计算机,现在由于大规模和超大规模集成电路的出现,     

1996年展望硅微电子技术发展趋势

从硅微电子技术构图出发，在器件及其结构、工艺技术、集成电路各方面阐述了硅微电子技术在未来１５年内的发展趋势，并分析了它的发展极限及未来。     

我国集成电路产业的现状和发展趋势

<正> 一、引言 1947年晶体管的诞生开创了电子技术的新纪元。整个五十年代,在半导体材料、器件物理、工艺技术,晶体管电子学等方面进行了系统的,深入的研究。晶体管得到日益广泛的应用,引起了电子学深刻而广泛的变革。在此基础上,1958年集成电路诞生了,近三十年来,集成电路的发展日新月异,使电子技术出现了一个划时代的革命,在世界新技术革命浪潮中,以集成电路为核心的微电子技术是一项最活跃的高技术。人们认为,微电子技术的发展将对社会经济增长和社会发展产生广泛而深远的影响。