光刻技术

一、引言目前半导体器件制造中可以说是不可缺少光刻技术,对全工程(即指整个光刻工艺过程)的技术改进,其处理精度接近了受光的波长限制的阶段。但是,在用单一方法制作器件的情况下,对困难条件下的高精度光刻要求就更多。本文整理了对如下问题的讨论结果.光刻掩模的讨论,衬底表面凹凸非常大情况下光刻抗蚀剂的涂复,Au、Cr、Al_2O_3、Al、Si 等薄膜的高精度光刻,磷处理后的 SiO_2的     

光刻技术及其新进展

介绍了用于制作半导体集成电路的光刻工艺的概念、分类及发展过程，阐述了当前光刻工艺的主流，并重点介绍了极紫外光刻、X射线光刻、电子束光刻、离子束光刻、纳米图形转印等下一代光刻技术的特点及其面临的挑战。     

21世纪微电子光刻技术

介绍了248nm,193nm,157nm准分子激光投影光刻的发展过程和下一代光刻技术（NGL）的实用化前景。     

新世纪光刻技术及光刻设备的发展趋势

本文主要阐述了光刻技术的发展极限及193nm,157nm光学光刻技术和电子束投影光刻（SCALPEL）、X－射线光刻（XRL）离子投影光刻（IPL）等技术的发展趋势。并详细介绍了国际著名品牌的光刻机以及即将推出的新一代光刻机。对国内光刻设备的发展现状作了简要概述。     

下一代光刻技术

介绍了下一代光刻技术的演变,重点描述了浸没式光刻技术、极端远紫外光刻技术、纳米压印光刻技术和无掩模光刻技术的基本原理、技术优势、技术难点以及研发,并展望了这几种光刻技术的前景。     

传统光学光刻的极限及下一代光刻技术

分析了传统光学投影光刻分辨力的物理极限,介绍了国内外各大器件和设备厂商、科研单位等为了突破这个物理极限而做出的努力;从原理、发展状况及优缺点等几个方面对比分析了下一代光刻技术,最后对未来几十年的主流光刻技术作出了展望。极紫外光刻、浸没式光刻和纳米压印光刻将作为主流技术应用到超大规模集成电路的批量生产中,电子束光刻可以在要求极高分辨力时和这几个主流技术配合使用。其他下一代光刻技术由于工艺不成熟、不能批量生产等原因,在近期还不具备占领光刻设备市场主流的能力。     

硅片处理系统与光刻

<正> 半导体器件的集成度越来越高,最小加工尺寸越来越小,硅片尺寸越来越大,这无疑越来越增加了光刻的难度,对光刻技术与硅片处理系统提出了更高的要求。 光刻,是一种图象复印同刻蚀(化学、物理、或二者兼而有之)相结合的综合性技术。在集成电路的制造过程中,需要经过每次光刻,其质量是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素之一。 光刻的质量,可以由分辨率、光刻精度     

衍射干涉光刻研究

光刻就是将掩模版上的图形转移到基底的过程,广泛应用于微电子、微机械领域。衍射现象是光刻工艺无法避免的问题,当掩模图形尺寸接近光源波长时,就会产生衍射干涉现象。利用这一现象,可以产生小于掩模图形尺寸的图形。采用严格耦合波分析算法对光刻过程中的衍射干涉做了仿真分析;并用karl suss MA6光刻机实现了基于掩模的干涉光刻实验,通过增加滤光片得到相干光源,增强光刻过程的衍射,形成衍射干涉,掩模版透光区域和部分不透光区域下方的光刻胶得到曝光,利用微米尺度的光栅图形,在光刻胶上产生亚微米的光栅;最后利用干法刻蚀工艺,在硅基底上加工出亚微米尺度光栅。     

光刻技术

1.序言在现今半导体器件制造中不可缺少的光刻技术,由于与整个工艺相关的各技术的改进,使光刻的加工精度正在接近受光学波长限制的精度范围。但是,当把光刻技术作为唯一不可缺少的方法来制造器件时,大多数情况都要在困难的条件下实现高精度光刻。本文针对这类问题一一归结讨论结果,分节讲述底版问题的探讨,衬底表面不平整度较大时的抗蚀剂涂敷,金、铬、氧化铝、铝及硅等薄膜的高精度光刻,磷处理后的二氧化硅的高精度光刻等。此外,对于过去在实验室探讨得较少的光致抗蚀剂KPL(柯达光敏漆)及KMER(柯达金属腐蚀抗蚀剂),也从应用的目的附带介绍它们的处理工艺。     

光刻专家评选浸没式和EUV光刻技术

根据5月份在温哥华举行的受邀光刻技术论坛披露的报告，最新发布的国际半导体技术蓝图（ITRS）中，半导体厂商和供应商就光刻的前景和未来达成了普遍的共识。对各项最新的光刻技术的研究表明，193纳米浸没式光刻技术将成为量产45纳米节点产品的首选，而EUV（极紫外）光刻技术将在32纳米节点上大展拳脚。     

193 nm ArF浸没式光刻技术PK EUV光刻技术

2006年11月英特尔决定采用193nm ArF浸没式光刻技术研发32nm工艺。2007年2月IBM决定在22nm节点上抛弃EUV光刻技术,采用193nm ArF浸没式光刻技术。对于32nm/22nm工艺,193nm ArF浸没式光刻技术优于EUV光刻技术,并将成为主流光刻技术。     

新型光刻技术研究进展

集成电路光刻作为传统光刻技术的典型代表，支撑着集成电路芯片的快速发展。新一代光刻技术具有工艺多样化、光刻精度高、光刻效率高的优点，在研发新型光电子器件、实现3维微纳结构、构建有序纳米孔通道等方面有很大的潜力。回顾了近些年来涌现的多种新型光刻技术，分析了各自的特征及在新型纳米电子、光子器件、能源、传感等领域中的应用。对未来光刻技术的发展方向进行了展望。     

下一代光刻技术的设备

下一代光刻技术是指≤32nm工艺节点的光刻技术。介绍了下一代光刻技术与设备,包括X射线光刻技术、极紫外线光刻技术和纳米压印光刻技术等。     

光刻设备

<正> 将半导体电路图形转移到晶片的光刻技术是半导体制造工艺的核心,其发展相当快。几年前,主要采用掩模与片子紧密接触或使两者约离开10μm 的间隙的一次光刻法(接触、接近式),但因图形对准精度、成品率等问题,正在向投影式光刻方向转变(见图1)。     

国外光刻技术现状及发展趋势

<正> 前言光刻技术是微细加工的核心。到目前为止人们提出并采用有如下几种方式:接触式光刻;1:1反射投影光刻;直接在硅片上分步重复光刻(DSW);电子束光刻;软X射线复印;离子束光刻。     

电子束光刻三维仿真研究

本文利用Monte Carlo方法及优化的散射模型,对电子束光刻中电子在抗蚀剂中的散射过程进行了模拟,通过分层的方法,对厚层抗蚀剂不同深度处的能量沉积密度进行了计算,建立了电子束光刻厚层抗蚀剂的三维能量沉积模型。根据建立的三维能量沉积模型,采用重复增量扫描策略对正梯锥三维微结构进行了光刻仿真。理论分析和仿真结果表明,利用分层的三维能量沉积分布模型能更精确地实现电子束光刻的三维仿真。     

光刻技术

本文介绍了IC生产用的光刻技术。文中着重叙述了接触曝光方式、等倍投影曝光和缩小投影曝光方式的光学系统、适用范围、优缺点等。最后叙述光刻技术的发展动向。     

超紫外线光刻技术发展缓慢Intel目光转向反向光刻技术

由于超紫外线光刻技术（extreme ultraviolet，EUV）的发展迟缓，Intel透露正在开发一种可能将光学扫描仪扩展到22nm制造节点的可制造性设计。 Intel正在开发的这种计算光刻（computational lithography）是一种反向光刻技术。反向光刻、EUV和二次图形曝光技术是Intel正在为22nm制造节点进行评估的光刻技术。     

光刻技术的发展动态

介绍了目前几种主流光刻技术（光学光刻，电子束光刻，ｘ射线光刻和离子束光刻）的发展动态     

光学光刻的极限

讨论了光学光刻技术的各种分辨力增强技术(RETs),根据各类光刻设备的开发进展,探讨了光学光刻技术的加工极限。