韩国的OEIC研究

本文按年代介绍韩国光电子和光电集成电路（OEIC）的进展以及用于通信的OEIC发射机和接收机，用于光开关和光计算的半导体激光逻辑器件。     

光集成的研究热点及光集成器件研究进展

近几年来,全球及国内光通信行业得到了长足的发展,光通信正向高速、大容量、宽带、长距离及低成本方向迅速发展。光器件和光电器件的集成化是光通信最重要的核心技术,而它的发展方向就是光集成(PIC)和光电集成(OEIC)。     

GaAs—on—InP异质结构长波长OEIC

本文介绍了GaAs-on-InP异质结构长波长光电集成回路（OEIC）。以InP为主要成分的光学器件和GaAs-IC都在InP衬底上单片集成，业已证明，GaAs-on-InP异质结构对于长波长高性能OEIC具有很大的潜在用途。     

东芝

<正> 一、OEIC的展望提出OEIC的概念已近10年,以OEIC为名的各种器件和工艺的开发报告大量发表。然而OEIC与分立器件的混合集成相比,尚未达到发挥其特征的阶段。我们认为OEIC化的优点在于:(1)由于高速、高灵敏度等等     

光电子集成和光子集成器

光电器件和光电子集成及光子集成(OEIC及PIC)是光电子技术的基础,也是整机性能优劣的标志,所以提高OEIC器件性能水平是发展光电子技术的关键。OEIC的概念于1971年首次提出,多年来一直是热门研究课题。70年代末,OEIC进展取得一系列重大突破,1978年,美国第一次成功研制出无腔面的适合于集成要求的DFB激光器,并将一个0.85μm GaAs激光二极管(LD)和一个     

国外光电子集成电路(OEIC)发展现状

本文对目前国外OEIC的研制状况作了较为详细的综述,首先介绍了OEIC的特点,OEIC的主要器件及其结构与性能,OEIC的集成方式,接着介绍了目前国外OEIC的开发进展、水平及应用,最后对OEIC的前景做了肤浅的展望。     

光电子集成电路进展

较详细地介绍了光电子集成电路(OEIC)中研究最广泛、并取得可喜成就的OEIC光接收机和OEIC光发射机的最新进展,展望了OEIC的应用前景,并提出了目前应解决的课题。     

光纤通信用光电集成电路

本文介绍了光电集成电路(OEIC)工艺技术的新思想和新方法;叙述了光纤通信用 OEIC 器件的新结构与特性;分析了 OEIC 用于光纤通信的几个问题。     

冲电气工业

<正> 由光学器件和电子电路以单片形式集成的电子器件OEIC,已经历了第一代的开发阶段,现正进入第二代OEIC的时代。第一代OEIC的研究目标曾集中在光纤通信系统的收发机和中继器的IC化上,所获得的有些技术成果引人注目,但尚未达到实际系统中的应用阶段。其理由是与混合电路相比,OEIC器件的传输速率不超过5Gb/s,这就显不出性能上的优点,并且产品成品率低、成本高。其中成本问题尤为突出。OEIC本来就是一种集成电路,     

Pin/HBT OEIC光接收机

介绍了pin/HBT单片集成OEIC光接收机的集成结构和电路结构,分析了这种集成方式的光接收机前端设计过程中影响带宽和灵敏度的因素,总结了集成器件最新的研究进展。     

国外光集成／光电集成技术的发展

ＰＩＣ／ＯＥＩＣ是实现长距离大容量光通信网、光用户网、光交换等关键器件。本文主要介绍了最近两年国外半导体材料技术、工艺技术的进展以及ＰＩＣ／ＯＥＩＣ器件的研制状况。     

半导体光电子器件的研究进展

文章综述ＣＬＥＯ’９４及ＩＱＥＣ’９４会议报道的有关光电子器件的发展状况，叙述了大功率ＬＤ、蓝绿光ＬＤ、垂直腔面发射半导体激光器、可调谐ＬＤ及ＯＥＩＣ的最新研究进展。     

用于未来光纤通信系统的集成光学器件

本文扼要介绍集成光学器件在第三代光纤通信系统中的地位,以及根据现阶段光纤系统要求研完发展的 CEIC 光发射机、接收机、中继器、波分复用器和开关阵列等一系列集成光学器件的性能特点。     

Planar, compatible OEIC's based on multiquantum well structures

An optoelectronic integrated-circuit (OEIC) structure, in which a variety of devices having different functions is built from a common multiquantum-well structure, is discussed. Basic operation of both a lateral-current-injection laser and a field-effect transistor is demonstrated using essentially the same AlGaAs/GaAs multiquantum-well structures.<>     

Si基光电子学研究进展

作为“第二代硅”Ｓｉ基异质结材料为世人所瞩目，Ｓｉ基光电子器件及光电集成（ＯＥＩＣ）是当前世界范围的热门课题，本文综述Ｓｉ基异质材料的外延生长和特性，Ｓｉ基光电子器件的结构和性能及其应用，着重介绍ＳｉＧｅ／Ｓｉ的研究进展。     

硅锗基区异质结双极晶体管的研究进展

叙述了硅锗基区异质结双极晶体管的研究发展现状，分析了该晶体管的结构机理、特点及制造技术，并且阐述了该器件的发展前景。     

基于Pspice光发射机驱动电路的仿真分析

根据发光二极管（LED）和双异质结激光器（DH-LD）的Pspice等效子电路程序,将它们做成新的元件嵌入Pspice A/D 8.0电路仿真平台中。利用该平台对各种光发射机的光驱动回路进行模拟,证明用光电子器件的等效电路模型来模拟光电集成回路的可行性和便利性。     

Applications and challenges of OEIC technology: a report on the1989 Hilton Head workshop

A report on a workshop held on March 28-30, 1989 to review the current status and future prospects for optoelectronic integrated circuit (OEIC) devices, as well as related materials and material processing technologies, is presented. In this report the discussions that took place are summarized and some of the conclusions drawn are highlighted. The report covers emerging systems requirements, materials growth and processing for OEICs, state-of-the-art discrete components, a review of the current status of OEIC research devices,and a discussion of the conclusions of the workshop     

用SF_6-N_2混合气的反应离子刻蚀制作WSi_x微米结构

本文报道了ESi_x在SF_6-Ar、SF_6-N_2混合气中的反应离子刻蚀(RIE)的实验结果。研究了在SF_6-N_2的混合气中刻蚀WSi_x时,气体成分、气体流量、工作气压和输入功率对刻蚀速率的影响。发现在SF_6/N_2中刻蚀WSi_x微米结构具有优越性。实验结果的重复性较好,并在高速场效应器件、光电集成器件(微米结构)制作中得到应用。