红外对抗技术和装备的发展

红外技术的发展促进了红外制导武器的快速发展。同时红外制导技术的发展，使得红外对抗技术也在不断加以改进和提高，一些先进的红外对抗技术和装备，如红外告警、红外干扰机、定向红外干扰系统、红外诱饵、红外烟幕、红外隐身等被用来对抗红外制导导弹的威胁。     

双波段红外反隐身技术研究

本文详细分析了气象和环境因素对不同发射率的目标表面辐射温度的影响，得出了有关公式并进行了计算机仿真分析。结果表明，采用低发射率涂料可以有效地对付单一波段的红外热成象系统的侦察，但双波段红外热成象系统结合简单的图象处理技术可以成功地揭露这种方式的伪装。     

红外警戒系统的现状与发展趋势

综述了军用红外警戒系统的发展与装备现状，介绍了几种典型的红外警戒系统，针对目前存在的问题，评述了红外警戒系统今后的发展趋势。     

国外红外侦察告警设备的新进展

首先概述了红外侦察告警技术，然后综述了国外红外侦察告警设备的最新进展。     

机载红外搜索跟踪系统（二）

红外搜索跟踪（ＩＲＳＴ）系统在军事和民用领域中有广泛应用。叙述了机载ＩＲＳＴ系统的作用，介绍两个机载ＩＲＳＴ系统的实例。     

红外端口窜红近距离通信

红外端口窜红近距离通信从通信的观点看,利用ＩｒＤＡ（红外数据采集）端口,便携式计算机可以连接手提电话并用作为传真机和调制解调器。ＰＣ和手提电话的地址本可以同步更新。当然还有ＰＤＡ,数字相机也可以同样的方式连接在这一环路中。这样数字相机就可利用ＩｒＤＡ...     

全反射红外物镜

对各类三反射面红外物镜的设计及性能进行了论述。结果表明该类反射式物镜成象质量好，达到或接近衍射限，完全适应于３－５μｍ和８－１２μｍ波红外成象，该类红外物镜目前已有徐英国最大的天文望远镜ＵＫＩＲＴ光民象仪的红外物镜。     

Very Low Power, Low Voltage, High Accuracy, and High Performance Current Mirror

A novel low power and low voltage current mirror with a very low current copy error is presented and the principle of its operation is discussed.In this circuit,the gain boosting regulated cascode scheme is used to improve the output resistance,while using inverter as an amplifier.The simulation results with HSPICE in TSMC 0.18 μm CMOS technology are given,which verify the high performance of the proposed structure.Simulation results show an input resistance of 0.014 Ω and an output resistance of 3 GΩ.The current copy error is favorable as low as 0.002％ together with an input (the minimum input voltage of vin,min～ 0.24 V) and an output (the minimum output voltage of vout,min～ 0.16 V) compliances while working with the 1 V power supply and the 50 μA input current.The current copy error is near zero at the input current of 27 μA.It consumes only 76 μW and introduces a very low output offset current of 50 pA.     

低耗低纹波可控式APD偏置电路

给出了两种非常适合作为APD偏置电路的高效、低耗、低纹波输出、可控式高压发生电路,同时给出了电路的应用说明.     

一种高电源抑制能力低噪声的低压差调节器电路

提出了一种高电源抑制能力(PSR)、低噪声的低压差调节器结构。利用电流镜和压控电流源技术,消除一个低频极点,提高LDO系统稳定性。1 kHz时PSR可达到100 dB以上,1 MHz时PSR高于40 dB,最大电流输出能力为150 mA。另外,电路中具有启动电路和限流电路,可以有效地保证电路正常工作。基于TSMC 130 nm低功耗工艺流片,流片结果表明,芯片噪声特性良好。稳定性较高,并具有很高的电源抑制能力,有效地保证了系统指标。     

低温、小电流、高增益硅双极晶体管的研究与设计

介绍了一种用于低温、小注入电流条件下工作的新型多晶硅发射区双极晶体管,并给出了晶体管电流增益的低温模型。该模型考虑了低温下多子和少子的冻析效应、禁带变窄效应、Auger复合、多晶硅发射效率增强效应等。在此基础上,通过用SUPREM-Ⅲ和PISCES-Ⅱ进行了工艺模拟和器件模拟,最后完成了实际版图制作和工艺流水。对管子的测试表明,该晶体管具有极好的小电流特性,在0.5μA的注入电流下其共射电流放大倍数可高达1000,在低温(77K)下其β仍可达70左右,能够正常工作。     

一款用于驱动耳机的低噪声低功耗音频功率放大器的设计

报道了一款低噪声、低功耗、增益可调的音频功率放大器的设计.该功率放大器在电源电压为5V,输入信号频率为1kHz,驱动负载为16Ω,输出功率为120mW时的总谐波失真仅为0.1%.此音频功率放大器的增益允许以每台阶为1.5dB在+12～-34.5dB之间变化,共32个台阶,内部的放大器电路是该用于驱动耳机的音频功率放大器的核心.介绍了功率放大器的电路结构、放大器的主要模块、最终版图和测试结果,最后此电路在上华0.6μm双层多晶硅、双层金属的CMOS工艺上实现.     

An Ultra Low Voltage, Low Power, Fully Integrated VCO for GPS in 90 nm RF-CMOS

A fully integrated 0.6 V VCO for the GPS L1 band is realized in a 90 nm RF-CMOS process. The purpose of the design is to demonstrate how suitable deep submicron CMOS transistors are for ultra low voltage, low power oscillator design. The VCO operates at 6.3 GHz and a divide-by-four circuit buffer provide the wanted 1575.42 MHz signal. Measured phase noise is for a 0.6 V supply voltage and bias current of 2.6 mA −122 dBc/Hz at 1 MHz offset, measured for a 1.58 GHz carrier. The phase noise of the VCO has been measured for different bias point showing good agreement between measured results and theory. Also PhD Student at the Vrije Universiteit Brussel, department ELEC-ETRO Lars Aspemyr received the M.Sc. degree in electrical engineering 1992 from Chalmers University, Gothenburg, Sweden. He is currently working towards the Ph.D. degree within the Department of Electroscience, Lund University, Sweden. He is also employed at Ericsson AB, Gothenburg, Sweden. His current research interests are in low-power high frequency integrated circuit design. Dimitri Linten was born in Vilvoorde, Belgium, 1978. He received his Master degree as an Electrical Engineer in Electronics and Information Processing in 2001 at the Vrije Universiteit Brussel (VUB), Brussels, Belgium. In August 2001, he joined the department ELEC as a research assistant working towards a Ph.D. degree. His residence is at the Wireless Research group of IMEC in Leuven. His research interests are CMOS, BiCMOS, and new emerging technologies for ultra low-power RF front-ends.     

低功耗低频率低噪声医用模拟IC设计进展

医学应用模拟集成电路是医学芯片的重要组成部分。阐述了医学应用模拟集成电路的低功耗、低频率、低噪声设计方法;列举了具有代表性的设计,展望了医学芯片的发展前景。     

一种低噪声、高电源抑制的低压降稳压器

实现了一种低噪声、高电源抑制(PSR)的低压降线性稳压器。设计了一个新型的低温度系数高电源抑制的带隙基准源,这个基准源可以为稳压电路提供参考电压。采用带有低通滤波器的预调制电路来降低稳压器的输出噪声和高频电源行波干扰。测试结果表明,该稳压器的线性调整率为0.57mV/V,负载调整率为0.1mV/mA,100kHz下的交流电源抑制为-60dB。在10Hz～1MHz频率范围内,仿真得到的总输出噪声只有4μVrmss。该稳压器采用上华CSMC0.6μm、5V混合信号CMOS工艺设计,有效芯片面积为600μm×560μm。     

低压、低功耗SOI电路的进展

最近 IBM公司在利用 SOI(Silicon- on- insulator)技术制作计算机中央处理器 (CPU)方面取得了突破性的进展 ,该消息轰动了全世界。SOI电路最突出的优点是能够实现低驱动电压、低功耗。文中介绍了市场对低压、低功耗电路的需求 ,分析了 SOI低压、低功耗电路的工作原理 ,综述了当前国际上 SOI低压、低功耗电路的发展现状。     

应用于802.11b无线局域网的低噪声高线性度的CMOS射频接收机

实现了一个单片集成、直接转换结构的2.4GHz CMOS接收机. 这个正交接收机作为低成本方案应用于802.11b无线局域网系统,所处理的数据传输率为该系统的最大速率--11Mbps. 基于系统设计以及低噪声高线性度考虑,设计了低噪声放大器、直接转换混频器、增益可变放大器、低通滤波器、直流失调抵消电路及其他辅助电路. 该芯片采用中芯国际0.18μm 1p6m RF CMOS工艺流片,所测的接收机性能如下：噪声系数为4.1dB,高增益设置下低噪声放大器与混频器的输入三阶交调点为-7.5dBm,整个接收机的输入三阶交调点为-14dBm,相邻信道干扰抑制能力在距中心频率30MHz处达到53dBc,输出直流失调电压小于5mV. 该接收机采用1.8V电源电压,I, Q两路消耗的总电流为44mA.