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《固体电子学研究与进展》1994,(4)
科研成果介绍砷化镓功率场效应晶体管系列GaAsPowerMESFETsSeries南京电子器件研究所已研制成GaAs功率场效应晶体管系列,具有以下特点:。用途广:卫星通讯,移动通讯,微波系统,微波数字通讯,相控阵雷达等设备中的振荡与功放。。高可靠:微... 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1996,(2)
控制场效应晶体管(CFET)──一种新型的MMIC控制器件据《IEEE1995M.&MM.W.Monol.Circ.Symp》报道,DavidJ.Seymour等研制成一种微波单片控制电路用的新型GaAs器件──控制场效应晶体管(CFET)。为了降低... 相似文献
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借助一新的工艺模拟与异质器件模型用CAD软件──POSES(Poisson-SchroedingerEquationSolver),对以AlGaAs/InGaAs异质结为基础的多种功率PHEMT异质层结构系统(传统、单层与双层平面掺杂)进行了模拟与比较,确定出优化的双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT异质结构参数,并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算,用于指导材料生长与器件制造。采用常规的HEMT工艺进行AlGaAs/InGaAs功率PHEMT的实验研制。对栅长0.8μm、总栅宽1.6mm单胞器件的初步测试结果为:IDss250~450mA/mm;gm0250~320mS/mm;Vp-2.0-2.5V;BVDS5~12V。7GHz下可获得最大1.62W(功率密度1.0W/mm)的功率输出;最大功率附加效率(PAE)达47%。 相似文献
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建立了高电子迁移晶体管(HEMT)的二维数值模型,并用二维数值模拟的方法讨论了AlGaAs/GaAsHEMT中的GaAs沟道层量子阱中二维电子气的物理性质.通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程获得了沟道中的电子浓度和横向电场.模拟结果表明栅电压的改变对HEMT器件跨导产生很大的影响. 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1996,(2)
用MBE和原位离子束光刻技术制备的2DEG基区热电子晶体管据《IEEEE.D.》42卷第6期报道,S.G.Ingram等以GaAs/AlGaAs系统材料,将原位聚焦离子束(FIB)隔离技术与MBE再生长工艺相结合,克服了需要形成不同传导层之选择欧姆接... 相似文献
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新颖的微波器件材料──InGaAs/GaAs异质结构彭正夫,张允,龚朝阳,高翔,孙娟,吴鹏(南京电子器件研究所210016)一、引言众所周知,GaAsMESFET器件的微波特性主要由沟道中的电子饱和速度和栅长决定.由于InGaAs的电子饱和速度比Ga... 相似文献
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在InP衬底上用通常用晶格匹配(y=0.53)和晶格失配(y〉0.53)In0.53Al0.46As/InyGa(1-y)As层结构同时制作p-沟和n-沟增强型异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFET)。获得1μm栅长e型p-沟HIGFET,其阈值电压约0.66V,夹断尖锐,栅二极管开启电压0.9V,室温时非本征跨导〉20mS/mm。相邻的(互补的)n-沟HIGFET也显示e型工作(阈值Vth=0. 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(4)
新结构高性能In_(0.3)Ga_(0.7)As/In_(0.29)Al_(0.71)As/GaAsHEMT研究证明,InGaAsHEMT的结构优于GaAsMESFET和习用的AlGaAs/GaAsHEMT。在GaAs上制备的赝配结构HEMT(PM-HE... 相似文献
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为配合2000门GaAs超高速门列及GaAs超高速分频器等2英寸GaAs工艺技术研究,开展了2英寸GaAs快速热退火技术研究,做出了阈值电压为0~0.2V,跨导大于100mS/mm的E型GaAsMESFET和夹断电压为-0.4~-0.6V,跨导大于100mS/mm的低阈值D型GaAsMESFET。 相似文献
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傅炜 《固体电子学研究与进展》1994,14(1):22-27
利用GaAsMESFET功率特性的线性化模型,求出GaAsMESFET近似最佳功率负载阻抗,为利用谐波平衡法计算提供初值。然后,使用自行研制的谐波平衡分析软件包,进行GaAsMESFET大信号模型参数的提取和非线性电路模拟计算。将两只总栅宽为9.6mm的GaAsMESFET管芯,利用内匹配功率合成技术,在C波段(5.5~5.8GHZ)制成1dB压缩功率大于8W,典型功率增益9dB的GaAsMESFET内匹配功率管。 相似文献
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本文对Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAsMESFET进行了四种不同的应力试验:1.高温反偏(HTRB);2.高压反偏(HRB);3.高温正向大电流(HFGC);4.高温存贮(HTS).通过HRB,ΦB从0.64eV减少到0.62eV,理想因子n略有增大.HTS试验中ΦB从0.67eV增加到0.69eV.分析表明,这归因于界面氧化层的消失,以及Ti与GaAs的反应;HFGC试验结果表明其主要的失效模式为烧毁,SEM观察中有电徙动及断栅现象发生.AES分析表明。应力试验后的样品,肖特基势垒接触界面模糊 相似文献
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本文描述了Al/n-GaAs肖特基接触的正向脉冲退化效应,探讨了当肖特基二极管承受正向电流冲击时,势垒高度ΦB升高,直接影响Al栅MESFETs的特性,导致Al/n-GaAs IC失效的机理。 相似文献
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描述了一种新型共振隧穿结构器件,这种器件包含了通过可变间隙超晶格能量滤波器(VSSEF)中的耦合量子附态的隧穿过程.论证了通过AlAs/GaAsVSSEF器件高能态和AlGaAs/GaAs超晶格受激态的共振隧穿,描述了这种器件作为较高功率微波源和共振隧穿晶体管的应用,并讨论了共振隧穿结构作为雪崩探测器和红外发射器等光学器件的潜在应用. 相似文献