现代电子材料

系统地介绍了现代电子材料,对其中的几种新型材料,如纳米材料、智能材料、梯度材料等作了重点论述。为了从理论上说明新型电子材料的特性,特别着重分析其微观结构。并依此为根据,说明其宏观性能。从材料的微观结构出发,来分类新型材料,并标示出有代表性的材料。此外,还指出了电子材料的一些发展方向。     

优先发展的电子专用材料和新型元器件

最近国家计委和科技部公布了《当前优先发展的高技术产业化重点领域指南》将信息、生物及医药、新型材料、先进制造、先进能源、先进环保、资源综合利用、航空航天、现代农业、现代交通等十大产业中的141个高技术产业确定为优先发展的重点领域。电子专用材料和新型元器件是其中的两个领域。     

基于干法转移的柔性碳纳米管射频晶体管器件北大核心

半导体型碳纳米管(CNT)作为准一维新型材料,兼具高迁移率、高柔性和高导热等特性,具有创新应用潜力,例如可在柔性电子主流衬底材料上实现高性能射频器件,提供信号无线收发功能,填补当前技术空白。南京电子器件研究所针对新兴的碳纳米管薄膜材料,突破低维材料常用的湿法转移方法带来的局限,以避免转移过程中薄膜应力不均匀导致的褶皱、破损以及电学性能严重退化等问题,利用不同材料界面间范德华力的差异,开发了碳纳米管薄膜干法转移方法。     

电子材料行业1996年市场展望

电子元器件是电子工业赖以生 存和发展的基础,也是国民 经济信息化的基础;而电子材料则是电子元器件赖以生存和发展的基础、“粮食”和原动力。电子材料的品种、产量和质量状况,是衡量一个国家电子信息产业经济技术发展水平的重要标志之一;也是世界各国争取在电子信息产业技术     

各向异性材料的电子能量损失谱‘幻角’分析

电子能量损失谱(Electron Energy Loss Spectroscopy)在测量材料的电子结构及其电子空间分布方面有很广泛的应用.由于原子的各向异性排列,或是内(外)部电、磁场的作用,许多重要材料的电子结构及其能级之间的电子跃迁会显示出明显的方向性,如石墨、纳米碳管和磁化的铁磁材料等.近来,纳米材料和纳米器件的发展,使得检测纳米尺度的各向异性材料的电子结构成为当务之急.由于电子束斑尺寸可达纳米量级,EELS在这个方面体现了其独特优势,但是在一般情况下,各向异性材料的EELS谱会随样品取向而变化,这给定量分析带来了困难.     

走向新世纪的有机电子材料

综述了有机与高分子导电材料、有机和高分子显示材料、液昌材料、有机非线性光学材料和有机压电材料等五类有机电子材料的最新进展和应用前景。     

1991年日本电子材料产值

据日本电子材料生产者协会，(EMAJ)统计报告称，1991年日本电子材料总产值比1990年增长了6％，达4450亿日元。其中；金属材料(包括管子、半导体材料、软磁材料，弹性材料、焊接材料，耐腐，耐热材料，电阻材料和特殊材料)和永磁材料的产值分别比1990年增长3％；     

IC发展与基础材料

通过国内外电子基础材料（化学试剂、高纯气体、硅材料）的对比，论述了困扰我国集成电路产业高速、稳定、可靠发展等诸类因素，提出只有对超大规模集成电路所用的电子基础材料的微观结构进行高冒险、高投资的研究和开发，才能使我国ＩＣ产业稳定、高速的发展和腾飞     

一种新颖电子发射材料

本文简要介绍多孔硅电子发射材料的结构、制造和测试。     

面向21世纪的先进电子材料

综述了面向２１世纪的仿生智能材料、纳米结构材料、笼形团簇材料、超导材料和生物电子材料等五类先进电子材料的最新进展和应用前景。     

电子俘获得光存储材料的研究进展

电子俘获存储技术是一种新型的存储技术，有望从存储机制方面突破现有的光存储介质的限制，实现大密度稳定可重复擦写存储，文中详细报道了近年来电子俘获光存储材料的研究进展。着重介绍了电子俘获材料光存储机制，以及各种材料的存储特性，并探讨了存在的问题。     

落霞与孤鹜齐飞—中国电子专用材料产业与市场分析——访中国电子材料行业协会副秘书长袁桐

众所周知，电子材料是电子元器件等产业的支撑和基础，电子材料市场随着电子元器件制造业的发展而增长。电子材料厂商与电子元器件及整机厂商相互依存，共同发展。由于近年来电子元器件产业的快速增长，作为电子元器件基础的电子材料产业市场自然是潜力巨大，发展前景看好。为此，我们专访了中国电子材料行业协会副秘书长——袁桐。对于中国的电子专用材料产业与市场，袁桐副秘书长为我们进行了一个全面的分析。     

应用于印制电子的纳米银材料

最近印制电子技术发展日益完善,这项技术在传统印制电路板行业中也展现出巨大的应用前景。本文着重介绍了应用于印制电子的银纳米材料的发展现状,从与传统PCB导线制备工艺的比较中说明打印法制备银导线及材料的优势。文中还讨论了用于印制电子的纳米银材料的制备、墨水的配制、打印工艺、应用前景。     

记我国举办首届国际电子元件与材料学术会议

<正> 概况1989年11月7～10日在我国北京举办了首届国际电子元件与材料会议(ICECM)。会议由中国电子学会(CIE)、电子元件学会(ECS)和跨国电气电子工程师学会     

电子俘获材料在光存储技术中的应用

阐述了电子俘获光存储技术原理,进行了图像写／读／擦除及图像加／减等实验,探讨了电子俘获光存储中的动力学机制,研究了电子俘获材料中读出光、写入光和发射光三者之间的关系。实验表明,电子俘获材料以其写／读、擦速度快、存储密度高以及无限的读写循环寿命等优点,在光存储、光信息处理领域具有非常广阔的应用前景。     

材料

0310 材料总论9908787现代电子材料[刊]/曲喜新//电子元件与材料.—1999,18(1).—18～22(C)系统地介绍了现代电子材料,对其中的几种新型材料,如纳米材料、智能材料、梯度材料等作了重点论述。为了从理论上说明新型电子材料的特性,特别着重分析其微观结构。并依此为根据,说明其宏观性能。从材料的微观结构出发,来分类新型材料,并标示出有代表性的材料。此外,还指出了电子材料的一些发展方向。参14     

2009年第一季台湾地区产业回顾与展望——Ⅲ电子材料产业报告

一、整体电子材料产业概况 金融风暴影响下,2009年第一季电子材料下游之半导体、构装、PCB、平面显示器产业的接单状况不佳,厂商的平均稼动率低于五成,对电子材料的需求也跟着下滑,使得电子材料的产值大幅下滑。     

HEMT结构材料中二维电子气的输运性质研究

本文通过变温的Ｈａｌ测量系统地研究了ＧａＡｓ基ＨＥＭＴ和ＰＨＥＭＴ以及ＩｎＰ基ＨＥＭＴ三种结构材料的电子迁移率μｎ和二维电子浓度ｎｓ．仔细地分析了不同ＨＥＭＴ结构材料的散射机制对电子迁移率的影响以及不同ＨＥＭＴ材料结构对电子浓度的影响．研究结果表明ＩｎＰ基ＨＥＭＴ的ｎｓ×μｎ值比ＧａＡｓ基ＨＥＭＴ和ＰＨＥＭＴ的ｎｓ×μｎ值都大,说明可以用ｎｓ×μｎ值来判断ＨＥＭＴ结构材料的性能好坏．     

“电子材料”课程的教学改革

本文对“电子材料”课程教材内容的选取及教学方法改进进行了讨论.笔者在教学实践中较大幅度增强了半导体材料、光电子材料内容,增加了铁电、压电、热释电材料和纳米材料教学内容,弱化了电阻材料、超导材料的内容.教材内容的选取考虑了课程内容科学体系完整性、国际研究动态、应用状况及发展趋势,教学单位及教师的研究特长以及学生就业需要等因素.     

电子材料的腐蚀

计算机及其周边元器件中所使用的各种电子材料，在大气环境下，因潮湿及其它条件下发生大气腐蚀，从而致使电子材料腐蚀，电子系统发生故障如短路、电接触不良等。本文就因空气污染、塑料材料分解气体等导致的电子材料大气腐蚀现象给予论述。