采用电流复用技术的8mm频段低噪声放大器

利用电流复用技术设计8mm频段低噪声放大器芯片,采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,芯片尺寸为1.73mm×0.75mm×0.1mm。测试结果显示:在32～38GHz频带内,放大器增益大于21dB,噪声系数小于1.85dB,输入、输出电压驻波比小于2.5,P1 dB大于7dBm,功耗5V,28mA,采用电流复用技术比传统设计的功耗降低将近40%。     

新品展馆

<正> 无线接收机Mantis Berkeley Varitronics公司研制出无线接收机Mantis,可用于识别、安装和优化蓝牙无线设备。该仪器可确定任何邻近蓝牙设备的位置,跟踪其跳频特征,以便详尽测试真实dBm值的RSSI、分组差错率恶化和其它设备参数,并进行设备识别。该设备特点包括背光显示器、简单键盘菜单、可拆装镍氢(Ni-MH)电池及快速充电器。     

超小型SMD石英晶振XT23和XT35

XT23和XT35是频率范围达12～25MHZ的新款超小型SMD石英晶振。XT23和XT35分别采用3．2mm×2．5mm和5．0mm×3．2mm的陶瓷封装，能够实现更小的终端产品。这两款器件的高度均为0．8mm。此次发布的器件具有宽工作频率和小尺寸，在＋25℃下的频率容差为±30×10^-6,是PDA、GPS单元、MP3播放器、笔记本电脑、PCMCIA卡和蓝牙通信设备的最优选择。     

用于增强型数据速率蓝牙应用的功率放大器 可在便携式设备中实现EDR功能

SE2425U是专为符合蓝牙2．0版规范和EDR协议的设备而设计的，采用了数字模式控制，允许实时选择EDR或标准数据速率；在标准速率GFSK模式下的输出功率为＋25dBm，在增强型速率8DPSK模式下则为＋19．5dBm。     

毫米波高性能收发多功能芯片

利用0.15μm GaAs PHEMT工艺,研制了一款集成功率放大器和低噪声放大器的毫米波多功能单片。发射支路功率放大器采用三级放大拓扑结构,在32~36GHz内,在6V工作电压下,线性增益23dB,增益平坦度优于±0.75dB,输入/输出驻波小于1.3,饱和输出功率30dBm,功率附加效率约30%。接收支路低噪声放大器采用三级放大拓扑结构,在5V、30mA工作电压下,在32~37GHz内,线性增益23.5dB,增益平坦度优于±1dB,噪声系数小于2.5dB,1dB压缩输出功率大于6dBm。该芯片面积为3.67mm×3.13mm。     

微波宽带单片集成电路二分频器的设计与实现

采用D触发器进行分频,设计了基于主从D触发器的1:2分频器,该分频器主要由输入缓冲电路、分频器内核、输出缓冲电路和电流偏置电源四个模块组成.HBT工艺具有速度快、相位噪声低的优点,采用HBT工艺,成功地设计了输入频率范围为50 MHz～7 GHz的静态二分频器.测试结果表明,该分频器在输入频率为3.7 GHz,输入-20 dBm功率时,输出功率4 dBm;电源电压5 V,工作电流85 mA,芯片尺寸为0.85 mm×0.85 mm.     

Blue Tooth(蓝牙)技术简介

1概述 蓝牙(BlueTooth)技术是实现语音和数据无线传输的开放性规范,是一种低成本、短距离的无线电连接技术,其无线收发器是很小的一块芯片,大约只有9mm×9mm,可方便地嵌入到便携式设备中,从而增加设备的通信选择性。蓝牙技术实现了设备的无连接工作(无线链路替代电缆连接),提供了接入数据网的功能,并且具有外围设备接口,可以组成一个特定的小网。蓝牙技术采用跳频技术,抗信号衰落;采用快跳频和短分组技术减少同频干扰,保证传输的可靠性;采用正向纠错(FEC)编码技术,减少远距离传输时的随机噪声影响;使用2.4GHz的ISM频段,无需申请许可证;采用FM调制方式,降低设备的复杂性。     

紧凑型K波段单级反馈式MMIC中功率放大器

给出了一种基于功率PHEMT工艺技术设计加工完成的紧凑型K波段单级反馈式MMIC宽带功率放大器.在21～28GHz的工作频段内,当漏极电压为6V,栅电压为-0.25V,电流为82mA时,1dB压缩点输出功率大于21dBm,小信号增益为7dB左右,输入驻波比小于3,输出驻波比均小于2.芯片尺寸为1mm×1.2mm×0.1mm.同时,给出了一种芯片级电磁场仿真验证方法,用该方法仿真的结果和测试结果非常一致,保证了电路设计的准确性.     

紧凑型K波段单级反馈式MMIC中功率放大器

给出了一种基于功率PHEMT工艺技术设计加工完成的紧凑型K波段单级反馈式MMIC宽带功率放大器.在21～28GHz的工作频段内,当漏极电压为6V,栅电压为-0.25V,电流为82mA时,1dB压缩点输出功率大于21dBm,小信号增益为7dB左右,输入驻波比小于3,输出驻波比均小于2.芯片尺寸为1mm×1.2mm×0.1mm.同时,给出了一种芯片级电磁场仿真验证方法,用该方法仿真的结果和测试结果非常一致,保证了电路设计的准确性.     

C波段高效率高线性GaN MMIC功率放大器

基于SiC衬底0.25μm GaN HEMT工艺,设计实现了一款C波段、高效率和高线性的单片微波集成电路(MMIC)功率放大器。通过优化电路匹配结构,选择合适的有源器件和恰当的直流偏置条件,实现低视频漏极阻抗;利用后级增益压缩和前级增益扩张对消等手段,实现高功率附加效率和好的线性指标。功率放大器芯片尺寸为2.35 mm×1.40 mm。芯片测试结果表明,在3.7~4.2 GHz频率范围内,漏极电压28 V、末级栅极电压-2.2 V、前级栅极电压-1.8 V和连续波条件下,该功率放大器的小信号增益大于25 dB,大信号增益大于20 dB,饱和输出功率大于39 dBm,在输出功率回退至32 dBm时,功率附加效率大于30%,三阶交调失真小于-37 dBc。     

应用于WLAN InGaP/GaAs HBT线性功率放大器

设计了一款基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺的移动通信用高线性功率放大器,应用于移动终端WLAN 802.11b/g/n 2.4~2.5GHz。整个放大器芯片由三级放大电路构成,芯片面积为1.9mm×1.7mm。在VCC=Vbias=+5V、VReg=VPdown=+2.85V双电源供电条件下,测试频点为2.45GHz时,线性增益为35dB,1dB压缩点处输出功率为34.5dBm,此时效率为37.5%。输出功率为27dBm时,EVM(误差矢量幅度)值小于3%(输入信号为WLAN 802.11g 64QAM 54 Mb/s),可以满足WLAN应用对线性度的需求。     

一个功率可控型蓝牙CMOS功率放大器设计

基于0.18μm CMOS工艺,设计出一个适用于class 1蓝牙系统的高效率的差分E类功率放大器.驱动级采用自偏置Cascode结构,输入和级间匹配均片内完成,实现高集成度.在电源电压1.8V,温度60℃,输入信号0dBm条件下,仿真结果表明,该系统具有最大输出功率24.1dBm,PAE为57.9%,二次谐波分量为-40.05dBm,输出电压驻波比小于6∶1.采用间接闭环控制环路控制输出级的电源电压,实现了输出功率的步进为2dBm控制.整个系统最终实现低成本、高集成度.     

用于无线局域网的CMOS射频前端发送器

介绍了一种用于802.11b无线局域网的高线性度射频前端发送器的设计与实现。该发送器采用直接转换结构,从而最大程度地减小了所需的片外和片上元件。电路采用0.18μmCMOS工艺实现。发送器包括两个低通滤波器、一个单边带混频器、一个功率预放大器和一个产生正交本振信号的除2分频器。发送器能够以3 dB一级提供12 dB的增益控制,输出1 dB压缩点为7.7 dBm,正常输出功率为2 dBm。整个发送器工作时消耗电流40 mA,工作电压1.8 V,芯片面积(不包括焊盘)为1.8 mm×1.5 mm。     

应用于WCDMA的双频单片SiGe BiCMOS功率放大器

采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计实现了一款用于3GPP WCDMA 850/2100(band-I/band-V)的双频单芯片功率放大器(PA)。PA采用单端共射级3级级联的结构,具有带模拟开关的片上偏置电路,通过控制偏置电流对两个PA工作状态进行切换。制造的芯片面积为1.82 mm×2.83 mm,片上集成了开关电路、偏置电路和输入匹配、级间匹配电路。在3.3 V电源电压下测试结果表明,对于band-V(CLR)频段,PA的线性输出功率P1 dB为28.6 dBm,5 dBm输入时,功率附加效率PAE,为34%。对于band-I(IMT)频段,PA的P1 dB为26.3 dBm,PAE为31%。     

新型北斗用户机射频模块设计

为减小北斗用户机的体积,降低终端成本,缩短终端系统调试时间,文中采用北斗卫星导航系统专用射频芯片,设计了一款新型的北斗用户机模块。该模块体积仅为27mm×19mm。调试后的测试结果为：接收通道噪声系数小于4．5dB,AGC（自动增益控制）范围大于55dB,中频输出幅度为峰峰值1V,输入驻波比小于1．5;发射通道功率调整范围达到-10dBm～5dBm,输出1dB压缩点大于10dBm,本振抑制大于30dB,本振相位噪声误差小于0．9°。测试结果表明射频模块性能全部满足整机要求。     

基于GaAs PHEMT工艺的60~90GHz功率放大器MMIC

研制了一款60~90 GHz功率放大器单片微波集成电路(MMIC),该MMIC采用平衡式放大结构,在较宽的频带内获得了平坦的增益、较高的输出功率及良好的输入输出驻波比(VSWR)。采用GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)标准工艺进行了流片,在片测试结果表明,在栅极电压为-0.3 V、漏极电压为+3 V、频率为60~90 GHz时,功率放大器MMIC的小信号增益大于13 dB,在71~76 GHz和81~86 GHz典型应用频段,功率放大器的小信号增益均大于15 dB。载体测试结果表明,栅极电压为-0.3 V、漏极电压为+3 V、频率为60~90 GHz时,该功率放大器MMIC饱和输出功率大于17.5 dBm,在71~76 GHz和81~86 GHz典型应用频段,其饱和输出功率可达到20 dBm。该功率放大器MMIC尺寸为5.25 mm×2.10 mm。     

一种适用于IEEE802．15．4（ZigBee）标准的2．4GHz CMOS射频收发机设计

本文提出了一种适用于IEEE 802．15．4标准的2.4GHz免认证ISM频段的全集成CMOS射频收发机．接收机采用低中频结构以降低功耗、提高灵敏度,发射机则采用直接上变频结构以降低设计复杂度和功耗．芯片采用0.18μm 1P4M CMOS工艺以及MIM电容制造,供电电压1.8V ．测试结果显示,在误包率为1％时,接收机灵敏度达到了-97dBm ,发射机输出至100Ω差分天线端口的最大输出功率为＋3dBm ．接收模式和发射模式下的电流功耗分别为17mA和19mA ,芯片面积3.3mm ×2.8mm ．     

适用于中国超宽带标准的0.18μm-CMOS单边带混频器设计

基于0.18 μm-CMOS工艺设计了一款适用于中国超宽带(UWB)标准的单边带(SSB)混频器.对电流换向型混频器进行分析,提出折叠PMOS跨导级结构使线性度和转换增益得以同时提升,并应用并联峰化技术扩展电路带宽,满足了系统超宽带、高线性度和增益适中的要求.结果表明,在6 GHz～9 GHz范围内,转换增益大于-2 dB且增益平坦,镜像抑制约为90dB,IP-1dB大于0 dBm,ⅡP3大于10 dBm.电路核心面积0.35mm×0.65 mm,工作电压为1.8 V,直流电流10.6 mA.     

元器件与组件

即插即用的蓝牙模块即插即用的蓝牙模块BGB201模块中集成了一个ARM7微控制器,224KB的Flash存储器以及诸多的接口,如USB、UART、PCM、GPI/O等等,体积和功耗都很小,适合对体积和功耗敏感的设备。Philipshttp://www.semiconductor.philips.com6GHz的单电压增强型PHEMT场效应管ATF-531P8E-pHEMTFET是单电压增强型PHEMT场效应管,采用微型LCC封装,提供0.6dB的噪声系数、+38dBm的OIP3和4V的工作电压,适用于规定工作频段为900MHz、1.9GHz和2.1GHz的蜂窝/PCS/WCDMA,同时适合于固定无线系统、无线局域网及在50MHz到6GHz…     

低电流微型功率放大器

据《Wirelesstech》2006年第3期报道,安华高公司为IEEE802.11b/gWLAN设计的E PHEMT功率放大器以业内最低的工作电流实现了高线性输出功率。该产品采用2mm×2mm的微型LPCC封装形式。该放大器在2.452GHz和3.3V偏压工作时,实现了25.5dB的增益和 19dBm的线性功率输出,采用速率为54Mbps的OFDM调节时,EVM为3%,电流消耗仅为95mA;如果以11Mbps的CCK调节时,则可以实现 23dBm的线性功率输出,电流消耗仅为200mA。低电流微型功率放大器@孙再吉…