电子器件用介电薄膜局部缺陷特性——第1部分

本文对探测和表征现代硅半导体器件工艺中使用的典型介电薄膜局部缺陷的各种分析方法的可能性及局限性进行了综述和比较。具有特殊性能的介质和绝缘材料,包括热生长二氧化硅和气相淀积二氧化硅、硅酸盐玻璃、氮化硅、铝氧化物,以及从几百埃到几微米厚的复合硅酸盐。详细讨论的分析方法有:光反差显微、扫描电子显微、白热介电击穿、选择性化学腐蚀、电解染色、液晶技术、电子探针微量分析和离子探针质谱分析等。还略述了几种附加方法,特别强调了这些方法最近取得的新的进展。讨论了实际运用.列举典型例子,并指出了今后的发展动向。     

半导体用超薄介质膜的生长和特性

随着集成电路器件物理尺寸的减少,介质膜的厚度也必然相应减少。而介质膜厚度的减小又会产生一些不希望有的物理的和电学的效应,特别是通常采用的二氧化硅介质膜厚小于15nm时,这些影响更为突出。在介绍这类薄二氧化硅的生长动力学和特性时,还分析了用氮氧化硅或氮化硅来代替二氧化硅的可能性,并对这种介质的性质及其在未来半导体工艺中应用的可能性作了比较。     

用SEM直接测定介质薄膜的厚度

本文主要介绍利用SEM对几种介质薄膜厚度的直接测定,并讨论了其应用的范围及测量精度,在集成电路的研制工艺中,需要研制多种同质和异质的介质膜,如氮化硅、二氧化硅,多晶和单晶硅、金属铝等。而通常用光学测量这些膜厚并相应地建立了直接或间接的多种方法,在此基础上我们利用SEM具有测量精度高、图象清晰等特点,建立了同时测量多种膜厚和非破坏的样品倾斜法,能谱特征峰比例法直接测定膜厚度,精度可达10％以内,方法简易、快速、精度高。尤其是可检测厚度的均匀性。实践表明,均能满足与符合工艺要求。     

基于缺陷分类的软件缺陷分析方法

结合实例介绍了几种常用的、基于缺陷分类的缺陷分析方法,并对这些方法在缺陷分析过程中的应用进行了讨论.通过对这些缺陷分析方法的剖析,使得项目组能够掌握应用,并对软件质量和开发过程有较清楚的认识,为今后软件质量的提高和开发程序的改进提供帮助.     

低介电常数(low-k)介质在ULSI中的应用前景

本文讨论了ULSI的发展对低介电常数(low-k)介质的需求,介绍了几种有实用价值的low-k介质的研究和发展现况,最后评述了low-k介质在ULSI中应用的前景.     

微波测量厚度技术

本文在简述微波测量金属和介质材料厚度原理的基础上,讨论了近年来国内外所应用的典型的微波测厚方法,分析了这些方法的特点和精度。     

靶场雷达测量数据误差分析方法研究

针对雷达测量数据误差分析的需要,如何提高其测量精度是一个迫切需要解决的问题。本文重点讨论了几种有实用价值的误差分析方法,包括最小二乘法应用的回归分析和残差分析方法、变量差分方法和误差模型分析方法,并对其测量误差进行了分析,指出这些方法中的一些研究方向和使用中应注意的问题。     

超薄LPCVD二氧化硅膜栅介质

本文介绍低温生长的薄LPCVD二氧化硅膜经短时间热退火后，热氮化后的物理及电学性质。与热生长二氧化硅膜性质进行比较，结果表明，LPCVD二氧化硅膜许多性质优于热生长二氧化硅膜。适合做MOS晶体管的栅介质。文中重点指出，小于10nm的超薄的LPCVD二氧化硅膜经快速热退火或热氮化后做MOS晶体管的栅介质，其电学特性优于热生长二氧化硅膜做栅介质的MOS晶体管。在低温器件及超大规模集成电路中有广泛的应用前景。     

几种典型的时频信号分析方法研究

目前提出的时频分析方法有很多,并在机械、电子、生物、医学等很多领域得到了广泛的应用。本文主要介绍几种典型时频分析方法并加以分析比较。     

MOS结构SiO2膜陷阱化动力学

本文建立了在高电场Ｆ－Ｎ隧穿注入条件下，ＭＯＳ结构ＳｉＯ膜中包含陷阱产生现象的陷阱化动力学方程。由这些方程导出若干结果；并这些结果，提出了确定ＳｉＯ膜内陷阱特性参量的分析方法。也简单讨论了二氧化硅膜内几各不同类型陷阱。     

时间码在音视频节目制作中的应用浅析

介绍了音视频设备中常用的几种时间码，并分析了这些时间码在音视频节目制作中的各种典型应用。     

大功率半导体激光器：分类,结构,特性,使用和应用

本文综述大功率半导体激光器。介绍了激光二极管的种类，描述了线性激光器阵列的典型结构和器件的典型特性，讨论了器件的使用方法和各种应用。     

检测氧化硅厚度的简易方法

介绍一种应用光的干涉原理测量二氧化硅及有关介质厚度的简易实用方法,具有方便、直观和简化设备的特点。     

时间码在音视频制作中应用浅析

本文介绍了音视频设备中常用的各种时间码，对这些时间码在音视频节目制作中的各种典型应用作了分析。     

抗辐射高速电子开关研究

本文比较系统地讨论了高速电子开关用于系统回避技术的几种典型方法,并就这些方法作了简要性能比较。认为,优化的f方案比较适合于所涉及的应用环境。同时,文中较详尽地介绍了实现f方案的具体方法和各种电路加固和工艺加固措施,以及一系列关键技术,提出了利用预辐射手段提高开关抗中子辐射能力的设想。     

CCD多晶硅层间复合绝缘介质研究

电荷耦合器件(CCD)多晶硅交叠区域绝缘介质对成品率和器件可靠性具有重要的影响。将氮化硅和二氧化硅作为CCD多晶硅层间复合绝缘介质,采用扫描电子显微镜(SEM)和电学测试系统研究了多晶硅层间氮化硅和二氧化硅复合绝缘介质对CCD多晶硅栅间距和多晶硅层间击穿电压的影响。研究结果表明,多晶硅层间复合绝缘介质中的氮化硅填充了多晶硅热氧化层的微小空隙,可以明显改善绝缘介质质量。多晶硅层间击穿电压随着氮化硅厚度的增加而增大,但太厚的氮化硅会导致CCD暗电流明显增大。由于复合绝缘介质质量好,可以减小CCD多晶硅的氧化厚度。     

FD—TD法求解有耗柱体电磁散射的近场

本文讨论了用时域有限差分法计算E平面波入射到任意截面柱体时的二维电磁散射近场问题。先计算了完纯介质柱体的几个典型的例子,与文献[1]中的实验结果及其它数值结果相比较,证明所用方法的有效性。然后,计算了有耗体和有耗介质覆盖导电体的电磁散射近场。     

用微电子测试结构研究超薄栅介质的可靠性

本文介绍了几种新颖的微电子测试结构及其应用,诸如栅氧化物可靠性评估、薄介质层击穿以及预示MOS绝缘层的边缘效应.同时讨论了超薄栅介质层的可靠性.     

激光光束的整形技术

本文简要概括了激光光束整形技术的发展和研究现状。就几种典型的光束整形技术,如非球面透镜组整形、微透镜阵列整形、衍射光学元件整形、双折射透镜组整形、液晶空间光调制器和圆锥镜等整形技术作了分类评述和讨论。介绍了各种整形的技术特点和实现方法,指出了这些整形技术尚待解决的一些问题,并展望了它们的可能应用领域和发展前景。     

高功率微片固体激光器

本文对Yb:YAG/YAG复合激光增益介质的侧面泵浦微片固体激光器进行了研究,制作了高光束质量和低波前畸变、输出功率达90 W的微片固体激光器,对超薄片式激活介质和透镜形激活介质等几种复合增益介质的新型设计进行了介绍和分析.