低温热处理期间硅中砷的异常扩散

业已发现,对于硼在砷扩散层下面的情况来说,在低温热处理期间,砷的扩散被加速了。其扩散系数与一般扩散系数相比是非常之大的,而且与处理时间有关。在700℃、5小时的扩散条件下,砷的有效扩散系数是1×10~(-16)厘米~2/秒,对于700℃、170小时的扩散,其有效扩散系数为7×10~(-18)厘米~2/秒。这样一种现象可能是由于在这些处理过程中形成过量的空位。对于以砷做发射极掺杂剂的 npn 晶体管说来,这也会引起发射极陷落效应。     

L-抗坏血酸水溶液扩散系数的全息干涉法测量

设计并建立了一套用于液相扩散系数测定的激光实时全息干涉及液相扩散模拟系统。测定了25℃0.33mol/LKCl水溶液的扩散系数,结果与文献值非常接近,证明了仪器的准确性。进而利用该装置测定了不同浓度(0.0100、0.0287、0.0542、0.0822、0.1007mol/L)的L 抗坏血酸水溶液的扩散系数,得到了不同浓度L 抗坏血酸水溶液在不同位置的扩散系数以及每一浓度的平均扩散系数为13.5552、12.5230、11.4577、10.5606、10.0148×10-6cm2/s。     

一种超高压自容式海底充油电缆绝缘油的毒性研究

本文分析了超高压海底电缆绝缘油的成分,并通过海缆绝缘油对小鼠的急性经口毒性实验和海缆绝缘油对费氏弧菌、牟氏角毛藻、卤虫、蒙古裸腹浯、凡纳滨对虾、裸项栉嘏虎鱼的水生生物毒性实验,对海缆绝缘油毒性进行分析和研究,得出海缆绝缘油的毒性情况。     

热处理过程中Hg1—xCdxTe／CdTe界面互扩散研究

对ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ结构热处理后的样品进行深度剥层腐蚀,并用椭偏光谱测量方法,获得了样品在４９０℃经０．５ｈ和２ｈ热处理后不同深度下的组份分布．根据实验结果对Ｚａｎｉｏ等人提出的扩散系数公式进行了修正,得到４９０℃热处理条件下的组份扩散系数ＤＨｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（４９０℃）＝４×１０－３×１０－３·ｘ．     

As在HgCdTe外延层中的扩散系数

使用二次离子质谱分析(SIMS)方法研究了As在碲镉汞分子柬外延样品中的扩散系数．获得了在240℃．380℃和440℃温度下As在碲镉汞材料中的扩散系数,并发现它与退火过程中Hg的分压有关,且Hg空位对As的扩散有明显的辅助增强作用．研究表明在低温段的240℃／24—48小时的退火中As的扩散非常有限,对样品中As的浓度分布影响不大,而在高温段380℃／16小时和440℃／30分钟退火中,As扩散较为明显,能使原来的PN突变结变缓．综合比较As杂质的电学激活以及As扩散因素,高温段440℃／30分钟的退火条件较理想．     

液相扩散系数与浓度的新关联方程和实验考察

用液相扩散新型金属膜池考察了含有长链分子的五个二元体系在25℃时不同浓度的扩散系数,得出了扩散系数与浓度的经验关联多项式的参数拟合值.推导了二元液相扩散系数与浓度的新关联方程:D_(AB)η/V=(D°_(BA)η_A/V_A)~(φA)(D°_(AB)η_B/V_B)~(φB)β用上列方程及其他用于比较的方程对23种体系(207点)进行了预估计算,其总平均百分偏差如下:结果表明,在无拟合参数的方程中,本文所提方程(22)的总平均百分偏差为最小.     

基于掠入射X射线反射谱的Mo/Si多层膜扩散系数测量

测量了Mo/Si多层膜在250℃下经历不同时间退火后的掠入射X射线反射谱,从中提取出特定级次衍射峰在退火过程中的相对移位,通过布拉格公式拟合,得到了Mo/Si多层膜周期厚度皮米级别的相对变化。采用扩散控制模型来描述Mo/Si多层膜界面扩散,界面厚度的平方随时间线性增加,由此拟合得到Mo和Si间的扩散系数为0.33×10-22 cm2/s。采用四层模型,对掠入射X射线反射谱进行全谱拟合,得到了Mo,Si和扩散层MoSi2的密度分别为9.3,2.5和5.4g/cm3,据此对Mo和Si间扩散系数进行修正,最终得到在250℃下,Mo/Si多层膜中Mo和Si间的扩散系数为1.88×10-22 cm2/s,从而为研究Mo/Si多层膜的热稳定性提供了定量依据。     

硼离子注入硅的剖面分布

本文研究了硼离子注入硅的载流子浓度分布.实验表明,载流子浓度分布可以近似用线性扩散方程的解来描述.因此,通过结深的实验值得到了一套随注入剂量,退火温度和时间变化的扩散系数.用这套扩散系数又可以计算出能量 40-400keV,剂量5×10~(13)-1×10~(15)cm~(-2),退火温度900℃-1100℃,退火时间15分-2 小时这个范围内的载流子浓度分布.     

浅析绝缘油电气强度试验

新时期我国社会经济发展比较迅速，因此生产与生活对电气设备的智联要求逐渐提升。在以往的社会生产与生活发展中，电气设备由于其故障隐患问题导致各类电气安全事故经常发生，给社会生产与人类生活带来了不利的影响。绝缘电气强度会影响到电气设备的运行与使用安全，因此人们越来越关注绝缘油电气的强度问题。本文就对绝缘油电气强度的试验工作进行总结与分析，探讨有关试验的方法与手段。     

多晶硅层中的硼扩散

用氮化硼和乙硼烷作扩散源,将硼扩散到5.5微米厚的多晶硅中。扩散深度与扩散时间的平方根成正比。多晶硅层中的硼扩散可用熟知的补余误差函数表示。硼源用乙硼烷时多晶硅中硼的扩散系数,比用氮化硼时要大,而且在实验范围内比单晶硅衬底中要大10～50倍。在1050℃用乙硼烷作硼源在单晶硅衬底中硼的扩散系数,用氮化硼和乙硼烷作硼源时在多晶硅中硼的扩散系数分别为:8.86×10~(-14),1.17×10~(-12)和1.95×10~(-12)厘米~2/秒。在以上情况中,硼的扩散系数的激活能分别为3.42,2.39和2.51电子伏。     

ZnO-Bi2O3系MLCV内电极扩散现象的研究

为了确定Bi系MLCV的最佳烧结温度。借助于SEM直接观察、内电极间不同位置处的能谱分析及高斯扩散公式的拟合,研究了内电极的扩散过程,并测量了内电极扩散对MLCV电气性能的影响。发现烧结温度高于1040℃时,内电极的扩散较显著;Ag和Pd沿晶界扩散的扩散系数相同,约10–11cm2/s。以Ag/Pd为内电极的MLCV的最佳烧结温度为1000℃左右,在该温度下烧结的试样其非线性指数可达28。     

绝缘油热裂解产生低分子烃类与温度的关系

本文简要叙述了绝缘油由于热裂解而产生任何一种烃类气体,其产气速率都随温度的变化而变化,并通过图文、列表及实例加以说明。     

在710℃下Al_xGa_(1-x)As液相外延短时间生长特性的研究

本文报道了在710℃下Al_xGa_(1-x)As过冷式液相外延的短时间生长特性.在710℃下,降温速率为 0.45℃/分钟时“流动”机制被抑制.短时间生长以“表面反应”机制为主.产生了较大的等效过冷度,它是薄层生长的主要障碍.测得在710℃下As在Ga溶液中的扩散系数为2.3×10~(-3)cm~2/s.并测得界面过渡层厚度为170A.     

激光实时全息干涉法测量甘氨酸水溶液扩散系数

本文利用激光实时全息干涉技术 ,测量了甘氨酸水溶液的扩散系数。首先测定了 2 98.15K下蔗糖水溶液的扩散系数 ,取得了较好的结果 (总相对误差为 0 .84 % ) ,证明了装置的准确性。进而用该装置对不同浓度下的甘氨酸水溶液进行测定 ,得到了不同浓度甘氨酸水溶液在不同位置的扩散系数及每一浓度下的平均扩散系数 ,并对结果进行了分析和讨论     

超精密油浸密封线绕电阻器

国外最近制成一种精密线绕管形电阻器.电阻器的电阻单元被密封在用黄铜制成、充有绝缘油的容器中,设计用作超精密匹配之用.它的温度系数极小,并具有高的稳定度.由于电阻单元被悬浮在绝缘油中,     

外延和体生长Hg_(1-x)Cd_xTe位错对自扩散的影响

在250和400℃之间用放射示踪剂研究了Hg_(1-x)Cd_xTe的汞自扩散,发现扩散分布有两个分量,用接触式自动射线显迹法表明体晶样品的尾迹分量与通过位错排的短路扩散有关。用位错分析确定扩散的尾迹分布特性和在缺陷结构D_(Hg)内估计了汞扩散系数。在饱和汞分压下测量晶格扩散系数D_(Hg)=2×10~4exp{-1.1eV/kT}cm~2s~(-1)。外延样品扩散汞的表面浓度大约为体晶Hg_(1-x)Cd_xTe的1/40。     

绝缘油色谱分析研究及应用

变压器绝缘状况的优劣是电力系统安全运行的关键因素之一。特别是超高压换流变,为确保其可靠安全运行,在投运前就对绝缘油有严格标准,本文针对实际工作中色谱分析操作和问题进行研究,并对在线监测系统的原理和系统进行介绍。     

Bubble结构牺牲层腐蚀的一种改进模型

以往的牺牲层腐蚀模型把扩散系数看作是常数,然而,实验结果和以往模型的计算结果在腐蚀开始一段较短的时间内吻合较好,但随着腐蚀时间的变长两者的差异越来越明显.为了解释这一现象并使模型能够较好地预测腐蚀过程,提出了腐蚀模型应该考虑氢氟酸扩散系数是浓度的函数,并在此基础上得到了改进模型.在改进模型中,浓度的下降会引起扩散系数的增大,这部分补偿了腐蚀前端浓度的下降.另外在改进模型中,扩散系数还是温度的函数.实验表明,改进模型与实验结果吻合地较好.这些结果不仅为对牺牲层腐蚀机理的理解提供新的证据,而且也为溶液在bubble结构里面的扩散提供新的证据.文中所观察到的这些现象也适合于其他类型的牺牲层腐蚀,条件是其腐蚀过程是受扩散限制的.     

锗硅单晶扩散系数理论探讨及各晶向扩硼实验

本文从杂质原子在锗硅单晶三个主要晶向的扩散模型着手,对各晶向的扩散系数进行理论推导,得出了扩散系数各向同性的结论;介绍了实验结果,并给出硼在硅单晶三个主要晶向的扩散系数随温度变化的关系曲线;最后探讨了理论与实验偏离的原因.     

Bubble结构牺牲层腐蚀的一种改进模型

以往的牺牲层腐蚀模型把扩散系数看作是常数,然而,实验结果和以往模型的计算结果在腐蚀开始一段较短的时间内吻合较好,但随着腐蚀时间的变长两者的差异越来越明显.为了解释这一现象并使模型能够较好地预测腐蚀过程,提出了腐蚀模型应该考虑氢氟酸扩散系数是浓度的函数,并在此基础上得到了改进模型.在改进模型中,浓度的下降会引起扩散系数的增大,这部分补偿了腐蚀前端浓度的下降.另外在改进模型中,扩散系数还是温度的函数.实验表明,改进模型与实验结果吻合地较好.这些结果不仅为对牺牲层腐蚀机理的理解提供新的证据,而且也为溶液在bubble结构里面的扩散提供新的证据.文中所观察到的这些现象也适合于其他类型的牺牲层腐蚀,条件是其腐蚀过程是受扩散限制的.