用质心波长表征AlGaInP基LED的结温

为了提高采用光谱参数表征AlGaInP基发光二极 管(LED)结温的准确度,提出了一种采用质心波长表 征结温的方法。采用光谱仪测量恒定电流下、不同衬底温度时,AlGaInP基大功率LED的归一 化光谱功率分布;然后计算质心波长,并 得到质心波长-结温系数;再结合小电流下的质心波长,得到质心波长表征结温的公式 。将5只红色和5只黄色AlGaInP基LED采用质 心波长法、正向电压法、峰值波长和中心波长法得到的结温比较后发现:采用实验室常用 的1nm采样间隔的可见光光谱仪,质心波 长法与作为基准的正向电压法相比,平均误差仅1.24℃,准确度较 高。质心波长与结温成良好的线性关系,而中心波长和峰值波长与结温成阶梯状变化,因此质心波长更适合表征AlGaInP基LED结温。     

COB封装全光谱LED光源及其光电特性

为了提高光源的显色指数,设计、制作一种COB封装的全光谱LED光源,通过在设计中增加峰值波长415nm的紫光LED芯片和发光峰值波长497nm、655nm的荧光粉,弥补了普通LED光源在紫光、蓝绿光和红光等光谱区间的能量分布不足。实验结果表明,发光效率达到103.34lm/W,全光谱LED光源显色指数高达99.38,接近日光100的显色指数,能够满足高质量照明领域对光源显色性的要求。     

峰值波长和浓度对转光膜与白光LED发光性能的影响

本文以高折射率有机硅胶和无机Y3Al5O12:Ce3+发光材料为原料,采用加热固化的方法制备出有机/无机转光膜,系统的研究了发光材料的峰值波长和浓度对于转光膜和制备的白光LED光色性能的研究,并进行了机理分析。研究结果表明：不同峰值波长变量中,545nm对应白光LED最大的光通量,是由于其光谱与人眼明视觉曲线具有最大的重叠面积有关;不同浓度变量中,由于存在发光材料的吸收饱和现象,在9%浓度时白光LED最大的光通量,色温则与浓度变化呈现单向递减趋势,色坐标和光色均匀度则随着浓度的提高而提高,综合多种指标获得本研究中最佳工艺参数为峰值波长为545nm,浓度为9%,对应白光LED器件光通量为131.5lm,色温4551K,色坐标（0.3479,0.3758）,光色位置处于黑体辐射曲线的白光区,说明了转光膜在白光LED领域应用的可行性。     

一体化封装LED结温测量与发光特性研究

基于一体化封装基板,制备了大功率白光LED。以低热阻的一体化封装基板为基础,设计了结温测量系统。利用光谱仪测得不同结温下LED的光电参数,并对其机理进行了分析。在工作电流为0.34A,所研究温度范围为10.8～114.9℃。实验结果表明,一体化封装的LED结温与正向电压、光通量、光效和色温有着良好的线性关系;结温的变化对主波长及色坐标影响甚微;结温的上升导致蓝光段强度下降且光谱发生红移,黄光段强度上升且光谱发生宽化,峰值波长由450nm转为550nm。     

载流子复合机制对不同发光波长InGaN基LED调制带宽的影响

传统的ABC模型主要用于研究InGaN量子阱中载流子的复合动态过程.使用传统的ABC模型计算载流子的复合速率和复合寿命,研究不同发光波长InGaN基LED的3 dB调制带宽与载流子复合机制的关系.计算分析结果表明,在相同的注入电流下,随着有效有源区厚度和量子阱层厚度的减小,400 nm近紫外、455 nm蓝光以及525 nm绿光三种发光波长LED的3 dB调制带宽均明显增大;在100 A/cm2的注入电流密度下,400,455,525 nm三种发光波长LED的3 dB调制带宽分别为62,88,376 MHz;在相同的电流密度下,LED的3 dB调制带宽随着In组分(In元素的原子数分数占In元素与Ga元素的原子数分数总和的比)的增加而增大;由于525 nm波长LED的In组分高,有效有源区厚度薄,所以源区载流子浓度高,在大电流密度下525 nm绿光LED的3 dB调制带宽达到376 MHz.     

热设计与测试：实现可靠SSL的关键因素

与向外辐射热量的白炽灯不同，LED产生的热量必须以传导的方式从这些半导体器件散播出去。如果没有合适的热管理，LED光能输出会减少，主波长和峰值波长则会增加，而色温也会发生变化。对于确保固态照明（SSL）灯具的功效和平均寿命而言，解决这些热学难题至关重要。     

一种新的基于软件的LED主波长计算方法研究

LED器件一般采用光谱仪对其光谱参数进行测试,利用公式计算出色品坐标,再利用色品坐标计算得到主波长。传统计算主波长的方法是通过先求斜率再查表得到结果,计算过程不够直观。本文提出一种新的可以准确计算LED主波长的方法,并利用软件编程实现,整个计算思路和过程简单直观,易于理解接受。最后对几种单色LED器件进行了实际测试和计算,验证结果证明本方法有较高的准确性,并且可以方便的切换参考光源,得到不同的计算结果。     

电压对有机蓝光器件发光光谱的影响

介绍了结构为ITO/40 nm 4,4′,4″-tris[N,-(3-methylphenyl)-N-phenylamino]tripheny- lamine(m-MTDATA)/5 nm N,N′-bis-(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′- diamine(NPB)/x nm 4,4-bis(2,2-diphenyl vinyl)-1,1-biphenyl(DPVBi)/y nm 6,11,12,- tetraphenylnaphthacene(Rubrene)/40 nm tris(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq)/0.5 nm LiF/Al的器件,其发光光谱的半峰宽在电压由2 V变为12 V时,由140 nm变为70 nm,器件发光的峰值波长由456 nm变为444nm的规律。半峰宽变窄是由于随着电压的升高,被Ru- brene俘获的电子获得了足够的能量,越过Rubrene层,在DPVBi中与注入的空穴形成激子而复合发光的概率的逐步增加所造成的。峰值波长蓝移是由于激子的形成区域随着电压的增加逐渐由DPVBi层移向NPB层造成的。器件峰值波长的这种变化对器件的色度改善有着很大的影响。     

四芯片色温可调白光LED的研究

为了实现高光效、高显色性且色温可调的白光LED,对四种单基色蓝、绿、黄、红光LED的混光进行了研究.基于Yoshi-单色光模型和光的叠加原理,通过改变四种LED芯片的组合方式(峰值波长、相对光功率配比),对不同色温区的混合白光的显色指数(Ra)、色品质数(Qa)和光视效能(K)进行了仿真计算和光谱优化选择.结果表明:在2 700～6 500 K色温范围内,峰值波长为445 nm,500 nm,560 nm,620 nm的组合可以得到高Ra值和高Qa值;峰值波长为445 nm,535nm,590 nm,615 nm的组合可以得到较高K值.此外还分析了组合白光LED光谱参数对Ra、Qa、K及相关色温的影响.     

光电器件与显示器

安捷伦超薄顶部发光三色LED安捷伦科技有限公司(AgilentTechnologies)日前宣布推出据称业内最薄的顶部发光三色表面贴装LED(发光二极管),主要应用于多功能超薄手机和PDA中的背光和状态指示灯。新推出的顶部发光LED与安捷伦近期推出的侧发光LED相结合,可使手机和PDA设计人员任意组合红色、绿色和蓝色光源。安捷伦HSMF-C114三色片状LED采用四端共阳极连接,封装为安捷伦1.6mm(长)×1.5mm(宽)×0.35mm(高)微型封装。HSMF-C114将InGaN(铟镓氮化物)蓝色(主波长为470nm,20mA的典型亮度值为70mcd)、InGaN绿色(主波长为525nm,典型亮…     

氮化镓基发光二极管的发光光谱和功率特性

用直流和脉冲电流的方法研究了氮化镓基紫色和蓝色发光二极管的发光光谱和功率特性.结果表明，紫色发光二极管的发光中心波长在直流情况下随电流的增加发生红移，在脉冲情况下随电流的增加发生蓝移；蓝色发光二极管的发光中心波长在直流和脉冲情况下都发生蓝移.两种发光二极管的功率在直流情况下会发生饱和，并随电流的进一步增加而急剧减小，以上现象可能是由于热效应和量子阱中的压电效应引起的.     

利用金属光栅提高LED发光效率的研究

为了提高发光二极管(LED)的发光效率,在LED出光面放置金属光栅,采用时域有限差分法进行了理论分析和模拟计算.结果表明,对光栅优化后,金属光栅对波长460nm的透射率接近1,可提高LED的光提取效率;在此波长下,可同时激发局域表面等离激元和表面等离极化激元,有助于提高LED内量子效率;且具有金属光栅结构的LED的发光...     

移去电子阻挡层对双蓝光波长LED性能的影响

采用数值分析方法进行模拟分析In Ga N/Ga N混合多量子阱中移去p-Al Ga N电子阻挡层对Ga N基双蓝光波长发光二极管(LED)性能的影响。结果发现,与传统的具有p-Al Ga N电子阻挡层的双蓝光波长LED相比,移去电子阻挡层能有效地改善电子和空穴在混合多量子阱活性层中的分布均匀性,实现电子空穴在各个量子阱中的均衡辐射。在小电流驱动时,移去电子阻挡层器件的发光功率要明显优于具有电子阻挡层的器件;而在大电流驱动时,电子阻挡层能有效地减少电子溢流,改善器件的发光效率。     

Fabrication and property analysis of AIGalnP red light LED with high bright

The LED with DBR and enhancing transmission film was grown by MOCVD. At 20 mA DC injection current, the LED peak wavelength was 623 nm, the light intensity was 200 mcd, and the output light power was 2.14 mW. The light intensity and output light power have been improved than traditional LED.     

宽反射角DBR红光发光二极管

对用于提高AlGaInP红光发光二极管出光效率的传统DBR进行了分析,用MOCVD生长了包含对垂直入射光反射的DBR和对斜入射光反射的DBR复合在一起的红光LED,在20 mA注入电流下,LED的峰值波长为630 nm,轴向光强达到137 mcd,输出光功率为2.32 mW.与常规的LED相比,光强和输出光功率有很大的提高.     

透明导电ITO欧姆接触的AlGaInP薄膜发光二极管

提出了一种透明导电氧化铟锡(ITO)欧姆接触的AlGaInP薄膜发光二极管(LED)的结构和制作工艺.在这个结构里,ITO还作为窗口层材料,增强电流扩展,并应用了高反射率的金属作为反光镜.用Au-Sn合金(Au∶Sn＝8∶2,重量比)作为焊料,把带有金属反光镜的AlGaInP LED(RS-LED)外延片倒装键合到GaAs基板上,并去掉外延GaAs衬底,把被GaAs衬底吸收的光反射出去.与常规AlGaInP吸收衬底LEDs(AS-LED)和带有分布布拉格反光镜(DBR)的AlGaInP吸收衬底LEDs(DBR-AS-LED)电、光特性的比较,用透明导电ITO做欧姆接触的AlGaInP薄膜RS-LED结构能极大提高光输出功率和发光强度.正向电流20 mA时,RS-LED的光输出功率分别是AS-LED和DBR-AS-LED的2.4倍和1.7倍;RS-LED 20 mA下峰值波长624 nm的轴向光强达到了179.6 mcd,分别是AS-LED 20 mA下峰值波长627 nm和DBR-AS-LED 20 mA下峰值波长623 nm轴向光强的2.2倍和1.3倍.     

MOCVD生长双有源区AlGaInP发光二极管

设计并用金属有机物化学气相沉积方法生长了双有源区AlGaInP发光二极管,该发光二极管的两个AlGaInP有源区用高掺杂的反偏隧道结连接.双有源区发光二极管在20 mA注入电流下,主波长为623 nm,峰值波长为633 nm,电压为4.16 V,光强为163 mcd.     

基于银纳米薄膜欧姆接触的高波长选择性紫外探测器研究

常规的半导体紫外探测器波长响应范围宽,而紫外光的应用具有较强的波长选择性,如320nm波段的紫外光在医学方面有重要的应用,因此,具有高波长选择性的紫外探测器的研制有重要意义。文章采用GaN基p-i-n探测器结构,通过在p区覆盖银纳米薄膜作为欧姆接触层和波长选择透射层,成功制备了对320nm波段紫外光高选择性探测的紫外探测器,器件性能如下:70nm银层的紫外光透射率峰值超过30%,器件在-5V偏压下的暗电流为10-12 A量级,响应峰值为0.06A/W,响应峰发生在325nm处,光谱响应峰半高宽约30nm。     

A new device converting optical analog signals to light pulse density signals for fiber-optic sensing system

Signal conversion of optical analog signals to light pulse density signals was accomplished using a p-n-p-n LED and a simple passive RCL circuit. The light pulse density was 0.69 Mbit/s. The variable ratio per 1 μW of incident light power was 0.8 kbit/s. The peak wavelength, half width, detecting wavelength range, and output light power of the p-n-p-n LED were 900, 60, 650-900 nm, and 1.2 mW/50 mA, respectively.