低压控制输入／高压负载驱动芯片PWR—INT20X简介

低压控制输入／高压负载驱动芯片ＰＷＲ－ＩＮＴ２０Ｘ简介陈小牧，李东星美国ＰＯＷＥＲＩＮＴＥＧＲＡＴＩＯＮ是专业从事电源半导体芯片的设计和生产的公司。我们在本刊第４期向读者介绍过其开关电源芯片ＰＷＲ－ＳＭＰＺＸＸ系列。现再向读者介绍其高压负我驱动控制接...     

SPT推出CMOS单片高速A/D变换器系列

ＳＰＴ推出ＣＭＯＳ单片高速Ａ／Ｄ变换器系列ＳｉｇｎａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓＩｎｃ．（ＳＰＴ）推出１０位ＣＭＯＳ单片高速ＡＤ变换器系列。这一系列的速度从５ＭＳＰＳ到４０ＭＳＰＳ。其中的５种产品分别是ＳＰＴ７８３５（５ＭＳＰＳ），...     

能减少元件约50%的VIPer系列智能开关电源IC

ＶＩＰｅｒ系列单片ＩＣ集先进的电流型ＰＷＭ控制电路和功率开关于一体，功率开关管是采用专利技术制造的纵向智能功率ＭＯＳＦＥＴ，可编程开关频率达２００ｋＨｚ，这种精巧独特的ＩＣ可使ＳＭＰＳ元件减少约５０％。本文介绍了ＶＩＰｅｒ系列单片ＩＣ的功能、特点及其应用电路。     

能减少元件的50%的VIPer系列智能开关电源IC

ＶＩＰｅｒ系列单片ＩＣ集先进的电流型ＰＷＭ控制电路和功率开关于一体，功率开关管是采用专利技术制造的纵向智能功率ＭＯＳＦＥＴ，可编程开关频率达２００ｋＨｚ，这种精巧独特的ＩＣ可使ＳＭＰＳ元件减少的５０％，本文介绍了ＶＩＰｅｒ系列单片ＩＣ的功能，特点及其应用电路。     

DC－40GHzMMIC开关

ＤＣ－４０ＧＨｚＭＭＩＣ开关叶禹康，俞土法，伍祥冰（南京电子器件研究所，２１００１６）提要＊用微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）技术设计制作了高隔离度、超快速ＤＣ－４０ＧＨｚＭＭＩＣ开关（ＳＰＳＴ）。开关采用串联、并联单元ＭＥＳＦＥＴ兼用的电路结构。芯片尺...     

DC－40GHzMMIC开关

ＤＣ－４０ＧＨｚＭＭＩＣ开关叶禹康，俞土法，伍祥冰（南京电子器件研究所，２１００１６）提要＊用微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）技术设计制作了高隔离度、超快速ＤＣ－４０ＧＨｚＭＭＩＣ开关（ＳＰＳＴ）。开关采用串联、并联单元ＭＥＳＦＥＴ兼用的电路结构。芯片尺...     

维护GSM基站的点滴经验

山东省移动通信公司ＧＳＭ第７期工程已经结束很长时间了 ,但在开通基站时遇到的问题却记忆犹新 ,对日后的维护工作也颇有借鉴。现记录如下 ,供参考。１ＢＳＰＷＲＢ与ＢＳＰＷＲＴ应该≤（ＴＸ的）ＭＰＷＲ因为ＢＳＰＷＲ是基站即ＣＥＬＬ的辐射功率 ,而ＭＰ ＷＲ则是基站发射机的输出功率 ,经过ＣＯＭＢＩＮＥＲ及馈线后会有所衰减 ,ＢＳＰＷＲ当然要＜ＭＰＷＲ。在定义ＣＥＬＬ参数及ＭＯ参数时 ,一定要注意ＢＳＰＷＲ≤ＭＰＷＲ这一点 ,否则基站会出现很奇怪的现象 :ＭＯ状态正常 ,ＴＲＡＰＯＯＬ中有空闲设备 ,将ＣＥＬＬＡＣＴＩＶＥ…     

卡拉OK处理芯片M65839SP与M65840SP

卡拉ＯＫ处理芯片Ｍ６５８３９ＳＰ与Ｍ６５８４０ＳＰ菱电国际（上海）有限公司诸昭华日本三菱电机最近推出’了单片话筒回声芯片Ｍ６５８３９ＳＰ和单片数字音调控制芯片Ｍ６５Ｓ４０ＳＰ。这两块芯片可共同完成卡拉ＯＫ娱乐系统的基本功能，包括话筒放大、回声和音调控...     

低压低能耗应用的InGaAs／AlGaAsPHEMT单片微波SPDT开关

提出了微波频率下ＰＨＥＭＴ在作开关运用时一种简化的等效电路模型，其模型参数可从对实际ＰＨＥＭＴ芯片的在片微波测试方便地确定。对于电路中元件采用不同尺寸组合情形下所进行的开关性能（插入损耗，隔离度，输入及输出反射损耗）的模拟计算表明，与实验结果符合良好。在对串／并联ＰＨＥＭＴ型ＳＰＤＴ开关的ＣＡＤ优化设计基础上进行了ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓＰＨＥＭＴ单片ＳＰＤＴ微波开关的实验研制。从研制的ＭＭＩＣ芯片上在片测试得到的结果为：对应新的个人通信频段的应用，在０～２ＧＨＺ范围内，插入损耗＜１．０ｄＢ，隔离度＞５０ｄＢ，输入及输出反射损耗均优于２４ｄＢ。研制的这种高性能单片开关还可在低至－２．０Ｖ的控制电压下工作。     

三端CMOS开关电源

三端ＣＭＯＳ开关电源郝鸿安图１所示是三端ＣＭＯＳ型开关电源用集成单片电路功能框图。用它可以简单方便地构成功率可达１００Ｗ的开关电源，具有效率高达９０％、控制驱动耗电小至６ｍＷ、内保护完善（过压过流热保护均齐备）等优点。该集成电路型号为ＰＷＲ－ＴＯＰ２...     

EPSON公司四位单片机选型指南

ＥＰＳＯＮ公司四位单片机选型指南ＳＭＣ６２系列四位单片机ＳＭＣ６２系列单片微处理器是以高效能四位核心ＣＰＵＳＭＣ６２００或ＳＭＣ６２００Ａ为基础组成的成套系列产品。这些产品在ＲＯＭ及ＲＡＭ容量、Ｉ／Ｏ口、片内ＬＣＤ驱动器、电源电压检测电路及高性能外...     

《国外电子元器件》2002年总目录

电源及功率器件类８０Ｃ１９６ＭＣ波形发生器和智能功率模块在逆变器中的应用［０１-０８］手持电话用镍镉／镍氢电池充电器控制芯片Ｍ６２２５６ＦＰ［０１-１６］新型高功率单片高压开关ＴＯＰ-ＧＸ系列稳压电源的研究［０１-１９］双路ＵＳＢ功率分配开关ＭＩＣ２５３６及其应用电路［０１-２８］精密双稳压控制器ＡＤＭ１０５１／１０５１Ａ［０１-５６］ＭＣ３３３７０系列单片开关集成电路及其应用［０１-５８］双路微功耗低电压电源管理芯片ＭＩＣ２７７７［０１-６２］多路输出，顺序供电电源控制器［０１-７２］低压同步ＰＷＭ控…     

蜂窝电话基带处理器走向单片化

蜂窝电话基带处理器走向单片化ＲＯＭ基ＤＳＰ５６６５２处理器适于蜂窝电话用户市场的严格要求。ＤＳＰ５６６５２芯片上的高度集成使用系统设计的复杂性减至最小、元件使用最少,从而实现功耗低、成本效益好的系统性能。ＤＳＰ５６６５２芯片包含：３２位Ｍ·ＣＯＲＥＭ...     

具有同步整流功能的高效单端反激变换控制器ML4863的应用

近年来,为了提高低压变换器的效率,通常采用同步整流技术。为此,需要两种驱动信号,ＭＬ４８６３既可驱动单端反激式变换器初级功率开关（ＭＯＳＦＥＴ）,也可驱动作同步整流的ＭＯＳＦＥＴ。因此大大简化了电路结构,提高了效率,本文介绍了ＭＬ４８６３的内部结构和实际应用电路。     

以太网到SONET/SDH映射芯片

安捷伦科技公司推出其创新产品———ＨＤＭＰ -３００１,以太网到ＳＯＮＥＴ／ＳＤＨ（ＥｏＳ）映射芯片。ＨＤＭＰ -３００１是一款通用芯片 ,运用该创新产品 ,网络和电信设备可为ＳＯＮＥＴ／ＳＤＨ网络同时提供局域网和广域网的接口 ,大大降低了覆盖多个地域的企业网络的运营维护成本。ＨＤＭＰ-３００１是由安捷伦科技与武汉邮电科学研究院共同研究开发的 ,也是安捷伦科技的ＳＯＮＥＴ／ＳＤＨ多协议芯片 (ＭＰＩＣ)系列中的第一款。ＭＰＩＣ可以将各种协议的信息映射到ＳＯＮＥＴ／ＳＤＨ中 ,为企业级用户将数据业务传送到ＳＯＮＥＴ…     

BiCMOS直流开关型变换器集成模块的CAD设计

讨论了ＢｉＣＭＯＳ工艺和直流开关型变换器工作原理。对直流开关型变换器集成模块进行了ＣＡＤ设计，并给出ＳＰＩＣＥ仿真结果及分析。结果表明，所设计的直流开关型变换器集成模块输出电压稳定、纹波小、工作频率高、功耗低，且体积小。     

深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计

本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导较大，且对热载流子效应的抑制能力较强，因此具有比较好的性能．给出了ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ的优化设计方法．当ＭＯＳＦＥＴ尺寸缩小到深亚微米范围时，ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ将成为一种较为理想的器件结构     

新颖的含PFC的PWM ZVX AC—DC变换器

提出了一种新的具有功率因数补偿（ＰＦＣ）功能的零电压开关（ＺＶＳ）ＡＣ－ＤＣ变换器基于不连续导电模式（ＤＣＭ）下的Ｂｏｏｓｔ环节实现ＰＦＣ功能,但其具有ＺＶＳ机制从而解决了ＤＣＭ下因开关关断大的峰值电流引起的关断同、ＥＭＩ严重的问题,同时还消除了由于开关的寄生电容引起的开通损耗,该变换器可以采用通用控制芯片并工作在ＰＷＭ模式,文中分析了提出变换器的工作原理,并给出了基本设计原则,模拟和实验结果证明     

与CMOS—SEED灵巧象素相关的倒装焊工艺

介绍了新型ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ灵巧象素结构原理及相关的倒装焊技术。采用厚光致抗蚀剂作掩模,通过磁控溅射和真空蒸发相结合,解决了与ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ有关的Ｉｎ凸点阵列成型等关键工艺,并用Ｍ８－Ａ型可视对准式倒装焊系统完成了ＣＭＯＳ电路芯片和ＳＥＥＤ阵列芯片的倒装焊。     

与CMOS-SEED灵巧象素相关的倒装焊工艺

介绍了新型ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ灵巧象素结构原理及相关的倒装焊技术,采用厚光致抗蚀剂作掩模,通过磁控溅射和真空蒸发相结合,解决了与ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ有关的Ｉｎ凸点阵列成型等关键工艺,并用Ｍ８－Ａ型可视对准式倒装焊系统完成了ＣＭＯＳ电路芯片和ＳＥＥＤ阵列芯片的倒装焊。