10Gbit/s高T0无制冷分布反馈激光器

与折射率耦合分布的分布反馈（DFB）激光器相比,不管界面反射率是多少,增益耦合DFB激光器都能稳定地单纵模工作,而且具有高速、低啁啾的特性．本课题组用AlGaInAs/InP材料,采用增益耦合DFB结构,进行了单纵模激光器研发,并对器件特性进行了测试分析．     

10Gbit/s高T0无制冷分布反馈激光器

与折射率耦合分布的分布反馈(DFB)激光器相比,不管界面反射率是多少,增益耦合DFB激光器都能稳定地单纵模工作,而且具有高速、低啁啾的特性.本课题组用AlGaInAs/InP材料,采用增益耦合DFB结构,进行了单纵模激光器研发,并对器件特性进行了测试分析.     

国内外光通信光源技术新进展

目前，光通信正在向高速、大容量、宽带宽、长距离、低成本方向迅速发展。光通信的关键器件——光源已取得很大进展，不仅第三代高速宽带的应变层量子阱激光器、垂直腔面发射激光器和光纤激光器取得重大进展，一些新型光源，如量子点激光器、量子级联激光器、光子晶体激光器和微碟激光器等也随着光通信应用的需求取得重大进展。     

高速脊波导激光器寄生电容的分析

高速调制半导体激光器光源是光纤通信系统、相控阵雷达等的关键器件。高速激光器的寄生电容是影响其调制带宽的因素之一。为了减小寄生电容,针对脊波导结构激光器的电容,采用计算机模拟与实际测试相结合的方法,进行了理论分析和实验验证。结果表明,其寄生电容大小不仅与电极金属化面积有关,还与隔离沟的腐蚀深度有关。当腐蚀至波导层时,寄生电容减小到10pF以下。这一结论对实现激光器的高速调制是非常有意义的。     

GaAs单片集成激光器驱动电路在片测量

用多触头微波探针 ,对 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片进行了在片测试和筛选 ,测得芯片频率响应带宽为 3.8GHz.使用高速增益开关半导体激光器作为采样光脉冲源 ,采用了背面直接采样方式建立了电光采样测试仪 .检测了 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片内部点的高速电信号波形 .     

GaAs单片集成激光器驱动电路在片测量

用多触头微波探针,对GaAs单片集成激光器驱动电路芯片进行了在片测试和筛选,测得芯片频率响应带宽为3.8GHz.使用高速增益开关半导体激光器作为采样光脉冲源,采用了背面直接采样方式建立了电光采样测试仪.检测了GaAs单片集成激光器驱动电路芯片内部点的高速电信号波形.     

高速半导体激光器等效参数的提取

本文克服了背地共面线谐振现象的有害影响，制作了国产高速半导体激光器非匹配微波封装组件，测试了组件的频响特性，由此提取了器件的等效参数，讨论了改善国产器件性能的技术途径。     

波长可调谐DFB激光器及其进展

目前，可调谐激光器是高速大容量光通信系统、波分复用、时分复用系统中的关键器件，也是光测试和快速波长交换等系统的重要光源，有着重要意义和广泛的应用前景。本文介绍了波长可调谐分布反馈（DFB）激光器及其进展。     

基于DSP的DFB激光器驱动电源设计

为了满足痕量气体检测系统对高精度激光器驱动电源的需求,基于DSP的高速运算性能,通过内环模拟反馈与外环PID控制算法相结合的双反馈模式来达到精确控制激光器驱动电流的目的,设计了一种基于DSP的 DFB 激光器驱动电源。以中心波长为1651 nm 的 DFB 激光器进行驱动性能测试,线性度达到99.996%。连续50小时不间断工作,驱动电流的波动幅度仅有0.004mA,为DFB激光器在痕量气体浓度检测方向提供了有力保障。     

用于高速GaAs IC在片检测的电光取样系统

目前直接电光取样技术是在片检测砷化镓高速集成电路内部动态特性的最好方法。我们建立了半导体激光器电光取样系统，测试了梳状信号发生器输出的４３．７ｐｓ的电脉冲信号以及频率５ＧＨｚ的微波信号，并测试了频率３ＧＨｚ的微波信号的位相移动或时间延迟以及铁氧体微波移相器的静态特性曲线，这个系统将被应用于砷化镓高速集成电路内部动态特性在片检测。     

ZnS:Er量子点材料制备及其受激发光特性研究

在水性介质中，制备了ZnS：Er量子点，并对其的X射线（XRF）谱、X射线衍射（XRD）谱、透射电子显微镜（TEM）图像和光致发光（PL）谱进行了研究，确定了所制备的ZnS：Er量子点材料中Er的浓度，观测到ZnS：Er量子点呈粒径为4nm的近球型结构。利用LD激发，在LD不同电流强度下得到ZnS：Er量子点从波长1500nm到1650nm的宽谱发射，并随着电流强度的增加ZnS：Er量子点的发射强度明显增加，当电流强度达到1．5A时，1545nm波长处的发射峰更明显。     

LD实现波长变换的消光比特性分析

提出了新的基于LD实现波长转换的理论模型，将互耦合系数引入到LD的速率方程中，并根据大信号反转粒子数密度与增益系数间的关系，求出了决定波长变换效果的互耦合系数，数值模拟结果表明其值小于1；利用该理论模型研究了转换后信号的消光比特性，结果表明，大的信号光功率、小的波长间隔及小的注入电流情况下有利于获得大的消光比。实验研究了不同信号光功率对波长转换消光比的影响，结果进一步表明理论分析的正确性。     

基于分级控制策略的激光器组件恒温控制技术

首先综合考虑环境温度、热沉、LD组件(LDM)注入电流以及热电制冷器(TEC)电流等因素,建立了LDM恒温控制的一维传热数学模型,进而分析了影响LDM温度稳定性的主要因素,提出了分级控制方法;结合硬件实现比例积分(PI)算法动态特性好和数字电位计可编程控制的优点,提出了一种结合电位器数字控制技术与PI算法实现变PI控制的方法;在环境温度为20±3℃条件下,进行了对比实验。结果表明,在10~40℃范围内,未考虑环境温度影响的稳定度为±0.045℃,而采用分级控制策略的恒温控制方法后稳定度为±0.003℃。     

1.3μm波长InGaAsP／InP脊形波导激光器

本文介绍用一次液相外延制备五层结构的晶体材料及自对准的工艺方法研制成功的１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ脊形波导（ＲＷＧ）结构的激光器。用有源区向上的装架方式，在２５℃时，激光器最小连续波（ＣＷ）阈值电流为２３ｍＡ，且均匀性较好；最大单面光电转换效率为０．１８ｍＷ／ｍＡ；在６５℃的环境温度下其最大发射功率仍大于１０ｍＷ；用标准单模光纤耦合，２５℃下阈值电流为２０ｍＡ的入纤光功率大于１．５ｍＷ。     

940nm LD泵浦双包层掺镱光纤激光器的实验研究

对940nm半导体激光器泵浦的掺镱双包层光纤激光器进行了实验研究.在双端泵浦下,采用两种不同的腔结构对光纤激光器的输出特性进行研究.以光纤两端面构成平-平(F-P)腔获得了总功率为10.1W的连续激光输出,斜效率达40.5%,输出激光的光谱范围为1092～1103nm;以二色镜和光纤反馈端面构成平-平腔,获得单端输出功率为6.42W的连续激光输出, 输出激光的光谱范围为1091～1105nm,在此输出功率下测得功率不稳定度为1.6%(RMS).     

新型光电子光源器件电场分布特性测试研究

本文介绍了应用连续波电光检测法（ＣＷＥＯＰ）对ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双异质结激光器及其列阵和发光管列阵电场分布进行扫描测量的结果，研究了这三种光源器件不同部位的电场分布和电力分布特点及列阵器件的发光均匀性。     

直接序列扩频LD9002DX2 的原理及应用

本文介绍了Lanwave公司的码分扩频专用芯片LD9002DX2的基本原理，及其在基于LD9002DX2的直接序列扩频系统中的应用。     

连续输出62．5mW的LD泵浦Nd：YAG微片激光器

实现了ＬＤ泵浦Ｎｄ：ＹＡＧ微片激光器的室温运转，当泵浦功率为３４０ｍＷ时，１．０６μｍ激光的ＣＷ输出功率为６２．５ｍＷ，总的光－光效率为１８％。本文简述了实验装置、结果，研究了微片激光器的一些输出特性。     

GaN薄膜技术的几点突破

简单回顾了半导体短波长激光器的发展过程,归纳了ＧａＮ基ＬＤ（激光器）制作中ＧａＮ膜的几点技术突破。     

有铝激光器和无铝激光器特征温度对比研究

为了测量两种有源区材料半导体激光器的温度灵敏度,文中对InGaAsP/GaAs无铝和AlGaInAs/AlGaAs/GaAs有铝的808 nm大功率半导体激光器,采用阈值电流法衡量两种有源区材料激光器的特征温度。在各种温度下实验性地测量激光器的P-I曲线,并采用线性拟合法得到阈值温度线性关系,实验结果表明有铝激光器温度性能明显优于无铝激光器。