EEPROM单元结构的变革及发展方向

扼要阐述了电可擦除可编程只读存储器（ＥＥＰＲＯＭ）发展史上的各种结构如ＦＡＭＯＳ、ＭＮＯＳ、ＳＩＭＯＳ、ＤＩＦＭＯＳ、ＦＥＴＭＯＳ（ＦＬＯＴＯＸ）等，比较了它们的优缺点，着重论述了ＥＥＰＲＯＭ结构今后的变革方向。     

全耗尽SOI MOSFET及CMOS／SOI电路的研究

采用ＳＩＭＯＸ材料，研制了一种全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ模拟开关电路，研究了全耗尽ＳＯＩ ＭＯＳ场效应晶体管的阈值电压与背栅偏置的依赖关系，对漏源击穿的Ｓｎａｐｂａｃｋ特性进行分析，介绍了薄层ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ制作工艺，给出了全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的测试结果。     

CMOS／SIMOX倒相器的抗总剂量辐照特性

对条栅ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ倒相器在不同偏置条件下进行了＾６０Ｃｏγ射线的总剂量辐照试验，比较研究了ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ对倒相器功能的影响，发现ＮＭＯＳ抗总剂量副照性能比ＰＭＯＳ差，主要是ＮＭＯＳ引起器件功能的失效。     

MCBiCMOS门阵列的母片设计

本文介绍ＭＣＢｉＣＭＯＳ门阵列的母片设计技术。由于采用了先进的ＭＣＢｉＣＭＯＳ工艺和设计技术，ＭＣＢｉＣＭＯＳ更适合地制作高性能，大规模的专用集成电路。在２μｍＣＭＯＳ和３μｍ双极相结合的设计规则基础上，我们设计了ＭＣＢｉＣＭＯＳ２０００门门阵列母片，并利用ＭＣＢｉＣＭＯＳ宏单元库，成功地完成了ＣＧＢ２００３     

MOTOROLA八合一手机维修卡

为便于快捷准确地测试和维修ＭＯＴＯＲＯＬＡ系列ＧＳＭ手机,市面上先后推出了几种特殊用途的ＧＳＭ手机卡,外形与普通的ＳＩＭ卡一模一样。利用这些特殊卡可不用拆机就能对ＭＯＴＯＲＯＬＡ系列手机省时省力地测试和维修,有了这些卡,许多ＭＯＴＯＲＯＬＡ ＧＳＭ手机常见的软件故障几乎“卡”到病除。因此这些特殊卡已经成为维修ＭＯＴＯＲＯＬＡ ＧＳＭ手机的必备工具。 常见的单一功能卡有：ＭＯＴＯＲＯＬＡ串号修复单卡,ＭＯＴＯＲＯＬＡ测试卡,ＭＯＴＯＲＯＬＡ维修卡。常见的二合一卡能修复串号和解除８位特殊密码。常见的三…     

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新一代单边带通信机摩托罗拉推出新一代单边带通信机ＭＩＣＯＭ2,以其先进的数字信号处理技术、轻巧坚固之外形、简易操作和优异的通信效果,深受各国用户欢迎。ＭＩＣＯＭ2共有四组型号,分别为ＭＩＣＯＭ2Ｂ基本型(包括ＭＩＣＯＭ2ＢＶ对讲型)、ＭＩＣＯＭ2Ｍ海事型(包括ＭＩＣＯＭ2ＭＶ对讲型)、ＭＩＣＯＭ2Ｅ增强型和ＭＩＣＯＭ2Ｒ军事型。ＭＩＣＯＭ2ＭＶ是针对中国推出的经济实用的对讲电台,配置原厂或其它生产商供应的天调均可提供优异的通信效果。ＭＩＣＯＭ2单边带通信机更具备数据、ＧＳＰ卫星定位、传真与电话网络或ＶＨＦ/ＵＨＦ…     

CMOS／SIMOX例相器的抗总剂量辐照特性

对条栅ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ例相器在不同偏置条件下进行了６０Ｃｏγ射线的总剂量辐照试验，比较研究了ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ对倒相器功能的影响，发现ＮＭＯＳ抗总剂量辐照性能比ＰＭＯＳ差，主要是ＮＭＯＳ引起器件功能的失效。     

自对准硅化物CMOS／SOI技术研究

在ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸＳＯＩ电路制作中引入了自对准钴（Ｃｏ）硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路速度性能的影响．实验表明，采用ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和方块电阻，改善单管的输出特性，降低ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振电路门延迟时间，提高ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的速度特性．     

一种新型的MOS栅控晶体管——MOSGCT

提出了一种新型的ＭＯＳ栅控晶体管——ＭＯＳＧＣＴ。该结构在ＤＭＯＳ的一侧引入一个ＮＰＮ晶体管,使之在正向时具有ＤＭＯＳ与ＮＰＮ双极晶体管的混合特性,在关断时具有与ＤＭＯＳ相似的快速关断性。对耐压６００Ｖ的ＭＯＳＧＣＴ进行二维数值分析,其结果表明ＭＯＳ－ＧＣＴ的电流密度比ＤＭＯＳ提高４５％,且关断时间小于１００ｎｓ     

光时分复用技术

时分复用（ＯＴＤＭ）技术是实现超高速传输的很有交的技术。本文论述了ＯＴＤＭ的主要技术及其前景，通过对ＯＴＤＭ技术在点对点通信系统对网络系统中的应用介绍，提出了ＯＴＤＭ和ＷＤＭ的结合是将来网络发展的方向。     

短沟道CMOS／SOI器件加固技术研究

通过大量辐照实验分析了采用不同工艺和不同器件结构的薄膜短沟道ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件的抗辐照特性，重点分析了Ｈ２－Ｏ２合成氧化和低温干氧氧化形成的薄栅氧化层、ＣｏＳｉ２／多晶硅复合栅和多晶硅栅以及环形栅和条形栅对ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件辐照特性的影响，最后得到了薄膜短沟道ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件的抗核加固方案．     

CMOS／SOI的高温特性分析

采用ＳＩＭＯＸ和ＢＥＳＯＩ材料制作了ＣＭＯＳ倒相器电路，在２５￣２００℃的不同温度下测量了ＰＭＯＳ和ＮＭＯＳ的亚阈特性曲线，实验结果显示，薄膜全耗尽ＩＭＯＸ器件的阈值电压和泄漏电流随温度的变化小于厚膜ＢＥＳＯＩ器件。     

超高速OTDM进展及Tbit/s级可行性分析

介绍了高速光时分复用（ＯＴＤＭ）的关键技术,总结了ＯＴＤＭ光传输的最新进展,对实现Ｔｂｉｔ／ｓ　ＯＴＤＭ光纤 通信的可行性和关键技术做了分析。     

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一种高速低功耗EPROM读写电路

本文主要介绍一种高速低功耗ＥＰＲＯＭ读写电路，包括ＥＰＲＯＭ单元管、读写电路，以及产生写ＥＰＲＯＭ所需高电压的高电压发生器，并着重分析了ＥＰＲＯＭ读写电路低功耗的特点。     

硅微波功率DMOSFET发展现状

简要地评述了硅微波功率ＤＭＯＳＦＥＴ（ＬＤＭＯＳ,ＶＤＭＯＳ）的发展概况,叙述了硅微波功率ＤＭＯＳ的基本结构和一些重要的制造技术。对微波功率ＤＭＯＳ的性能,特点与ＢＪＴ进行了比较,并对其应用,发展方向及前景进行了探讨。     

采用混合模式晶体管(BMHMT)构成低温BiCMOS集成电路

本文介绍采用与ＣＭＯＳ工艺完全相容的双极／ＭＯＳ混合模式晶体管（ＢＭＨＭＴ）构成新型的低温ＢｉＣＭＯＳ集成电路．理论分析表明该电路与ＣＭＯＳ相比，在电压摆幅相同，静态功耗相近的条件下，具有更大的驱动能力，尤其在较低的工作电压下，其特点更加突出．我们用统一的标准和相同芯片面积设计了３９级带负载的ＢｉＣＭＯＳ和ＣＭＯＳ环形振荡器．实验样品经室温和低温平均门延迟时间测试，表明在相同工作电压下ＢｉＣＭＯＳ优于ＣＭＯＳ．若两种电路都采用ＳＯＩ结构，预计ＢｉＣＭＯＳ可以获得更好的结果     

SIMOX技术的研究进展

注氧隔离的ＳＩＭＯＸ技术是获得ＳＯＩ材料的最先进的技术，本文讨论了ＳＩＭＯＸ技术的研究进展，比较了ＳＩＭＯＸ和ＳＩＭＮＩ两种材料的优缺点。     

亚微米BiCMOS工艺技术

ＢｉＣＭＯＳ是双极的速度和驱动能力与ＣＭＯＳ的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因，ＢｉＣＭＯＳ器件主要以ＣＭＯＳ为主。因此，双极器件通常并入ＣＭＯＳ核心工艺流程。当器件尺寸减小时，双极和ＣＭＯＳ技术显得愈发相似。本文例举了０．８μｍ和０．５μｍ的技术论点，ＢｉＣＭＯＳ电路与ＣＭＯＳ相比，成本稍有增加，但其性能提高一倍。     

SOI CMOS的开发现状和21世纪的展望

叙述了ＳＯＩ ＣＭＯＳ迅猛发展的原因及技术背景、ＳＯＩ ＣＭＯＳ的特征及其适应ＬＳＩ低功耗和高速化要求的特点。并就ＳＯＩ ＣＭＯＳ在结构优化、性能提高等方面的发展态势作一论述。