微机管理工艺设计

工艺过程卡是指导工厂生产加工的重要工艺文件。同一零件每次生产加工都要靠工艺人员拟制工艺过程卡,数万张图纸的试制加工任务,就要工艺人员把主要精力耗费在这繁重,重复的编卡劳动中,由于工艺人员工作经验的差别,因而拟制的工艺内容千差万别,给组织生产加工造成一定影响。为了减轻工艺人员的重复劳动,缩短工艺过程的设计时间,提高工艺编卡质量,保持工艺相对稳定、正确、统一,我们尝试了用计算机管理,打印工艺过程卡(见表1)     

名词解释

一、机械行业“工艺突破口”工作的五条标准 1.建立健全、统一、有效的工艺管理体系; 2.有一套能充分发挥工艺人员作用的方法; 3.完善工艺文件和规章制度,严格考核办法,执行三按(按标准、按设计、按工艺)、三定(定人、定机、定工种),工艺纪律有明显好转; 4.建立起文明生产秩序; 5.消除因工艺管理不善而造成的产品质量问题,基本上建立起正常的工艺工作秩序,使产品质量基本稳定,并有所提高。二、工艺工作工艺工作内容可以分为工艺技术(包括工艺方法、工艺材料及工艺装备在内的整套技术)及工艺     

评价IC芯片质量与可靠性的关键技术研究

对CPK、SPC和PPM三项评价IC芯片质量和可靠性的关键技术进行了研究.使用这三项技术,实际评价了芯片制造工艺中的氧化工艺.实践证明,这三项技术在工艺生产能力评估、工艺过程控制和失效分析等方面具有广阔的应用前景,特别是在工艺过程中对特殊工艺的评估.     

两种孔金属化工艺的运用体会

直接电镀工艺和化学沉铜工艺是印制电路板孔金属化的两大主要工艺。虽然两大主要工艺目的都是使线路板两面实现互连,但其采用的原理不一样,配方相差很大,应用的设备也相差很大。文中从两种工艺优缺点比较、工艺流程及工序作用的比较、工艺参数及控制的比较着手,在应用体会中精辟分析了两种工艺应用中各个侧重的控制点。读者可根据自身特点选用相应的工艺。     

影响SMT焊接质量的几个工艺性设计因素

SMT工艺作为电子装配的核心工艺,其质量的优劣将直接影响产品的生产成本和整体质量,因此,减少SMT焊接缺陷已经成为SMT生产中的关键因素之一。本文中,笔者将结合自己多年从事生产实践和设计改造分析的经验,简要分析印制电路板(PCB)焊盘设计工艺、印刷工艺、贴装工艺、焊接工艺对SMT焊接质量的影响,并提出相应的预防措施。     

集成稳压二极管的器件结构和工艺研究

在集成电路中,稳压二极管的器件结构和工艺方法有很多种,它们的器件特性、工艺特征、工艺控制方法各不相同。文章对各种集成稳压二极管的结构和工艺方法分别进行了分析和研究,包括稳压二极管的反向击穿点、稳定电压的离散性和热稳定性、工艺集成的便捷性、关键工艺控制点等。通过这些研究,总结了这些稳压二极管的器件结构及其工艺方法各自的利弊,为工程人员设计、研究和开发集成有稳压二极管的技术平台提供了一些参考方向。     

LTCC工艺自动切片技术

切片是LTCC工艺中的生瓷片流延后的第一道工艺,切片技术的好坏直接影响到后续工艺,其关键点在于其切刀与生瓷片定位技术.在介绍LTCC切片工艺的基础上,重点讨论了切片技术中的关键切刀部分的技术特点、材料特性、工艺过程和工艺控制,并分析了解决办法,介绍了该工艺在近期的应用和发展.     

工艺综合与响应表面法的应用

工艺综合是一种自顶向下的工艺、器件设计方法.MOSPAD软件系统是基于工艺综合的思想开发的工艺与器件辅助设计工具.本文通过使用MOSPAD系统,对工艺改进中的实际问题采用工艺综合的方法,确定正确的工艺条件.在工艺综合系统中使用响应表面法加快其综合的速度,并利用响应表面模型以分析工艺窗口造成的灵敏度问题.     

ODF工艺的进展

综述了近年来液晶滴下(ODF)工艺的进展.主要围绕ODF工艺的基本原理、关键材料、设备特点进行了介绍;并结合传统真空灌注(FILLING)工艺,阐述了ODF工艺的优点,展望了ODF工艺未来的发展方向.     

硫酸盐型亚光纯锡电镀工艺在PCB上的应用

介绍了硫酸盐型亚光纯锡电镀工艺,并就该工艺在PCB上应用时各工艺参数如电流效率、添加剂工艺配方等影响进行了讨论。用该工艺取代PCB制造通常使用的氟硼酸体系工艺作为图形蚀刻时的保护镀层,不仅利于环保,而且质量稳定可靠,具有极佳的性价比,是达到电子产品无铅化的首选工艺。     

高频双极晶体管工艺特性研究

高频双极晶体管由于具有高频、电流放大等特性,已广泛应用到放大器电路、电动机、高频雷达、航空航天工程等领域。对目前典型的高频双极晶体管制作工艺进行了分析与探讨,重点研究了制作工艺中的难点,包括集电极深N阱工艺、多晶硅刻蚀工艺、多晶硅发射极工艺。设计并试制了工程样品,对于关键工艺对器件结构及参数的影响进行了详细的研究,可为实际的生产制造提供理论指导。     

力旺Neobit OTP推出65nm硅智财解决方案

力旺电子宣布,Neobit OTP嵌入式非挥发性内存硅智财（One-Time Programmable Embedded Non-Volatile Memory）之客户量产晶圆规模已突破一百万片,工艺布建包含逻辑工艺、高压工艺、硅锗工艺、无线射频与混合信号等各类工艺,广泛应用于数字消费性电子芯片、液晶显示器驱动芯片、电源管理芯片、微控制器与时序控制芯片等产品。     

低k介质与铜互连集成工艺

阐明了低k介质与铜互连集成工艺取代传统铝工艺在集成电路制造中所发挥的关键作用。依照工艺流程,介绍了如何具体实现IC制造多层互连工艺:嵌入式工艺、低k介质与平坦化、铜电镀工艺与平坦化;阐述了工艺应用现况与存在的难题,给出了国际上较先进的解决方法。     

自动光刻工艺

作为集成电路生产中的光刻工艺——照相制版工艺包括几个工艺,在各工艺中,使用以各工艺的处理为目的专用设备。比如:硅片涂胶工艺、涂胶后的坚膜工艺及光刻工艺等主要工艺,依据生产器     

硅基MEMS加工技术及其标准工艺研究

本文论述了硅基MEMS标准工艺,其中包括三套体硅标准工艺和一套表面牺牲层标准工艺.深入地研究了体硅工艺和表面牺牲层工艺中的关键技术.体硅工艺主要进行了以下研究:硅/硅键合、硅/镍/硅键合、硅/玻璃键合工艺及其优化;研究了高深宽比刻蚀工艺、优化了工艺条件;解决了高深宽比刻蚀中的Lag效应;开发了复合掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀和单一材料掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀工艺研究.表面牺牲层工艺主要进行了下列研究:多晶硅薄膜应力控制工艺;防粘附技术的研究与开发.     

聚四氟乙烯绝缘导线的挤出工艺

介绍了聚四氟乙烯绝缘导线挤出工艺过程,提出了必要的工艺参数、工艺要求,分析了工艺问题的原因。希望有助于生产工艺人员在聚四氟乙烯挤出工艺过程当中作出正确的选择和控制,以提高工艺水平和产品质量,减少浪费。     

声表面波器件晶圆键合工艺研究

声表面波器件向小型化、集成化、更高性能方向发展,需要制作复合单晶薄膜和采用晶圆级封装。该文针对关键工艺中的晶圆键合工艺开展研究,提出工艺要求,简述有关键合工艺要求和设备特点,并进行了金属键合工艺验证。实验证明,设备和工艺能满足产品封装要求。     

MMIC Foundry工艺的进展

介绍了与标准工艺加工线(Foundry)工艺相容的功率MMIC制造工艺、毫米波PHEMT MMIC foundry工艺的最新进展和遇到的问题。此外,还给出了用稳定的foundry工艺获得的结果。     

简易常白型液晶模块制备工艺研究

本文论述了常白型液晶模块实验室条件下的制备方法,并对各个工艺环节进行了研究,研究的重点在清洗、涂膜、摩擦、制盒、灌注工艺。在研究过程中对各个工艺的工艺环境、工艺参数进行了细致的研讨,同时对工艺中常见的问题进行了讨论,总结了问题处理方法。在模块制作完成后进行了透过率的测试,得到了透过率与偏振片夹角之间的关系。     

无氰镀金工艺的实践

本文介绍了一种新的不含游离氰的无氰镀金工艺,以及相关的无氰化学镀金工艺特点,包括镀层结构致密,结晶均匀、槽液稳定,杂质容忍度高,过程更环保。与无氰沉金工艺相似,该工艺的生产技术成熟、管理措施齐全、金盐供应充足、对不同客户的适应性强,有望成为替代传统有氰工艺的技术。