X波段微带线定向耦合器的设计与模拟

提出了一种在X波段工作的高定向性的微带线定向耦合器结构，该结构在微带线两端和中间同时加入补偿电容以实现高定向性；随后我们分析了该种定向耦合器，推出了计算它的一系列表达式；最后通过ADS软件模拟得出了用该结构设计出的7dB定向耦合器的S参量，在12GHz中心频率下S11、S21、S31和S41分别为-44dB、-0．968dB、-6．997dB和-43．68dB，从而验证了理论分析的正确性。     

一个用于GSM的80dB动态范围∑-Δ调制器

设计了一个用于GSM系统的Sigma-Delta调制器．GSM系统要求信号带宽大于200kHz，动态范围大于80dB．为了能取得较低的过采样率以降低功耗，采用了级联结构（MASH）来实现，与单环高阶结构相比，它具有稳定及易于实现的优点．设计工作时钟为16MHz，过采样率为32，基带带宽为250kHz，电路仿真可以达到最高82dB的SNDR和87dB的动态范围．芯片采用SMIC0．18μm工艺进行流片，面积为1．2mm×1．8mm．芯片测试效果最高SNDR=74．4dB，动态范围超过80dB，测试结果与电路仿真结果相近，达到了预定的设计目标．芯片工作在1．8V电源电压下，功耗为16．7mW．     

基于CMOS工艺的一种低功耗高增益低噪声放大器

采用0．18μm CMOS工艺，两级共源结构实现了低功耗高增益的低噪声放大器（LNA）设计。共源结构的级联采用电流共享技术，从而达到低功耗的目的。电路的输入端采用源极电感负反馈实现50欧姆阻抗匹配。同时两级共源电路之间通过串联谐振相级联。该LNA工作在5．2GHz，1.8V电源电压，能提供20dB的增益（S21为20dB），而噪声系数为1．9dB，输入匹配较好，S11为-32dB。     

宽带单刀多掷PIN开关的设计

介绍了微波PIN开关的电磁结构模型的建立及计算机仿真，讨论了宽带单刀多掷开关的设计要点。采用该方法成功设计了1—18GHz吸收式单刀五掷开关，其插损≤3．5dB．驻波≤2．2，隔离度≥60dB。     

宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器

采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构，研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器．此放大器在100～250mA的工作电流范围内，获得了大于70nm的3dB光带宽；在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内，偏振灵敏度小于1dB．对于1.55μm的信号光，在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率．     

一种新型宽带EDFA及其实验研究

文章提出了一种基于三端口增益平坦滤波器、且在拓扑结构上不同于以往并行或串行结构的掺铒光纤放大器（EDFA）的新结构。理论模拟显示，同常规的并行结构EDFA相比，该新型结构在保证C波段EDFA性能的同时亦可将L波段掺铒光纤（EDF）用量减少48％以上，改善L波段泵浦效率55％以上。实验中，我们在C波段使用两只输出功率分别为106．9和109．6mW的980nm泵浦激光器，两段EDF的长度分别为8．5和9．6m，在L波段我们仅用1只80mW的1480nm泵浦激光器，EDF长度为19．8m。试验结果显示，在C＋L波段内得到的信号增益〉23dB，增益平坦度〈0．6dB，噪声指数在C和L波段内分别〈4．4dB和5.6dB。     

基于Banyan网络的无阻塞SiO2波导4×4矩阵光开关

提出了一种基于Mach-Zehnder干涉仪（MZI）结构开关单元和Banyan网络的严格无阻塞4×4矩阵光开关。相对于Crossbar结构的7级单元级联，Banyan结构只需3级连接。分析了Banyan网络中交叉连接损耗与交叉角度的关系，交叉角30°时损耗为0．09dB。优化设计了MZI开关单元结构，并制作了2×2光开关，测得插入损耗（IL）为-14dB、串扰（XT）为-38dB和功耗为450mW。设计了基于Banyan网络的4×4光开关，连接波导交叉角为30°。基于光波导平面光波线路（PLC）技术，制作了严格无阻塞的SiO2波导4×4矩阵光开关，测得平均儿为3．95dB、通道XT为-37dB、偏振相关损耗（PDL）为0．4dB、单通道开关功率约为670mW及开关响应时间小于1ms。     

S波段低功耗单片集成低噪声放大器

报道了S波段低功耗单片前置放大器的研制结果。该单片电路采用1μm×600μmGaAsE－MESFET、源反馈电感以及具有平面结构的集总参数LC匹配元件。用离子注入技术保证电路具有较好的一致世。在2．3GHz频率点测试结果如下：Ga＝80dB，NF＝2．06dB／2．0V，2．2mA；Ga＝10．5dB，NF＝2．25dB／3．0V，4．8mA。测试结果与设计目标基本一致，这一结果说明在低功耗应用选取GaAsE－MESFET作有原器件是可行的。     

电阻网络在集成电路电子音量调节中的应用

提出了一种新颖的电阻网络设计方法，该方法设计误差小、音量调节精度高、版图容易实现。该设计方法是在串联电阻网络的基础上进行了改进，提出了串并联电阻网络结构，误差降到0．6％以内。实现了串联电阻网络无法实现的大衰减，可达99dB，调节步进为1dB．     

环形腔高掺Er3 窄线宽光纤激光器实验研究

报道了采用光纤光栅（FBG）短直腔选频结构的环形腔窄线宽光纤激光器。采用约3m长高掺Er^3光纤，LD抽运阈值功率约为11mW，在25mW976nm有效抽运功率时输出信号功率为2．65mW，斜效率约为15％；输出激光3dB线宽小于0．01nm，20dB线宽小于0．04nm，边模抑制比（SMSR）为48dB；观察到输出信号光波长漂移范围为0．06nm。     

皱纹长圆铜波导

微波通信所用的馈线,除要求其具有良好的电气性能外,还要求其可绕、大长度.皱纹长圆铜波导(以下简称长圆波导)不失为一种较好的馈线,为此介绍了此波导的特点、理论分析和设计方法,以及它与常用的椭圆波导、茧形波导之间的差异.此外,长圆波导的另一个用处是作为移动通信的漏泄波导,兼顾传输线和天线的作用.     

太赫兹波导器件研究进展

近年来，太赫兹科学技术的发展极为迅速。与此同时，以波导为基础的、用于太赫兹传输的器件应运而生，其中主要包括：太赫兹金属波导、太赫兹光子晶体波导、太赫兹光子晶体光纤、太赫兹聚合物波导、太赫兹塑料带状波导、太赫兹蓝宝石光纤等。为此，就国际上太赫兹波导器件方面的研究进展和最新动态进行了较详细的分析和归纳总结。     

铁电薄膜光波导的研究进展

文章介绍了铁电薄膜光波导的特点和表征方法,综述了铁电薄膜材料与制备方法,探 讨了铁电薄膜光波导的发展趋势。     

同轴TE_(11)~⊙模与矩波导TE_(10)模的耦合计算

首先建立同轴 TE1 1 ⊙ 模与圆波导 TE1 1 o 模的等效关系。进而将同轴 TE1 1 ⊙ 模与矩波导 TE1 0 模的耦合问题转化为其等效圆波导 TE1 1 o 模与矩波导 TE1 0 模的耦合问题。实验证明 ,理论计算与实测结果吻合     

单片集成玻璃光波导器件

制备了三元件集成玻璃光波导器件──两个光波导短程透镜、一个光波导光栅。采用Ｋ＋／Ｎａ＋交换方法制备光波导。制备的器件用半导体激光测试，用ＣＣＤ和示波器接收观察光信号。实验观察到光波导光栅的Ｂｒａｇｇ（布拉格）衍射，衍射效率为３０％。     

SRR异向介质特性研究及其在导波结构中的应用

将SRR异向介质引入导波结构.研究表明:含有SRR异向介质的平行平板波导和矩形波导将出现无截止频率传播和单模传输频带增大的横电波和横磁波.而对于含有异向介质的非辐射介质波导和H波导,纵剖面磁(LSM)波型和纵剖面电(LSE)波型的相速度能够减慢,并且会引起功率流动的增强.另外,LSM波型和LSE波型有时会出现传播常数随频率增高而减小的异常高次模式.利用异向介质的双各向异性效应可以有效减少LSM和LSE波型的高次模漏波现象.尤其当异向介质取单负参数时,高次模漏波将可以被完全抑制.     

LNL型幂次律非线性平板波导的传播特性

采用有限差分法计算分析了（LNL）型幂次律非线性（ε∞|E|^δ）平板波导的传播特性，得到了不同幂次δ下，LNL型非线性平板波导的场分布曲线族、芯区功率曲线族以及总功率曲线族。结果表明，δ越大，稳定传播所需光功率越小。     

五层非线性平板波导TE模的特性

文章提出了分析中间层为非线性介质结构的五层平板波导TE模的解析方法,推导出了这种结构下普遍适用的色散关系式,给出了各层介质中的场分布和功率分布的解析式,并根据这一模型,就对称结构的五层非线性平板波导结构的模式特性进行了实例计算与讨论。     

宽带波导魔T的设计

介绍了一种宽带波导魔T的设计，并使用三维电磁仿真软件对其进行仿真计算。本设计中波导魔T的带宽达到了一个倍频以上，使其有了更广的使用范围。     

对称非线性包层平板多量子阱波导TE模的传播特性

分别用精确计算和方均根近似方法得到了包层及衬底均为非线性Ｋｅｒｒ型介质、芯区为多量子阱的对称平板波导中ＴＥ模的传播特性。数值计算表明,当芯区多量子阱的层数较多时,方均根近似方法得到的结果与用精确方法得到的结果一致,此时多量子阱波导可以等效为均匀介质。对于自聚焦情况,在合适的光功率下,当分界面处包层（及衬底）的有效折射率与芯区折射率相等时,芯区的场分布呈均匀分布而两侧的场呈指数式衰减;功率继续增大时,场分布的极值进入芯区两侧,而芯区场分布呈下凹形。对于自散焦情况,波导对导波场有较强干线性波导的束缚作用,且随光功率的增大而增强。