ROHM开发成功适于车载环境下、使用SPI接口EEPROM世界首创双单元结构

半导体制造商ROHM株式会社最近开发出一种适合车载环境下使用的EEPROM（非易失存储器），这种新产品采用世界首创的双单元结构，可以在125℃条件下稳定工作，与SPIBUS兼容。ROHM倡导用双单元结构来实现高可靠性，整个EEPROM产品系列都采用这种新结构。而且，这次开发出的样品可以在125℃下稳定工作；[第一段]     

非易失性RMA将取代SRAM和NOR闪存

FRAM（铁电存储器）、MRAM（磁阻存储器）和PRAM（相变存储器）等非易失性RAM相继上市，它们兼具DRAM和SRAM的高速性以及闪存和EEPROM的非易失性（见图1）。这类存储器产品的写入时间很短，     

电可改写集成电路翩然而至

电可改写集成电路(Electrically Erasable integrated circuit,EEIC)包括电可改写可编程只读存储器(EEPROM),闪速存储器(Flash memory)和可编程电可改写逻辑器件(Programmable Electrically Erasable Logic Device,PEELD)三大类。电可改写集成电路的早期产品是EEPROM。EEPROM的问世,主要是解决EPROM擦除困难及成本高的问题。闪速存储器是1987年提出来的,是EEPROM走向成熟与半导体生产技术发展到1微米以下以及对大容量电可擦除存储器要求的产     

软件与开发工具

Stag Programmers公司的P803能同时对8个器件编程,使用双插入式模块,每个模块有4个插座。这种单元设置能支持多种器件,包括EPROM、EEPROM和快闪存储器,以及采用     

东芝公司开发高密度NAND型实用化的器件技术

日本东芝公司为了能使新一代的高密度NAND型存储器实用化，已研制成能大幅度缩小存储器单元面积的器件技术。NAND型存储器由于存储单元的结构简单，作为适合于大容量的半导体特别引人注目。为了使记忆媒体实用化，占芯片面积大部分的存储器单元面积缩小和低价格的技术是必要的．该公司所开发的新技术是EEPROM用的目调整STI单元技术和DRAM用的新存储器单元技术。由于采用这些技术，新一代的高密度半导体存储器的高集成度和低价格是可能的。前者的技术，在NAND型EEPROM的器件分离中采用浅沟道技术（STI），对于杨电极来说，用自…     

欧洲的半导体存储器市场

Philips，SGS－ThomsonMicroelectronics，Siemens的半导体市场都有很大的发展，并建立独特的存储器工业。在这三个公司中Siemens的存储器比例最高，为43％。以DRAM为主，EEPROM也看好。在16MbDRAM方面与IBM公司合作，在64MbDRAM／256MbDRAM方面，实现与IBM公司，东芝公司的三公司合作，以加强存储器工业。SGS－Thorn－son公司存储器的比例为19％，但在EPROM和EEPROM方面是世界最大的工厂之一。PhllpS和IBM公司决定共同生产4MbDRAM，而目前只生产EPROM。欧洲的半导体存储器市场@一凡…     

闪速存储器在2000年将摧毁EPROM市场

几年来,分析家一直在预测E-PROM行将消亡.自从闪速存储器几年前成为一种前途广阔的非易失存储器选用产品以来,EPROM一直在受到挑战.在蜂窝电话、调制解调器、BIOS存储器和其他无数嵌入式系统等大批量应用装置需求的不断推动下,EPROM还是顽强地生存下来.但是,在1995年,闪速存储器的发展势如破竹,因而已使EPROM发展停滞不前.当前的预测表明,闪速存储器的使用量已大于EPROM.现在看来,到2000年,EPROM将逐渐消声匿迹,这已成定局.甚至一些特定的专业应用领域也将从EPROM转向闪速存储器和EEPROM等替代器件.     

半导体业界的大赢家2000年存储器市场风云回顾

2000年,对半导体市场来说是激动人心的一年。据SIA（半导体行业协会）报道：全球半导体销售首次突破2000亿美元,达到2050亿美元,比1999年增长37．1％。其中,存储器市场秉承99年发展事态,以势如破竹之势获得迅猛发展,DRAM（动态读写存储器）、Flash（闪存）、SRAM（静态随机存取存储器）、EPROM（可擦除式可编程只读存储器）、EEPROM（电可擦处可编程只读存储器）市场都有不同程度的窜升,尤以Flash市场战绩最为显赫,在全球通信行业的发展热浪的推动下获得248％的增长率。二十一世纪的今天,让我们重温二十世纪最后一年存储器行业曾经的辉煌。     

爱特梅尔嬴得专利诉讼

爱特梅尔(ATMEL)公司（那斯达克ATML）2000年10月17日宣布了美国国际贸易委员会(ITC)编号为337-TA-395的调查结果及最终裁定以及有限驱逐令。美国国际贸易委员会发现：在可擦可编程只读存储器(EPROM)，电可擦可编程只读存储器(EEPROM)，快闪存储器(Flash)以及快闪存储器微处理器等半导体器件以及产品领域中，爱特梅尔公司的编号为4,451,903美国专利是有效的，可执行的。 另外，美国国际贸易委员会宣布了有限驱逐令以禁止“侵权的可擦可编程只读存储器，电可擦可编程只读存储器，快闪存储器以及快闪存储器微处理器等半导体器件以及包含这些器件的电子产品进入美国市场”。ITC进一决定，“根据关税法337(j)条款的规定，在等待总统通知委员会关于驱逐令的最终决定的60天期限内，侵权器件以及包含这些器件的电子产品只有缴纳每件0.78美元后才能够进入美国市场”。     

AT28C系列EEPROM中数据的保护

并行EEPROM存储器在工业现场使用时，有时由于会受到较大干扰而可能导致其存贮在EEPROM中的数据内容发生改变或丢失。文中分析了并行EEPROM受干扰而丢失数据的原因，介绍了ATMEL公司AT28C系列EEPROM的结构、特点和性能，详细阐述了该EEPROM卓越的硬件和软件数据保护（SDP）功能，最后给出了SDP算法和部分C51程序。     

快闪存储器前景

在存储器领域中,80年代末期由美国Intel公司率先研制推出的快闪存储器(FlashRAM)以其优异性能令商家耳目一新,由此推动快闪存储器在移动通信、个人电脑及网络设备等领域获得广泛应用,现正逐年取代EPROM、EEPROM以及PC机的BIOS芯片,成为与DRAM     

串行EEPROM的发展趋势

非易失存储器有很多类型,容量也各不相同.这种存储器的涵盖范围很广,从价格低廉但灵活性不强的只读存储器(ROM)一直到价格昂贵但十分灵活的电可擦可编程存储器(EEPROM).各类非易失存储器之间的主要差别是编程和擦除的灵活性.ROM具有结构最紧凑的芯片存储器阵列布局,因而价格最低,但是存储器内容在生产阶段是固定的.比较灵活的是一次可编程 EPROM(OTP ROM).这种存储器在生产后可以电编程一次,这就使用户在设备组装时有能力把最新版本的内容装入存储器.EPROM具有类似的性能,但是又增加了另一层灵活性,同为它还可以暴露在强紫外(UV)光下擦除后重新编程.但是,擦除时间需要20分钟,而且重新编程是用一个专用编程器完成的.     

Flash厂商动态

国外市场分析家认为，由于EPROM利用紫外光来重写，而Flash（快闪）存贮器仅需用电执行重写，因此，Flash市场增长迅速，最终将抢走EPROM的一半市场。近期来，Flash价格下降，又加速它的市场扩大。许多硅片生产商看好这一形势，纷纷加入这一竞争。对于Flash的开发，多数为联合开发，是它竞争中的一个特点。目前，日本NEC公司已与美Sundsk成立Flash存储器生产联盟；双方决定将256MFlash列入开发计划，NEC负责0．35μm工艺和版图开发。Sundisk负责系统与电路设计。预定在96年完成开发，97年投入生产。三菱公司以不开发下一代EPROM…     

EEPROM单元抗辐射版图设计技术

随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用,国际上对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多。为了达到提高存储器件抗辐射性能的目的,文章从版图设计的角度出发,首先分析了辐射对器件造成的影响,接下来分别介绍了基于FLOTOX和SONOS工艺的EEPROM器件特性,同时指出了在版图设计时需要注意的电压耦合比的问题。在设计中,利用管内隔离和管间隔离的方法,使得管内源/漏端和相邻两管源/漏端之间没有场氧介入,或是将场氧隔开,不让场区下形成漏电通道。设计出的EEPROM版图,不但满足了目前的工作需要,同时为以后抗辐射版图设计提供了有用的参考。     

EEPROM单元的电荷保持特性

利用理论推导和实验方法对电可擦除可编程只读存储器EEPROM单元在给定电压下的电荷保持特性进行了分析和研究,得出了EEPROM单元电荷保持能力的理论公式,得到了单元保持状态下的电特性曲线,发现在双对数坐标下,阈值电压的退化率与时间成线性关系.在假定电荷流失机制为Fowler-Nordheim隧穿效应的情况下,推出了EEPROM单元在给定外加电压下的电荷保持时间,并通过实验得出了简化的EEPROM单元寿命公式.     

三菱电机/日立制作所共同出售16M位DINOR型闪烁存储器

据《电子材料》杂志1996年第2期上报道，三菱电机公司和日立制作所共同开发了16M位DINOR型闪烁存储器，现在已开始出售样品。DINOR型存储单元是三菱电机公司单独开发的，它具有NOR型的高速性和NAND型的高集成性等两大特点，同时也是能够实现低功耗化的单元。使用这个单元．在原来采用单电源实现低功耗化较为困难的闪烁存储器中，在世界上首次同时实现了3．3V单电源化和高速随机存取80ns（最大）。另外，还考虑到易于使用等功能。三菱电机/日立制作所共同出售16M位DINOR型闪烁存储器     

EEPROM单元的电荷保持特性

利用理论推导和实验方法对电可擦除可编程只读存储器EEPROM单元在给定电压下的电荷保持特性进行了分析和研究,得出了EEPROM单元电荷保持能力的理论公式,得到了单元保持状态下的电特性曲线,发现在双对数坐标下,阈值电压的退化率与时间成线性关系.在假定电荷流失机制为Fowler-Nordheim隧穿效应的情况下,推出了EEPROM单元在给定外加电压下的电荷保持时间,并通过实验得出了简化的EEPROM单元寿命公式.     

MC68HC908系列单片机片内FLASH在线编程

FLASH（闪速存储器）是一种兼有紫外线擦除EPROM和电擦除EEPROM两者优点的新型非易失大容量存储器件,擦写速度快,集成密度和制造成本与普通UVEPROM相近。在单片机内部集成FLASH,并不是Motorola首创的技术,在Microchip的PIC系列、Atmel的AT89C51系列等单片机中早已引入了片内FLASH技术。但单片机的片内FLASH较ROM或EPROM而言,可靠性和稳定性是最大的问题。Motorola在FLASH技术已相当成熟的时候才推出集成片内FLASH的8位单片机,在应用方便性和可靠性上均有不俗的表现。我们在使用MotorolaMC68HC908GP32开…     

东芝/IBM/西门子等公司开发了一种0.6μm~2单元面积的存储器单元

据《半导体世界》（日）1994年第2期报道，目前，东艺与1＊M以及西门子等公司共同开发了一种单元面积为0．605pm’（0．55pnlXI．lpm）的存储器单元，在开发过程中，他们采用了O．25Pm设计规范的微细加工技术。所开发的存储器单元采用了一种新颖的单元结构，该结构是一种使晶体管和沟槽电容器进行立体式连接的结构，人们通常称为“自调整隐埋接触式沟槽单元”．通过采用自调整技术（从含有大量沟槽内杂质的多晶硅层向外扩散杂质），使晶体管和电容器进行电连接。其结果是，它与采用以往的掩模在器件表面使晶体官和沟槽电容器进行连接时所…     

快闪存储器市场：芝麻开花节节高

在目前存储器市场中,占绝对主导地位的是动态随机存取存储器(DRAM),但切断电源后其存储信息亦随之消失的缺点在很大程度上限制了它的应用和发展。为此,美、日、西欧、韩等国正努力寻找能克服DRAM缺点的新型传感器。美国Intel公司于80年代末90年代初率先推出的快闪存储器(FlashRAM)以其优异性能令商家耳目一新,在很多应用场合,它正逐年取代EPROM、EEPROM以及PC机的