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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 449 毫秒
1.
该文研制了一种晶圆级封装(WLP)的C波段薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器.采用一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,并使用H FSS对电磁封装模型进行优化,再在ADS中对滤波器进行仿真优化设计,得到阶梯型结构的FBAR滤波器.采用空腔型结构并制备出FBAR滤波器芯片,同时利用覆膜工艺对FBAR裸芯片进行覆膜和...  相似文献   

2.
采用完全自主的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器设计、工艺技术,制备了S波段FBAR滤波器芯片。该FBAR滤波器的电路结构为梯形结构,采用一维Mason模型进行了仿真、优化。在工艺上采用空气隙型结构,突破了高c轴取向AlN压电薄膜淀积、精密空气腔制作等关键工艺技术,制备的4节FBAR滤波器中心频率为2 340MHz,3dB带宽为25MHz,中心插损为3.8dB,矩形系数达2.24∶1,输入、输出阻抗均为50Ω,芯片体积仅为1mm×1mm×0.3mm,该性能与同频率、同带宽的介质滤波器性能进行了对比,体积可缩小几千倍,矩形系数优于介质滤波器。  相似文献   

3.
介绍了一种单端口,端口阻抗为50 Ω的S波段宽带薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器,该滤波器采用网格型结构的FBAR滤波器芯片级联巴伦芯片实现.对宽带FBAR滤波器芯片的设计过程、工艺实现过程进行了说明.采用0.35 μm GaAs工艺实现了3~8 GHz频率范围的巴伦芯片,在FBAR滤波器芯片的中心频率处,幅度不平衡度为0.53 dB,相位不平衡度为0.55°.制备的FBAR滤波器通带频率范围为3 100~3 400 MHz,1 dB带宽约为369 MHz,在2 660 MHz和3 840 MHz处带外抑制分别为45.6 dBc和41.3 dBc,尺寸仅为12 mm×7 mm×2.9 mm.将实测结果与仿真结果进行了对比,两者一致性很好.  相似文献   

4.
研制了一种以SiO2材料作为温度补偿层的S波段温度补偿型薄膜体声波谐振器(FBAR)窄带滤波器.研究了SiO:层厚度对FBAR温度漂移特性的影响,对不同厚度SiO:层时的温度补偿特性进行了仿真.仿真结果表明,当Mo/AlN/Mo的厚度为0.15,1.35和0.15 μm,SiO2层的厚度为10 nm时,FBAR的频率温度系数(TCF)约为3×10-6/℃.采用MEMS工艺制备了温度补偿型FBAR滤波器芯片并进行了测试.测试结果表明,滤波器的中心频率为2 492 MHz,中心插损为3.74 dB,3 dB带宽为17 MHz,相对带宽为0.68%,在2 477和2 507 MHz处阻带抑制分别为27.44和33.81 dBc.在三温(常温25℃、高温85℃、低温-55℃)对该滤波器的S参数进行了测试,计算得出频率温度系数为5×10-6/℃.与未加入温度补偿层的传统滤波器相比,频率温度系数改善明显.  相似文献   

5.
对薄膜支撑空腔型微屏蔽传输线进行分析,提出微屏蔽传输线的物理结构。为了验证微屏蔽传输线在毫米波应用的优势,利用类比平行耦合微带线滤波器的方法设计了一种4阶切比雪夫三线对称结构微屏蔽线滤波器。通过对该微屏蔽腔体结构进行HFSS仿真,得到中心频率35 GHz的宽带滤波器,带宽15 GHz,带内插损小于0.5 dB,带外抑制>40 dB@53 GHz,器件尺寸8.24 mm×1.5 mm×0.65 mm。该设计为基于平面传输线的滤波器在毫米波频段的实现提供了一种可行的方法。  相似文献   

6.
该文介绍了一种单端口、端口阻抗50 Ω的S波段薄膜体声波谐振器(FBAR)陷波器,其采用了梯形拓扑结构与外围匹配电路相结合的方式。对FBAR陷波器芯片的设计过程、工艺实现进行了说明。测试制备的FBAR陷波器,其陷波频段为2 399~2 412 MHz,陷波抑制达35 dBc;通带频率分别为1 800~2 300 MHz和2 500~2 800 MHz,通带插损仅1 dB;3 dBc开口宽度为69 MHz。FBAR陷波器芯片尺寸为1.2 mm×1.2 mm×0.35 mm。结果表明,陷波器实测与仿真结果两者相吻合。  相似文献   

7.
针对手持式谐波雷达发射机自身产生的谐波信号严重干扰接收到的探测目标谐波信号问题,该文设计了一种谐振器开路端加圆盘的结构,该结构能有效缩小滤波器体积和抑制高次谐振频率产生的寄生通带,并研究了圆盘半径、谐振杆长度、调谐螺钉长度和半径对腔体滤波器谐振频率的影响。结果表明,圆盘半径和调谐螺钉半径增大,则等效电容增加,谐振频率降低。忽略其他因数影响,随着谐振杆长度和调谐螺钉长度增加,等效电感增大,谐振频率降低。最后,利用HFSS软件优化设计了一款中心频率2.45 GHz、带宽0.1 GHz的腔体滤波器。测试结果表明,滤波器通带内插损小于1 dB,阻带为3~9 GHz内衰减优于90 dB,体积仅为51 mm×11 mm×27 mm,满足设计要求。  相似文献   

8.
提出一种以抽头线方式输入信号的折叠线阶梯阻抗谐振器(SIR),应用低温共烧陶瓷(LTCC)叠层技术实现,可获得大的电容值,缩短谐振腔的长度,实现小型化。分析了输入线抽头的位置对滤波器性能的影响,利用等效的集总电路原理图解释了该结构易在通带右侧出现传输零点的原因。应用二级耦合SIR设计了一个尺寸为2.5mm×2.0mm×0.9mm,中心频率为2.45GHz的带通滤波器,仿真结果显示带内插损小于1.1dB。  相似文献   

9.
应用LTCC技术,设计了一款带通滤波器。采用开口环谐振结构作为基本谐振单元,利用谐振级之间的耦合产生传输零点,实现边带抑制。给出了开口环谐振结构的等效电路分析,滤波器的通带中心频率为23.2 GHz,3-dB带宽为600 MHz,具有很窄的相对带宽,3-dB相对带宽仅为2.6%。对滤波器进行仿真和优化,结果表明,通带22.9~23.5 GHz内插损小于3 dB,低阻带10~21.1 GHz的衰减大于45 dB,高阻带25.3~40 GHz的衰减均大于30 dB。该滤波器的尺寸为4 mm×3.5 mm×0.45 mm,具有非常好的窄带特性和边带抑制特性。  相似文献   

10.
设计了一款基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的小型化带通滤波器。采用两谐振器之间的耦合效应,减小了器件的尺寸。在HFSS中建立滤波器模型并仿真,滤波器的中心频率为1.07 GHz,带宽为428 MHz,回波损耗大于22 dB,2 f_0处抑制大于45 dB,整体尺寸仅为6.5 mm×4 mm×0.9 mm。在此滤波器上模拟表贴变容二极管来调节两个谐振器中的电容实现中心频率可调。结果表明,滤波器的中心频率在1.05~1.23 GHz内连续变化,在中心频率变化过程中插损始终小于1 dB,回波损耗始终大于15 dB,2f_0处抑制大于45 dB。  相似文献   

11.
氧化锌薄膜生长与ZnO基薄膜晶体管制备   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长ZnO薄膜.XRD测试显示出(002)晶面的强衍射峰,表明生长的ZnO 薄膜是主度的c轴取向.基于 ZnO 薄膜基础,我们制备了 ZnO 基薄膜晶体管.  相似文献   

12.
主要讲述如何通过对不良问题的原因进行深入分析及如何通过各种交叉试验,寻找真因,制定改善措施,最终使问题得到彻底解决.  相似文献   

13.
介绍了多种光学膜的性能。这些膜在反射型LCD中起了重要作用。使用这些新型光学膜使反射型LCD具有更高的亮度,更宽的视角。  相似文献   

14.
薄膜太阳电池是最具发展潜力的新型能源之一,对缓解能源危机、保护人类生存环境提供了一种新的切实可行的方法。综述了目前国际上研究较多的几种薄膜太阳电池的最新进展,包括硅基薄膜(非晶硅、多晶硅)、多元化合物类(碲化镉、铜铟硒、铜铟镓硒、铜锌锡硫等)、有机薄膜太阳电池以及染料敏化太阳电池等。分析并总结了其在成本、转换效率等方面的优劣。为更有效地降低成本及提高电池效率,新技术、新结构的不断创新应该是未来薄膜太阳电池的发展趋势。  相似文献   

15.
各向异性导电膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
概述日立化成工业(株)开发的各种各向异性导电膜,适用于显示器、TV、笔记本电脑和移动电话用的平板显示、等离子显示板和有机电荧光等的安装用途。  相似文献   

16.
紫外、蓝光、近红外等波段的光对人眼有一定程度的危害,这些波段的光存在于各种光电系统中,使用者需要佩戴防护镜进行防护。为了能够同时实现对上述三个波段的防护,通过膜系设计软件设计了防护膜系和增透膜系,采用电子束蒸发的方式进行了镀制,以电阻蒸发的方式在镜片两侧加镀了防水膜,并对镜片的光谱性能和防水性能进行了测试。结果表明,研制的镀膜镜片在250~360 nm的紫外波段、400~430 nm的蓝光波段、500~780 nm的可见光波段、900~1400 nm近红外波段平均透过率分别约为0.5%、38%、96%、40%,水滴角可达113°,能够有效减少紫外、蓝光、近红外对人眼的伤害,且镜片低偏色、可见光透过率高、防水效果好。  相似文献   

17.
薄膜应力对薄膜测量和使用的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
基片在薄膜应力作用下产生宏观弯曲变形,使入射光线的入射角在基片不同位置产生偏差。根据空问两直线夹角公式,计算了入射光线在曲面上任意一点的入射角,得出同一入射方向的光线在曲面不同点具有不同的入射角,即产生入射角度偏差,偏差大小与基片弯曲曲率半径成反比和入射点位置成正比。进而分析了角度偏差对光谱的影响。实验结果表明,离参考点位置越远,波长偏差越大;角度越大,耦合效率越低。实验结果与理论分析一致。  相似文献   

18.
于志明  王勇 《半导体光电》2012,33(1):22-25,29
用特征矩阵法研究了单腔薄膜梳状滤波器的梳状滤波特性,结果表明:当腔两边的薄膜的周期数为6时,单腔薄膜梳状滤波器就有很好的梳状滤波功能;当腔两边的薄膜的厚度增大时,梳状峰的位置向长波方向移动,梳状峰的间距增大,梳状峰的个数减少;当腔的厚度(或折射率)增大时,梳状峰的间距减小,梳状峰的个数增多,特别是当腔的厚度大到一定程度后,单腔薄膜梳状滤波器也能满足密集波分复用的要求。  相似文献   

19.
肖梅  任家生 《电子器件》1999,22(4):313-316
本文用蒙特卡罗的方法,针对基片温度,吸附粒子的迁移运动,基片与源之间的距离等因素,在计算机上对薄膜生长进行仿真模拟,同时研究了各种因素对粒子沉积成膜的影响,并对膜层的微观结构特性进行了分析和讨论。  相似文献   

20.
薄膜晶体管研究进展   总被引:3,自引:0,他引:3  
薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件,对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。本文论述了薄膜晶体管的发展历史,描述了薄膜晶体管的工作原理,分析了非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、ZnO活性层薄膜晶体管的性能结构特点与最新进展,并展望了薄膜晶体管的应用。  相似文献   

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