用空气分级燃烧煤和植物混合燃料降低NO_2的研究

介绍了在0.5MW半工业试验台上,用空气燃烧技术,进行降低NO_2排放的试验结果。试验采用2种烟煤和以竹屑为主的植物燃料,主要讨论了燃炉内空气分级条件下的火焰烟气特性,出口烟气表现出氧化性和还原性并存的状态,氧化区产生的NO_2被氧化区处围的还原区还原成N_2。试验表明,分级燃烧技术能够很好地降低NO_2的排放。     

金属基板成型自动降温方式研究

铝基板/铜基板等作为金属基线路板,在机械成型制作中铣刀高速旋转切割金属基,会产生高温和切割金属碎渣,如果不将金属基板和铣刀降温,切割出来的金属屑在金属基板切割的边槽瞬间溶解（在切割产生的高温中溶解）,并迅速冷却结在金属基板上,形成金属质毛刺,造成产品报废,无法修补。     

聚乙二醇放电介质中洋葱状富勒烯的制备与表面修饰

以分子量为600、400和200的聚乙二醇（PEG）为介质电弧放电法制备了洋葱状富勒烯（OLFs）;利用空气氧化法于450℃条件下对产物进行了提纯,并用含氧射频等离子体对纯化后的OLFs进行了表面氧化修饰;用场发射扫描电镜、高分辨透射电镜、X射线衍射和傅立叶变换红外光谱对所得产物进行了表征和分析。结果表明：在PEG200中放电制得的OLFs粒径均匀,石墨化程度较高;空气氧化法能提高OLFs产物的纯度;当氧气含量为20％时,表面氧化修饰效果明显。     

聚乙二醇放电介质中洋葱状富勒烯的制备与表面修饰

以分子量为600、400和200的聚乙二醇（PEG）为介质电弧放电法制备了洋葱状富勒烯（OLFs）;利用空气氧化法于450℃条件下对产物进行了提纯,并用含氧射频等离子体对纯化后的OLFs进行了表面氧化修饰;用场发射扫描电镜、高分辨透射电镜、X射线衍射和傅立叶变换红外光谱对所得产物进行了表征和分析。结果表明：在PEG200中放电制得的OLFs粒径均匀,石墨化程度较高;空气氧化法能提高OLFs产物的纯度;当氧气含量为20%时,表面氧化修饰效果明显。     

Si3N4—TiN的氧化行为和显微结构的研究

近年来以高温结构陶瓷Si_3N_4为基础,以TiN,TiC或TiB_2为添加物的电陶瓷材料的开发和研究,作为发热体、点火器、引爆装置等复杂机器的主要部件而得到了广泛的特殊应用。本工作采用TiN作为添加物,分别研究了AY—20TiN,AY—30TiN,AY—40TiN材料在高温下的氧化行为、氧化机理及其与显微结构的关系。我们将切割、抛磨、清洗后的10×10×10mm的三种样品在空气中从600℃—1350℃在不同温度下保温30h,其重量变化用一分x率为2×10~(-6)g的热天平记录下来。实验结果表明这三种材料在1350℃以下都是服从(w/s)~2=KT的抛物线型规律(W为氧化增     

热氧化法制备的ZnO薄膜的光致发光特性研究

在空气中利用热氧化方法分别在P型硅、高阻硅、陶瓷以及N型硅衬底上制备了氧化锌(ZnO)薄膜.同时在氧气中、P型硅衬底上氧化制备少量氧化锌薄膜加以比较.氧化时间固定为1 h,氧化温度300℃～800℃.采用X射线衍射(XRD)以及光致发光(PL)光谱研究比较薄膜的结构和PL特性.发现在氧气中氧化样品质量明显好于在空气中氧化的样品.氧气中300℃氧化时有最窄的半高宽和最大的晶粒尺寸.在高阻硅材料衬底上制备的ZnO薄膜表现出较好的紫外发射带,而在陶瓷材料上表现出较好的绿色发射带.而N型材料也是较好的紫外发射材料,P型材料在低温下表现出较好的发光特性.     

TFT-LCD切割裂片条件优化对后段制程的影响

在TFT-LCD切割裂片制程中,研究了刀轮角度、切割压力、切入量等工艺条件的优化对后段cell制程和module制程的影响。切割裂片条件优化使玻璃基板表面弹出的玻璃屑大大减少。实验发现,优化后的切割裂片条件使无尘室环境得到改善,洗剂的污染程度和生产成本降低,偏光片贴附制程中的玻璃屑异物下降1%￣2%,并使LCD的连接更加安全、可靠。     

氧化钌及其复合电极的制备与性能

在三氯化钌(RuCl3)水溶液中,采用循环伏安法在铜电极表面电沉积氧化钌(RuO2)作为超级电容器电极材料。为了提高材料的电化学性能,在电沉积液中引入了氧化石墨烯(GO)水溶液,制备出RuO2/GO复合电极。采用扫描电镜(SEM)观察两种电极的表面形貌,发现氧化钌及其复合电极经60℃干燥处理1 h后,颗粒更均匀且存在明显的多孔特征,电极材料具有良好的表面特性。电化学测试结果表明,扫描速度为0.1 V/s、工作电位窗口为1 V时,两种电极比电容分别为636.5和938 F/m2,功率密度分别为31.83和46.9 W/m2。因此,RuO2/GO复合电极具有较好的电容特性,适合用作超级电容器电极材料。     

氮化铝陶瓷的氧化机理研究

本文研究了不同氧化处理下氮化铝陶瓷的氧化情况,并使用Mo-Mn法进行金属化,测试封接强度及气密性,从而探究氮化铝瓷的氧化机制,氮化铝基瓷与氧化层之间的结合。结果表明:经过1100℃/1h高温氧化处理,氮化铝陶瓷表面几乎没有氧化。在1250℃/1h、1250℃/2h,表面生成了氧化铝,氧化层主晶相为AlN与Al2O3;在1350℃/1h下,氧化层主晶相为Al2O3;氧化层表面有明显的裂纹,均漏气。对不同处理后的氧化铝层表面进行Mo-Mn法金属化,当氧化层厚度较薄时,断裂发生在氧化层。氮化铝瓷与氧化铝层之间的结合机理可能是在两者之间产生了AlON等中间物,从而实现了氮化铝瓷与氧化层之间牢固的连接。     

热处理对钽芯及钽电容器电性能的影响北大核心CSCD

在实际使用过程中,钽电容器常因电容量、损耗和漏电流发生漂移而失效。为了改善钽电容器的电性能稳定性,系统研究了在空气环境中热处理对形成后的钽芯及钽电容器电性能的影响。采用阳极氧化法在烧结后的钽块表面形成Ta_(2)O_(5)介质氧化膜,然后对阳极钽芯进行热处理。研究结果表明:热处理对钽芯的击穿电压和漏电流传导机理无明显影响;热处理后的钽芯表面Ta_(2)O_(5)介质氧化膜的微观形貌未发生明显变化;经过适当热处理且补形成后的阳极钽芯的漏电流及所制备的钽电容器电容量稳定性、损耗和漏电流均得到了明显改善;合适的热处理工艺为300℃/45~60 min。     

液相法制备窄粒径分布微米铜粉的研究

为了制备出抗氧化、纯度高且粒径分布窄的微米铜粉,以硫酸铜(CuSO4)为原料,抗坏血酸(Vc)为还原剂,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为保护剂和分散剂,浓氨水(NH3·H2O)调节pH值,通过液相还原法制备微米铜粉,研究了CuSO4浓度对制备粉体的影响,并讨论了相关反应机理。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱分析仪(EDS)、激光粒度仪和热重分析仪(TG)对制备的铜粉进行表征与分析。结果表明:不同CuSO4浓度下制得的粉体均为高结晶度的单质铜;当CuSO4浓度为0. 6 mol/L,反应温度为80℃时,制得的铜粉结晶度最好且粒径分布较窄,全都分布在1~4μm;制备出的铜粉抗氧化性和稳定性较好,在200℃时都不会发生氧化,于空气中放置30天后仍为单质铜。     

Al(H_2PO_4)_3和H_3PO_4改性AlN粉末的研究

采用机械球磨法,以Al(H2PO4)3和H3PO4为改性剂,制备了具有较高抗水解能力的AlN粉末,研究了改性AlN粉末在水基球磨过程中的稳定性。通过XRD,FT-IR,SEM,TG-DSC和氮含量测定对改性前后AlN粉末进行了表征。改性AlN粉末在60℃水中浸泡24h后,其w(N)为32.97%,且其XRD谱中未发现Al(OH)3相,其抗水解能力得到显著提高。改性AlN粉末在水中高速球磨16h后,其w(N)约为32%,AlN悬浮液的pH值约为6,说明改性AlN粉末在水中球磨过程中具有较好的稳定性。     

超微细镍–银双金属粉的抗氧化性研究

采用液相化学还原法,在亚微米级的镍粉表面包覆上一层纳米银制成镍–银双金属粉。研究了影响包覆效果的各种因素和双金属粉的抗氧化性,用透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射仪(XRD)对粉末的形貌和组成进行了分析。银的质量分数为40%时,镍–银双金属粉抗氧化温度可达到800℃,方阻为97mΩ/□。     

Silicon Film Fabrication by Liquid Phase Epitaxy at Low Temperature

Low temperature liquid phase epitaxy of silicon thin films was successfully carried out at a temperature of (400-500)℃,using Au/Bi alloy as a Si-saturated Sn solution was used to protect the substrate surface,preventing effectively the oxidation of silicon .The grown Si thin films were identified by SEM,AES and C-V measurements.     

热处理对CuO纳米线生长的影响

本文通过热氧化法制备了CuO纳米线,利用X射线衍射和扫描电子显微镜,研究了温度和冷却方式对CuO纳米线生长的影响。600℃空冷样品只长出了少量CuO纳米线,600℃炉冷样品上观察到了大量CuO纳米线,400℃空冷样品上也生长了大量CuO纳米线,表明CuO纳米线的实际生长温度不高于400℃。温度比较高时,以CuO层的生长为主;在温度比较低时,以CuO纳米线的生长为主。这一结果可以通过铜离子在氧化层中的扩散过程来理解。     

多孔硅PL谱的影响因素分析

通过阳极氧化电化学方法制备了多孔硅,并在室温下对不同条件下制得的多孔硅光致发光谱(PL谱)进行系统的分析.结果表明,随着阳极电流密度、阳极化溶液浓度和时间的增大,多孔硅的PL谱峰将发生"蓝移",并且PL峰强也显著增加,但过大的电流密度、阳极化溶液浓度和时间将导致PL峰强下降.另外,还发现PL谱存在多峰结构,而多孔硅在空气中放置时间的延长将引起其PL的短波峰"蓝移"和强度下降,但对长波峰只引起强度减弱,并不影响其峰位.PL谱的多峰结构可以认为是由于样品中同时存在"树枝"状和"海绵"状两种微观结构所产生的,在这个假设下,用多孔硅氧化后发光中心从硅表面移到二氧化硅层及量子限制模型能够解释上述现象.     

Study of the processes of carbonization and oxidation of porous silicon by Raman and IR spectroscopy

Porous silicon layers were produced by electrochemical etching of single-crystal silicon wafers with the resistivity 10 Ω cm in the aqueous-alcohol solution of hydrofluoric acid. Raman spectroscopy and infrared absorption spectroscopy are used to study the processes of interaction of porous silicon with undiluted acetylene at low temperatures and the processes of oxidation of carbonized porous silicon by water vapors. It is established that, even at the temperature 550°C, the silicon-carbon bonds are formed at the pore surface and the graphite-like carbon condensate emerges. It is shown that the carbon condensate inhibits oxidation of porous silicon by water vapors and contributes to quenching of white photoluminescence in the oxidized carbonized porous silicon nanocomposite layer.     

水基流延成型制备片式电感器件研究

以聚丙烯酸铵为粉体分散剂,聚乙烯醇和丙烯酸乳液为复合粘结剂,聚乙二醇(PEG600)为增塑剂,制备了Ni-Zn水基流延成型铁氧体浆料。研究了Ni-Zn铁氧体粉体在水中的稳定性,以及粘结剂含量、固相含量对浆料性能、流延薄带性能及薄带压合性能的影响。结果表明:在pH=9.5、分散剂含量(质量分数)为6‰时,Ni-Zn铁氧体粉体在水中具有较好的稳定性;在聚乙烯醇、丙烯酸树脂和固相含量(质量分数)分别达到6.5%、15%和54.5%时,所制Ni-Zn浆料具有较好的流动性,以其制成的20μm薄带则结构致密、附着力及压合较好、无分层;以水性浆料和有机浆料分别制成的1005型号电感(介质膜厚和线圈匝数相同)在100 MHz下测得的阻抗几乎相同,而前者成本却降低了80%左右。     

链式氧化制备SiO2膜的研究

研究了应用链式扩散设备对经过制绒、清洗、扩散和刻蚀处理后的单晶P型硅片进行热氧化SiO2膜的生长。采用准稳态光电导衰减法(QSSPC)在室温条件下对氧化前后硅片的少子寿命进行测试,探讨了氧化工艺条件对少子寿命、SiO2薄膜质量的影响机理,并对氧化工艺进行了优化。实验结果表明:在氧气流量为20L/min,带速为13i/m,氧化工艺区阶梯式温度设置为600、800、800、800、800、800、850和900℃时,链式氧化后硅片少子寿命达到42.5μs,SiO2膜的厚度适合,结构致密;在不影响减反效果的情况下,获得了良好的钝化效果。     

纳米氮化铝粉末表面修饰的研究

以活化指数和pH值为考核指标,通过变化改性剂的用量、处理温度以及处理时间等,研究了偶联剂–苯乙烯接枝改性剂对纳米AlN粉末的表面改性效果。结果表明:纳米AlN粉末经偶联剂–苯乙烯接枝进行表面修饰可显著提高其抗水解的能力,室温下长达一个月遇水不发生变化;在70℃的热水浴浸泡24h,其悬浮液pH值仍能保持在7.0。并对工艺条件进行了优化,其最佳工艺条件是:以无水乙醇为溶剂、处理剂的加入量为5%(质量分数)、70℃反应3h,活化指数可以达到1.0。