外延层电阻率四探针与C－V测试的差异及校正

采用四探针与C－V两种测试仪器，对同一参数的外延片电阻率进行测试，测试结果表明，用四探测针试外延陪片和C－V测试处延片，测得的外延电阻率存在差异。分析造成差异的原因，得出了符合要求的校正系数。     

具有三层复合结构的P型硅外延片制备工艺研究

对10.16 cm(4英寸)三层复合结构P型硅外延片的制备工艺进行了研究。利用PE-2061S型桶式外延炉,在重掺硼的硅衬底上采用化学气相沉积的方法成功制备P~-/P~+/P/P~+型硅外延层。通过FT-IR(傅里叶变换红外线光谱分析)、C-V(电容-电压测试)、SRP(扩展电阻技术)等测试方法对各层外延的电学参数以及过渡区形貌进行了测试,最终得到结晶质量良好、厚度不均匀性<3%、电阻率不均匀性<3%、各界面过渡区形貌陡峭的P型硅外延片,可以满足器件使用的要求。     

平板式外延炉大尺寸硅外延层的均匀性调控

硅外延层是在硅单晶抛光衬底上采用化学气相沉积方法生长的一层单晶硅薄膜。本实验以150 mm的大尺寸硅抛光片为衬底生长高均匀性外延层，结合傅里叶变换红外线光谱分析（FT-IR）、电阻率测试仪等测试设备对外延层电学参数进行了分析。对平板式外延炉的流场、热场与厚度、电阻率均匀性的相互作用规律进行了研究，最终制备出表面质量良好、片内和片间不均匀性小于1%的外延层。     

GaN外延材料测试技术的研究

分别用金属In和Ti/Al/Ni/Au合金层制备GaN HEMT结构外延片的霍尔测试电极,并对样品进行霍尔测试.发现In金属与外延片形成非欧姆接触,Ti/Al/Ni/Au合金层与外延片形成良好的欧姆接触.用电化学C-V方法测试样品,得到的载流子浓度与合金电极制备的样品经霍尔测试得到的载流子浓度一致,从而验证了此种霍尔测试方法的准确性,为GaN外延材料的测试提出了准确可行的测试方法.     

对n型Si外延片表面处理方法的研究

Si外延片是制造半导体器件和集成电路最常用的半导体材料。外延层电阻率是外延片最重要的参数之一,它直接影响器件的性能。简要分析了自动汞探针C-V测试仪测量电阻率前进行表面处理的原因,研究了不同的表面处理方法对电阻率测试结果的影响,发现对于外延层的电阻率ρ>1Ω.cm的n型Si外延片,采用紫外光(UV)表面处理是一种合适的表面处理方法,该方法应用于实际生产测试过程。     

三,四探针测试双极电路外延层电阻率的分析

在双极电路生产中,总希望在正片上较为准确地测定外延层的电阻率.一般说来,三探针测试适用于N/N~+、P/P~+型结构的外延层的电阻率的测试;四探针适用于N/P型结构的外延层的电阻率测试.双极电路所使用的外延片,在外延之前已作有局部埋层,这就不能完好地满足三、四探针的测试条件,如果用三、四探针测试这类外延片的电阻率,总会产生不同程度的误差.     

表面光电压技术在Si外延过程中的应用

介绍了用表面光电压(SPV)法测试少数载流子的扩散长度、少子寿命和体Fe含量的基本原理及其计算方法,分析了三种常见外延结构中少子扩散长度的测试方法及其影响因素,得出了用于表面光电压测试的外延片及衬底片应满足的条件。提出了在外延工艺前后,用SPV法测试同一p型控片中少子的扩散长度和体Fe含量,对比前后值的大小来监测Si外延工艺过程中的沾污情况。分别给出了衬底片、石墨基座、HCl、SiHCl3、外延腔体等5种Si外延过程中最常见沾污源的监控和识别流程,特别以平板式外延腔体为例,具体说明了识别及排除Fe沾污所运行的工艺程序,并对Fe沾污的测试结果进行了分析,确定了Fe沾污的来源。     

300 mm直径硅外延片均匀性控制方法

随着摩尔定律的逐步实现,大直径硅片的应用规模逐渐扩大,然而,大直径硅外延片的片内均匀性成为了外延的主要问题之一.使用具有五路进气结构的单片外延炉生长300 mm直径硅外延片.相对于传统的三路进气结构,五路进气可以分别对硅片表面的5个区域的气流进行调节,实现单独分区调控,从而提升了外延层厚度均匀性的可调性.实验中,采用两步外延方法,进一步提升了片内电阻率均匀性.通过对工艺参数进行优化,300 mm硅外延片的外延层厚度不均匀性达到0.8％,电阻率不均匀性为1.62％(边缘排除5 mm),成功提升了300 mm直径硅外延片的外延层厚度和电阻率均匀性控制水平.     

利用LKMC仿真和NBD测试对FinFET中的应变的仿真和表征

一种新的仿真方法和测试手段被采用来验证了FinFET中传统的应力仿真方法。首先,名为lattice kinetic Monte Carlo的算法第一次被用来仿真了FinFET上SiGe的外延生长过程以及由之产生的应力。外延过程的仿真充分可信,同时与传统的由多面体法生成结果的系统对比证实了两种算法具有相近的结果和相似的分布。接下来,P型FinFET器件结构片在实验室制备出来并在RPCVD机台中对源漏区进行了成功的SiGe外延的实验。对做完SiGe外延结构片进行TEM和纳米束衍射测试来表征Fin中的应变,测试的结果与相同条件下的多面体法仿真结果进行比较,二者相互验证。     

用微区光学方法研究GaP:ZnO红光外延片

用微区光致发光和拉曼散射光谱比较了国内外Gap:ZnO红光二极管产品的结构，在国内首先实现了用微区光学方法检测LED外延片并进行生产工艺的改进，对典型样品进行了微区光致发光的测试，比较外延片横截面上不同厚度层的光致发光，非常明显地看出主要发光区是在P区。通过合理扩展P层发光区的厚度相应地增加了光致发光的总光强，提高了产品的生产成品率。     

基于优势遗传的模糊函数主脊切面智能搜索方法

提取和补充新的信号参数是解决复杂体制雷达辐射源信号分选难题的有效手段,模糊函数主脊切面特征是众多新特征参数中较为可行的特征之一。为更快速地搜索信号的模糊函数主脊切面,本文构建了一种优势遗传搜索的智能算法,并采用统计假设检验理论对数据进行分析和检验。实验结果表明,所提方法可使模糊函数主脊切面的平均搜索耗时降低为原方法的28.6%,且能以较高的概率成功搜索到精度更高的切面特征,证实了所提方法的有效性和可行性。     

太阳能电池生产线中新型等离子体刻蚀机刻蚀工艺探讨

介绍了一种新型等离子体刻蚀机的使用条件,通过对各种参数变化的组合实验,得到了最佳工艺数据.利用该刻蚀机生产的电池片刻蚀效果好,刻蚀后经检测,电池片漏电流小,并联电阻大,提高了电池片的综合性能指标.     

基于优势遗传的模糊函数主脊切面智能搜索方法

提取和补充新的信号参数是解决复杂体制雷达辐射源信号分选难题的有效手段,模糊函数主脊切面特征是众多新特征参数中较为可行的特征之一.为更快速地搜索信号的模糊函数主脊切面,文章构建了一种优势遗传搜索的智能算法,并采用统计假设检验理论对数据进行分析和检验.实验结果表明,所提方法可使模糊函数主脊切面的平均搜索耗时降低为原方法的28.6％,且能以较高的概率成功搜索到精度更高的切面特征,证实了所提方法的有效性和可行性.     

A semidistributed HEMT model for accurate fitting and extrapolationof S-parameters and noise parameters

A model is described for a low noise millimeter-wave HEMT device. It takes account of the distributed nature of the gate and drain electrodes by dividing the active region of the device into a number of slices. Each slice is modeled as an intrinsic HEMT with thermal noise sources and the slices are connected together through lossy reactances. The parameters of the first slice are made different from those of the remaining slices, in order to account for the inevitable differences in the field distribution in the gate feed region. The model parameters have been optimized numerically to fit the manufacturer's measured S-parameters and all four noise parameters, for a commercially available HEMT chip. A good fit has been achieved simultaneously to all of these parameters, and the model therefore provides a reasonable basis for extrapolation to higher frequencies. The significance of the distributed gate effect and the unequal slice effect is assessed by comparing the best fit achievable when these effects are not included     

影响四阶累积量二维切片估计性能的参数研究

基于四阶累积量二维切片的参数估计是一种在低信噪比环境下估计直扩信号扩频码周期等通信参数的重要方法。不失一般性,本文基于四阶累积量二维切片方法对AWGN信道下DS-SS/BPSK信号进行了扩频码周期等参数的估计,利用控制变量法深入分析了检测窗口大小、符号持续时间与扩频码周期相对关系、累加次数等参数对其估计性能的影响,并仿真验证结论的正确性。理论和仿真均表明,若反侦查方合理设置符号持续时间与扩频码周期的相对关系,可以降低扩频码周期被检测概率;而侦查方合理设置检测窗口大小和累加次数可以增大扩频码周期检测概率。因此,分析这些特定参数对四阶累积量二维切片估计性能的影响在侦查和反侦查中扮演着极为重要的角色。      

一种过程间单子切片方法

在现有的过程内单子切片算法基础上,提出基于回填待定标号的过程间单子切片算法:先以待定标号初始化子过程中开始处参数变量的切片;再对其进行过程内单子切片分析,据此可得相应参数间依赖关系;最后回填切片表中相应的待定标号,从而获得所需的过程间单子切片.算法充分利用了过程内单子切片的结果,相当程度上避免了重复计算,无需进一步构造诸如特征子图、连接语法等中间形式,同时通过参数间依赖避免了调用上下文问题.此外,文中算法保留了过程内单子切片算法的强语言适应性和组合性.     

LTE无线网络虚拟化中切片调度策略

研究了未来移动通信网络切片机制,针对LTE系统下行在基站内建立媒体接入控制(MAC)层流级别的切片调度器,使得运营商之间可以按照预设比例共享资源.运营商作为切片的拥有者可以根据不同的服务等级协议(SLA)来对其资源比例进行设定.比较固定切片与网络虚拟化基片(NVS)框架下切片的资源块利用率,进行了系统级仿真实验.相对于固定切片方法,NVS方法在不同切片间用户相互隔离的情况下有更好的资源利用率.此外,针对实时(RT)业务和非实时(NRT)业务在时延上的差异建立业务切片,定制化地选择其调度算法策略,从而在降低分组丢失率的同时提升整个系统的性能.     

红外光学薄膜监控系统初始化参数自检算法设计

本文对红外光学薄膜监控系统研究中的初始化参数,包括输入膜系、监控方式、监控波长、材料系数、比较片选项、控制速率和进程膜系以对话框的形式给出,用户在输入参数时程序对用户的输入进行自动监视,确保用户能正确地输入各个参数,使光学薄膜的自动监控提供安全机制,本文还给出了上述自动监视的相应算法。     

Parameter relations for the Shinnar-Le Roux selective excitation pulse design algorithm [NMR imaging

An overview of the Shinnar-Le Roux (SLR) algorithm is presented. It is shown how the performance of SLR pulses can be very accurately specified analytically. This reveals how to design a pulse that produces a specified slice profile and allows the pulse designer to trade off analytically the parameters describing the pulse performance. Several examples are presented to illustrate the more important tradeoffs. These include linear-phase and minimum- and maximum-phase pulses. Linear-phase pulses can be refocused with a gradient reversal and can be used as spin-echo pulses. Minimum- and maximum-phase pulses have better slice profiles, but cannot be completely refocused.     

Inclusion of conductivity in silicon s.a.w. component design

An equivalent circuit is described for a surface-acoustic-wave delay line utilising interdigital transducers in a multilayered medium with a conductive silicon substrate. Attention is paid to practical material parameters for the ultimate realisation of the monolithic integration of surface-acoustic-wave and electronic components on the same silicon slice.