BEAMOS数字存贮器件

本文简要介绍BEAMOS(电子束寻址的金属—氧化物、半导体)是一个具有很高速度的永久性电子束数字存贮器件。该管的主要组成部件为电子枪、双偏转系统、MOS存贮靶。该管具有较高的存贮容量,一般可达10~8～10~8比特,由于电子束存取信息,在电子计算机应用中,节省了大量的存贮器接插件.就工艺、复眼透镜的象差设计等,对从事真空电子学及半导体电子学的工程技术人员而言,都是具有研究价值的新工艺及值得探索的设计课题.     

多能级分子存贮器

在存贮器单元中,一个比特的信息为0或1。在数据存贮器件中欲将更多的数据填入固定区域,一个方法是在一个存贮单元存入1比特以上的信息。目前的记录保持者为硅闪光存贮器,每个存贮单元有两个比特,但再多就很困难,     

计算机MOS存贮系统原理与设计

七十年代,半导体存贮器有了迅速的发展。MOS存贮器同磁心存贮器等相比较具有容量大、集成度高、体积小,功耗低、速度快、非破坏性读出、可组合性及存贮器同逻辑电路的电平相容性等一系列优点。其缺点是易失性,即在电源关断后其信息就挥发掉。近来逐步发展了非易失性的新型结构的MN08等半导体存贮器,它具备了断电后保持信息的功能。一、存贮系统的概念一般计算机的存贮系统由行地址输入电路、行译码电路、行选择电路、列地址输入电路、列译码电路、列选择电路(读出/写入),存贮单元阵列、读写输入电路、数据通道等构成。为了便于讨论,存贮系统的结构可简化为图1所示。它分为译码(行及列)、存贮、控制和数据通道四部分。     

ISD1400系列单片永久性语音录放电路

美国信息存贮器件公司ISD1400系列单片语音录放电路采用在E2PROM中直接模拟量存贮技术(DAST)省去数字存贮器.数据转换及备用电源等外围电赂,具有低功耗、零功率存贮信息、无需编辑开发机、高保真语音录放等特点。本文着重阐述ISD1420的原理及分段应用。     

图象存贮体

在数字图象处理系统中,常常需要把整幅数字图象矩阵的信息或数字图象矩阵中的某一行、某一帧的信息存贮起来.因此图象存贮体是数字图象处理系统中不可缺少的关键部件之一.存贮数字图象信息的方法是很多的.一般有外存和内存,外存贮体有磁鼓、磁带及磁盘等.内存贮体有磁芯存贮体及半导体存贮器之分.在图象处理系统的设备中都采用内存贮体.由于半导体存贮器体积小、速度快、使用方便、价格比磁芯存贮体便宜.因此近年来都采用半导体存贮器.这里我们介绍一个应用MB8114半导体静态存贮器所设计的图象存贮体.它的容量为256×256×12位,写入速度取决于所连接的计算机速度,而读取速度是每一象点为0.2微秒.     

半导体不易失存贮器

一般的半导体存贮器与磁芯存贮器相比,有体积小、容量大、耗电低等优点。但是也有一个共同的缺点,就是存贮信息的易失性,即当电源断掉以后,半导体存贮器中存贮的数据不象磁芯那样可以保持下去,而是全部“丢失”。     

第二章 维护与外设控制单元设计说明

本章主要阐明C处理机、直接存贮信道处理机的组成部份与基本设计.研究它们与先进终端控制处理机的主要区别,以及各处理机之间通信的可能性.完成处理机之间通信的重要工具是双端口存贮器,并用信箱方式去处理双端口存贮器的功能.由于直接存贮信道处理机与外设的驱动功能密切相关,因此直接存贮信道处理机的微程序语言(就是驱动程序)也要研究.至于磁带机控制器、温氏磁盘控制器、人机控制器等对外设的接口,放在下章讨论维护与外设模块的实际任务时,作为硬件设施去讨论.     

一个并行位选MOS存贮器的设计考虑

本文讨论了并行位选MOS存贮器的设计方案。用LSI技术能获得40K位的存贮容量,用字专和存贮字数都能扩大存贮容量。存贮器的实际体积较之用磁芯设计的体积要小得多。每位功耗同样比用磁芯的要小,全周期为1MS甚至更小,每位成本与磁芯设计成本进行了有利地比较。术语索引:地址选择技术,芯片互连的（?）虑,扇出的考虑,输入输出和地址寄存器,存贮器与计算机接口的实现,多层处理增速和减小单元尺寸,存贮器芯片的晶体管和导线数量,存贮芯片的结构,存贮芯片的输出逻辑,解决扇出问题,存贮器芯片的总数等等。     

电子计算机随机存贮系统

随机取数存贮器是电子计算机的主要部件,其主要作用是存放指令数据及中间结果,因而其基本条件是:第一,能快速的进行随机性的存入和读出操作;第二,能按所需的地址选取或存入任意信息;第三,存贮信息的容量应足够大以满足解题需要. 可作为存贮器的器件种类很多,慢速的如继电器、凿孔卡片等,快速的如真空管、晶体管、电子束管、隧道管等电子器件.还有磁心、磁鼓、磁带、磁膜等磁性元     

磁芯只读存贮器可靠性

DJS-112机(100系列机)是一台采用微程序控制技术的小型计算机,它需要一个只读存贮器存放微指令和初始引导程序。其技术要求是:存贮容量为192字×32位;工作速度长周期2.4微秒,短周期1.2微秒;读出时间小于300毫微秒;可靠性要高。考虑到取材条件和经济要求,我们选用预线式磁芯存贮器作存贮部件,在磁芯体结构上采用双磁环做存贮单元。这样既可使读“0”读“1”信号数值相等,极性相反,又可使每根线的驱动电流基本相同,保证读出信号的幅值离散小,从而提高读出放大器的鉴别能力,提高本部件的稳定性。此外逻辑设计还采用偶校验出错重读电路。只读存贮器逻辑结构图1是DJS-112机只读存贮器逻辑框图。μJd′_(0～7)为微地址寄存器,称作前台。它由八个D触发器组成,它们的状态由微指令地址字段μJd_(0～7)(后继地址)和     

动态存贮器及其控制器的原理与应用

本文详细地介绍了动态存贮器与动态存贮控制器的电路原理,并给出了一个典型的应用系统。     

金属-氧化物-半导体集成电路(七)

十一、金属-氧化物-半导体相联存贮器相联存贮器和可相联编组系统,在过去几年中日益被注意,由于大规模集成(LSI)工艺的发展而使生产这些固体电路组合元件成为现实,才得到对它们的承认。在说明相联存贮器原理中,我们用金属-氧化物-半导体晶体管的具有128个单元构成阵列的相联存贮单元作为     

N沟MOS三管单元动态RAM的再生周期与工作点的关系

一、引言 MOS动态随机存贮器,是根据存贮单元中存贮管的栅电极是否存贮足够的电荷,存贮管的栅电位处于“1”电平或“0”电平,作为存“1”或存“0”的数据,由于pn结的空间电荷层以及表面和边缘的产生-复合电流和表面漏电流,使得存贮电荷随时间而消失,存贮信息丢失。因此每隔一定时间,一般为2毫秒周期则必须对存贮电荷进行补充即再生。再生周期的长短是动态MOS PAM的一个重要参数,也是制造动态RAM工艺水平的有效检测参数,资料[1][2]对信息存贮时间与漏电流的关系作了简单的分析和讨论,它们的讨论只是停留在存贮单元中存贮节点的电平下降与漏电流的关系,实际上RAM的再生周期的测     

光学数据存贮和光盘记录介质

随着这门技术的发展和力图走向市场,人们在光学数据存贮方面的活动正在加速,兴趣也不断提髙。一般地说，光学数据存贮器件类似于商品唱片唱机和视频唱片播演机,不过和只播不录的商品器材不同之处是,存贮系统也可用激光束来写入新数据。用这项技术有希望以较低的成本在一个小的坚固器件上给出大的存贮容量，并能随机存取。存贮介质是一种可拆装的、可望廉价的部件，它的使用和贮藏是方便的。     

微计算机程序设计三例

<正> 1.颠倒数据存贮顺序的程序当脱机运用时,象数字卷积,快速付里叶变换和离散型付里叶变换这些计算需要颠倒所贮存数据的顺序。通常,是把数据写入另一个存贮字块,但这种方法需要足够大的存贮两倍数据的附加存贮器。这种情况在微计算机系统内是不理想的。另一种方法就是以成对码的方法对换第一个和最后一个记忆位置的数据字节,然后对换第二个和倒数第二个记忆位置的数据字节,以此类推。这样,如果在存贮字块中有k+1数据字节,那么完成数据颠倒就需要k/2次对换(若k+1为奇数)或(k十1)/2次对换(若k+1为偶数)。设第一个存贮位置是m,最后一个存贮位置是m+k。存贮器用k+1个记忆位置来存放     

新一代存贮器FRAM

新一代存贮器ＦＲＡＭ计量电脑的记忆功能依赖存贮器，最早的存贮器是用磁芯做成的，后来发展为随机存贮器ＲＡＭ，现在占主导地位的是动态随机存贮器ＤＲＡＭ。它具有存储速度快、寿命长的优点，但是它属于挥发存贮器，一旦切断电源，存贮信息便不再保存。为此，人们寻找...     

不挥发半导体存贮器

本文试图对不挥发半导体存储器进行观察和评价,其中包括电荷存贮器件和具有铁电栅绝缘体的场效应晶体管。电荷存储器进一步又分为两类:1)电荷俘获器件,如MNOS和MAOS;2)悬浮栅器件,如FAMOS和DDC。 为了获得实际的不挥发存储的途径,简短地讨论了挥发半导体存储器。提出了不挥发存贮器的新结构,探索了存贮陈列密度的理论极限。     

IBM 370系统145型计算机采用全集成电路化的存贮器

据报导,美帝 IBM 370系统145型计算机利用硅集成电路存贮器代替传统的磁芯存贮器来存贮该机的数据和指令。该机的中央处理机完全采用单片电路以完成系统的运算和逻辑功能。145型计算机存贮器使用的硅片还不到1/8时~2,共上有1434个微型电路元件,组成了128个存贮器电路和46个辅助电路,即一个片子上共有174个电路。将许多这种片子放在陶瓷     

从经济角度谈静态RAM的选用

现在,各种仪器、仪表越来越多地向微机化、智能化发展,生产仪器仪表的企业总要考虑到仪器的成本与性能之间的关系,这就是人们常说的性价比.对于微机产品来说,静态随机存贮器(RAM)是不可缺少的关键器件.目前人们经常采用的随机存贮器有两种,即2114与6116.2114的存贮量为1K×4,即2块2114并行使用,组成1K字节的存贮器.6116的存贮量为2K×8,一块6116即组成2K字节的存贮     

关于存贮器的电池备用线路

在很多应用场合,静态随机存贮器(RAM)需要一个超低功率的备用状态,因为这样大的存贮系统就可以由适当大小的电池组长时间保持。这个要求已迫使把许多系统用相对昂贵的CMOS RAM来设计,以满足很低的电流(氵曵)漏需要(每一存贮单元小于10nA)。以前关于NMOS RAM的电池备用的努力曾要求在降低的V_(cc)下运行。它仅部分地减少功率,或者为存贮阵列另加分开的供电引线,它要增加元件的引线总数。