电子探针分析用单质金属标准样品的研制

本文介绍电子探针分析用单质金属标准样品的制作方法。其中包括:①电子探针分析对标准样品的要求。②单质金属标准样品材料的制备方法。包括:材料的熔炼,杂质的检验,加工成形等。③标准样品的制作方法。包括:样品柱和样品座的设计,样品与样品柱之间的接合,样品工作面的研磨和抛光等。④标准样品的检验方法。包括:平面性,粗糙度,均匀性,稳定性,污染等。文中还介绍了自己研制的几种单质金属标准样品,以及部分检验数据。     

RoHS分析标准样品的均匀性与稳定性研究

采用熔融法制备标准样品,并根据X射线荧光光谱仪在进行RoHS标准样品分析中所表现的特点,采用方差分析法(F检验法)对系列标准样品的均匀性进行检验;采用平均值一致性检验法(t检验)来评价标准样品的稳定性。结果表明,所制备的标准样品单元内和单元间的均匀程度以及标准物质样品的稳定性均达到国家一级标准物质的制备要求。     

电子探针分析用人工晶体标准样品的研制

本文介绍电子探针分析用人工晶体标准样品的制作方法。其中包括:(1)人工晶体的制作方法。(2)晶体标准样品的制作方法。(3)材料结构对于标准样品信号的影响。(4)自己研制的几种人工晶体标准样品。(5)使用标准样品进行定量分析应注意的事项。     

急冷Al-Pb-Si合金粉末的微观组织的研究

急冷方法制备的金属或合金粉末,可用来制备高强度、韧性和抗腐性的非晶微晶材料。对于一些互相不固溶的合金材料,采用急冷工艺可以使合金元素第二相粒子在基体中分布均匀。由于急冷是一个不稳定的热力学过程,材料的组织结构及稳定性对急冷过程的变化十分敏感。本工作对急冷Al-Pb-Si合金粉末的微观组织结构及稳定性进行了观察和研究,探索出了μm级微粉粒子的电     

UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料

以Si2H6和GeH4作为源气体,用UHV/CVD方法在Si(100)衬底上生长了Sil-xGex合金材料和Si1-xGex/Si多量子阱结构.用原子力显微镜、X光双晶衍射和透射电子显微镜对样品的表面形貌、均匀性、晶格质量、界面质量等进行了研究.结果表明样品的表面平整光滑,平均粗糙度为1.2nm;整个外延片各处的晶体质量都比较好,各处生长速率平均偏差为3.31％,合金组分x值的平均偏差为2.01％;Si1-xGex/Si多量子阱材料的X光双晶衍射曲线中不仅存在多级卫星峰,而且在卫星峰之间观察到了Pendellosung条纹,表明晶格质量和界面质量都很好;Si1-xGex/Si多量子阱材料的TEM照片中观察不到位错的存在.     

UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料

以 Si2 H6 和 Ge H4 作为源气体 ,用 UHV/CVD方法在 Si( 1 0 0 )衬底上生长了 Si1- x Gex 合金材料和 Si1- x Gex/Si多量子阱结构 .用原子力显微镜、X光双晶衍射和透射电子显微镜对样品的表面形貌、均匀性、晶格质量、界面质量等进行了研究 .结果表明样品的表面平整光滑 ,平均粗糙度为 1 .2 nm;整个外延片各处的晶体质量都比较好 ,各处生长速率平均偏差为 3.31 % ,合金组分 x值的平均偏差为 2 .0 1 % ;Si1- x Gex/Si多量子阱材料的 X光双晶衍射曲线中不仅存在多级卫星峰 ,而且在卫星峰之间观察到了 Pendellosung条纹 ,表明晶格质量和界面质量都很好 ;Si     

红外热成像列阵组件检验结构

美国专利US7462920 (2008年12月9日授权)本发明提供一种红外热成像列阵检验结构及其制作方法。该检验结构的实施步骤如下:制备单器件型敏感器件,通过在低温下进行测量和定标以及改变温度和电压的方式检验温度变化时的光电子测量值;制备焦平面列阵,检验光电子均匀性并测试暗电流均匀性;制备焦平面列阵和读出集成电路并检验它们的连接和减薄情况;用铟柱焊接方法将焦平面敏感组件与读出集成电路连接起来;用敏感列阵组件进行光电信号转换;对热图像质量的综合测试进行检验;调节最佳驱动和控制输出参数,对敏感组件的热图像质量进行分析和测试;制作热成像列阵组件,至此,热成像列阵组件原型便制作完毕。本发明可以克服传统的热成像敏感材料、异质结、成像结构以及制作工艺的缺点,同时还可以提高制备各     

在汞蒸汽等离子体中溅射Cd_xHg_(1-x)Te薄膜

引言 Cd_xHg_(1-x)Te化合物的电性能随x值而变化,x>0.15时是半导体,x<0.15时是半金属。其中小禁带宽度的合金(0.18相似文献   

"声音质量主观评价用节目源标准样品"的论述

结合标准样品的基本概念,对节目源标准样品进行理论分析,并对几个主要的特性进行了介绍.电声产品和电声产品的声音质量(音质)是个心理量,它需要通过音质主观评价来获得结果,并用评价尺度来表示它的大小.同任何一个检测结果一样,音质主观评价结果同样必须具有溯源性和离散性这两个属性.标准样品的主要特性包括:溯源性、均匀性及稳定性、测量不确定度等.有证节目源国家标准样品的成功研制,对促进音质主观评价事业的技术发展和提高国内音响产品的音质水平具有重大意义.     

GaN1-xPx三元合金的MOCVD生长

用金属有机化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上成功外延了高P 组分的GaN1-xPx三元合金.俄歇电子能谱深度剖面结果表明在GaN1 -xPx中P的掺入量最高达到20%且分布均匀;X射线光电子能谱价态分析证实了外延层中Ga-P键的存在.对不同P组分的GaN1-xPx样品进行了低温光致发光 (PL)测试,与来自GaN衬底的带边发射相比,随三元合金中P组分的变化,GaN1-x Px的PL峰呈现出了不同程度的红移.在GaN1-xPx的PL谱中没有观测到有关GaP的发射峰,表明该合金材料没有发生相分离.     

GaN1-xPx三元合金的MOCVD生长

用金属有机化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上成功外延了高P 组分的GaN1-xPx三元合金.俄歇电子能谱深度剖面结果表明在GaN1 -xPx中P的掺入量最高达到20%且分布均匀;X射线光电子能谱价态分析证实了外延层中Ga-P键的存在.对不同P组分的GaN1-xPx样品进行了低温光致发光 (PL)测试,与来自GaN衬底的带边发射相比,随三元合金中P组分的变化,GaN1-x Px的PL峰呈现出了不同程度的红移.在GaN1-xPx的PL谱中没有观测到有关GaP的发射峰,表明该合金材料没有发生相分离.     

荧光X射线实验系数法测定ZnO压电簿膜厚度

本法用标准样品的实验值来确定厚度计算公式中的两个系数。它既可测定厚度均匀性较差的ZnO压电薄膜的平均厚度,又可测定它的厚度不均匀性(即某一小区域的薄膜厚度)。 本文介绍了实验系数的确定方法, 给出了ZnO压电薄膜厚度的计算公式。介绍了对提高测量精度有帮助的限光板和样品夹具,计算了本法的绝对误差(不大于700埃)和平均相对误差(不大于5％)。 并将本法与其它厚度测量方法进行了比较和讨论。 其它类似的二元系,三元系,…薄膜,也可参照本法测定它们的厚度。     

使用红外干涉仪测量锗材料折射率均匀性

介绍了运用工作波长为10．6μm的红外干涉仪测试红外光学材料(锗晶体)的折射率均匀性的方法。运用传统的干涉法检验光学材料的折射率均匀性时，由于锗晶体太软，表面不易加工。其表面面形难以满足测试要求。为了消除面形偏差对折射率均匀性偏差测试的影响，使用可见光移相式数字平面干涉仪精确测试被测样品的面形偏差，该干涉仪具有很高的测试精度，其测量不确定度可以达到λ／50(λ=0．633μm)。然后在红外干涉图数据处理中将样品的面形偏差扣除，得到样品折射率的偏差分布。对锗单晶材料进行了实际测试。     

聚焦离子束制备透射电子显微镜样品的两种厚度判断方法

透射电镜样品的厚度是透射电镜(TEM)表征中一个重要参数,快速准确地判断样品厚度是制备高质量样品的前提.本文通过使用聚焦离子束(FIB)制备了带有厚度梯度的透射电镜样品(Si、SrTiO3和LaAlO3),并提出两种制样过程中快速判断厚度的方法.第一种通过扫描电子显微镜(SEM)的衬度变化经验地判断样品的厚度;第二种是用FIB在样品边缘切一个斜边,通过SEM测量斜边侧面的宽度用几何方法推断样品的厚度.这两种方法都通过会聚束电子衍射(CBED)和电子能量损失谱(EELS)测量的厚度作为检验标准.对比认为,样品较薄时用SEM衬度测厚比较合适;样品比较厚时用几何方法测量比较直接.     

基于金银合金纳米线SERS活性基底的制备

首先采用液相软模板方法合成银纳米线,然后采用静电吸附法将带负电荷的银纳米线和带正电荷的金纳米颗粒组装形成金银合金纳米线。通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线能谱分析仪(EDS)对材料的形貌和成分进行表征,结果表明金纳米颗粒被均匀吸附在银纳米线的表面。之后将金银合金纳米线偶联到氨基化处理后的硅片抛光面上,组装得到均匀、致密排列的金银合金纳米线表面增强喇曼散射(SERS)基底,该基底具有良好的重现性、均一性和SERS活性。使用尼罗蓝A (NBA)作为喇曼信号分子,SERS基底的最低检测浓度为7.93×10~(-10)mol/L,其分析增强因子(AEF)为6.31×10~7,SERS增强效应很高。此外金银合金纳米线具有高稳定性和良好的生物相容性,因此该基底在SERS生物传感方面具有广阔的应用前景。     

STN盒边框均匀性及稳定性改善

研究了STN—LCD盒边框均匀性和稳定性的改善方法．发现在制盒过程中，热压结束后将样品在170℃下进行2h退火处理能改善由压力不均匀引起的边框厚度不均匀．并且能提高边框的稳定性。     

实物标准——电子电器行业的标准样品浅谈

1概述最新发布实施的GB/T 15000.2-2019《标准样品工作导则第2部分:常用术语及定义》中明确指出:标准样品(RM)是已被确定其符合测量过程的预期用途,具有一种或多种规定特性、足够均匀且稳定的材料;有证标准样品(CRM)是附有证书、提供规定特性值及其不确定度和计量溯源性的陈述,采用计量学上有效程序测定的一种或多种规定特性的标准样品。在我国,CRM特指经过国家市场监督管理总局批准并颁发证书的标准样品。按照申请批准渠道不同,CRM可分为全国标准物质管理委员会的国家标准物质(编号以GBW/GBW(E)开头)和全国标准样品技术委员会的国家标准样品(编号以GSB开头)。     

纳米台阶标准样板的制备和表征

介绍了纳米标准样板在纳米量值溯源体系中的重要作用和制备纳米标准样板的基本要求,设计了适用于多用途的标准值为100nm纳米台阶标准样板的特征结构和制备工艺流程,阐述了纳米测量装置的工作原理以及原子力测头(AFM)、激光聚焦式测头(LFS)、扫描白光干涉测头(SWLIS)的参数指标和适用范围。分别利用纳米测量机(NMM)的多种测头对纳米标准样板进行表征,对SIMT100纳米标准样板A区域开展重复性实验、区域均匀性实验和长时间稳定性实验。结果表明,设计与制备的SIMT100纳米标准样板A区域的高度值具有较好的量值传递特性。台阶标准片的测量重复性、区域均匀性和稳定性的标准偏差均小于1nm。     

聚酰亚胺彩色滤光片材料

Brewer科学公司介绍一种聚酰亚胺彩色(PIC)滤光片材料可用于高质量多色显示器、摄象机和彩色复印机。PIC能够提供均匀性和再现性极佳的色彩。用标准的正性胶设备和工艺可在这些滤光片上形成图形。用常规光刻工艺在很大的衬底上给出高的成品率。PIC具有极佳的光稳定性和热稳定性,可在苛刻的环境条件下工作。用一种特殊的工艺转换     

用光截止法测量Hg_(1-x)Cd_xTe的横向组分均匀性

本文提出一种测量Hg_(1-x)Cd_xTe横向组分均匀性的简便方法。该方法以相当可靠的黑体辐射公式为基础,利用Hg_(1-x)Cd_xTe样品本身的光截止特性,测量样品的截止波长,再用E_(?)-X经验公式求出样品的组分X。通过对样品的二维扫描,可求得Hg_(1-x)Cd_xTe横向组分的面分布。透光因子的定义