激光照射下金电极/溶液界面的电子转移行为

用伏安法初步研究了激光照射下金电极／溶液界面的电子转移行为。对Ｆｅ＾３＋／Ｆｅ＾２＋,激光照射引起氧化还原峰增高并向阳极方向移动,氧化还原电位负向变化,激光功率对电流－电位曲线的平移幅度具有明显影响。激光照射对抗坏血酸的电子转移作用更显著,电流峰高增加了２．０２倍,过电位减少了０．２５Ｖ。激光能量对电极表面的作用及界面溶液层的影响加速了电子转移并提高了电极反应的灵敏度。     

玻璃碳电极的激光改性处理

玻璃碳电极（ＧＣＥ）用激光脉冲照射处理后，电化学反应行为发生很大变化。背景电流减小，Ｆｅ３＋／Ｆｅ２＋氧化还原电对的电极反应速率显著提高，抗坏血酸（ＡＡ）在电极上呈现明显的吸附作用。     

激光对电极反应过程定量影响的初步研究

在连续氩离子激光的辅助作用下 ,研究了 Fe( CN) 3-6/ Fe( CN) 4-6体系在石墨电极、金电极、玻璃碳电极( GCE)上的电极反应过程。不同的电极 ,激光的功率越高 ,氧化还原峰电流 ipa和 ipc的相对变化越接近。同一种电极 ,激光对氧化和还原两个过程的影响也不一致。激光对电极表面的作用及热效应引起的溶液温度变化是影响电极反应过程的主要因素     

低强度氦氖激光照射对小鼠胸腺细胞体外增殖的影响

目的 :研究低强度氦氖激光对体外培养的BALB/c小鼠胸腺细胞增殖的影响。方法 :采用MTT法检测不同功率密度、不同照射时间对不同起始培养密度小鼠胸腺细胞的增殖作用。结果 :低强度氦氖激光对小鼠胸腺细胞的增值有促进作用 ,当照射功率密度为 3.32 5mW /cm2 、照射时间 1～ 5分钟、起始细胞培养密度 2× 10 6个 /ml时效果最佳。结论 :低强度氦氖激光对小鼠胸腺细胞的增值有促进作用 ,促进小鼠胸腺细胞体外增殖的最佳条件为功率密度 3.32 5mW/cm2 、照射时间 1～ 5分钟、起始细胞培养密度 2× 10 6个 /ml,而照射时间超过 2 0min均会使细胞增殖受抑     

电极距离对激光电化学刻蚀速率及钻蚀的影响

利用溶液回路电流和红外热像监测,研究了电极距离对半导体激光电化学刻蚀速率和电化学横向钻蚀特性的影响.实验结果表明,电极距离由15 cm缩短为5 cm后,回路电流数值增大,其变化率增加约15.4%,等量化学热生成时间至少缩短2/3,说明缩短电极距离使半导体激光电化学刻蚀速率加快;当电极距离分别为20、15、10和5 cm时,垂直晶向刻蚀50 μm直线凹槽,所得凹槽实际宽度分别为100、85、70和60 μm,其晶向影响受到明显抑制,横向钻蚀大幅减小.研究结果说明,通过电极距离调节这一简单方式,有可能解决激光电化学刻蚀速度慢、横向钻蚀严重等难题.     

准分子激光增强金属电化学刻蚀特性实验研究

采用248nm KrF准分子激光照射电化学刻蚀中的金属阳极,记录过程中阳极电流的变化,对不同金属的阳极电流 曲线进行对比分析,发现在激光作用的时间内,阳极电流显著增大,激光作用过后,阳极电流迅速减小,而且脉冲频率越高阳 极电流增加的幅度越大,不同的金属阳极电流曲线有所不同,这反映准分子激光对不同金属电化学特性的增强有所差别。     

CO2激光诱导大气放电特性的研究

为了研究脉冲CO₂激光诱导空气放电的特性,建立了高压电容充放电实验平台,采用间距为8mm、半径为10mm的一对球形石墨电极,取得了放电电压和电流的实时数据,采用2阶振荡电路模型对放电电压和放电电流进行拟合得到了电极间激光诱导放电等离子体的阻抗,并对放电时间、放电延时及抖动做了统计。结果表明,激光诱导放电等离子体的阻抗很小,约1Ω~2Ω,拟合得到的放电等离子体阻抗随放电电压、放电电容、以及激光能量的增加而减小;放电延时随着实验条件的变化在2μs~10μs之间变化,放电延时以及延时抖动随着放电电压和激光能量的增加而降低,而受放电电容大小的影响不明显。由此高稳定性的激光脉冲和高压有助于激光诱导放电过程的稳定。     

Au-TiO2纳米复合膜电极的光电化学性能及其表面形貌

应用绿色激光研究了Au-TiO2纳米复合膜电极的光电化学行为,发现Au-TiO2复合膜电极在Na2SO4溶液中对532 nm的可见光表现出良好的阳极光电流响应,光电流随电极电位的增加而增大.可见光激发下产生光电流的主要原因在于金粒子的表面等离子体共振吸收.SEM的观测实验表明电极表面存在纳米孔洞,这些纳米孔洞是金基底在煅烧过程中产生的.     

掺氢溴化亚铜激光器动态阻抗的研究

重点用固定比例的氖氢混合气体研究和比较了掺H前后激光器的光电脉冲波形和等离子体动态阻抗.实验装置采用普通倍压充电通过闸流管放电电路.放电电压用Tektronix P6015A高压探头跨接于激光放电管电极测量(阳极接地),放电电流用Pearson Model 410 脉冲电流转换器套接在激光放电管阳极引线上探测,快响应光电二极管测光脉冲波形.实验分别在纯氖气和掺H 2%、2.5%的氖氢混合气体稳定流动的情况下进行,激光器稳定工作时,测量激光管电压和电流波形,以及激光脉冲波形,同时记录采样数据.实验结果表明,掺入2%的氢使放电激励的电压幅度增加了约34%,而电流脉冲幅度却下降了约23%,激励阶段激光放电管的等离子体阻抗增加了约3倍;光脉冲宽度明显增大. 我们认为H的加入改变了放电的微观过程,使得激光放电管中等离子体阻抗增加.再深入的研究表明 H对电子有很强的可剥离吸附作用,在放电余辉期,H吸附了大量的电子,导致电子密度减少,等离子体电阻增加,使激发态原子和离子能快速地消激励.(PC1)     

低功率磁作用半导体激光照射对神经功能恢复的影响

目的 :探讨低功率磁作用半导体激光对家兔神经功能恢复的影响。方法 :用 5 6只体重 2 .5kg左右的家兔随机分为 3 ,6,9和 12周 4个观察期组 ,每个观察期组随机分为半导体激光照组 (各用家兔 5只 )、磁作用半导体激光照组 (各用家兔 5只 )和对照组 (各用家兔 4只 )。麻醉后 ,均切断左侧腓总神经 ,用 9 0尼龙单丝对端吻合神经外膜。各照射组在术后 1d开始照射家兔L5 ,6脊髓节段 ,照射激光输出功率为 2mW ,磁作用半导体激光照射采用在激光输出端安置强度为 5mT的恒磁场作用在激光上 ,每天照射 5min ,连续照射 7d。对照组不照射 ,均按期观察。结果 :术后 3周 ,各照射组看到细小而稀少的再生轴突 ,对照组直到术后 9周才看到 (P <0 .0 1) ,磁作用激光照射组优于激光照射组 (P <0 .0 5 ) ;各照射组的腓总神经潜伏速率和动作电位波幅均优于对照组 (P <0 .0 1) ,磁作用激光照射组优于激光照射组 (P <0 .0 5 )。展趾功能到术后 12周 ,磁作用激光照射组与侧健相同 ,激光照射组恢复到磁作用照射组 9周水平 ,对照组才恢复到磁作用半导体照射组近 6周的水平。结论 :低功率的磁半导体激光促进了脊髓运动神经细胞功能 ,加速了轴突再生。     

A Transparent,Flexible, Low‐Temperature,and Solution‐Processible Graphene Composite Electrode

The synthesis and preparation of a new type of graphene composite material suitable for spin‐coating into conductive, transparent, and flexible thin film electrodes in ambient conditions is reported here for the first time. Solution‐processible graphene with diameter up to 50 μm is synthesized by surfactant‐assisted exfoliation of graphite oxide and in situ chemical reduction in a large quantity. Spin‐coating the mixing solution of surfactant‐functionalized graphene and PEDOT:PSS yields the graphene composite electrode (GCE) without the need for high temperature annealing, chemical vapor deposition, or any additional transfer‐printing process. The conductivity and transparency of GCE are at the same level as those of an indium tin oxide (ITO) electrode. Importantly, it exhibits high stability (both mechanical and electrical) in bending tests of at least 1000 cycles. The performance of organic light‐emitting diodes based on a GCE anode is comparable, if not superior, to that of OLEDs made with an ITO anode.     

石墨烯的微波法制备及其电化学电容性能的研究

以天然鳞片石墨为原料,采用改进的Hummers方法制备了氧化石墨,然后通过微波剥离还原氧化石墨制备了石墨烯,并利用红外光谱、扫描电镜和透射电镜对其进行了表征。以所制石墨烯为电极材料、1 mol/L的TEMABF4/PC为电解液制备了超级电容器,并对其电化学性能进行了研究。结果表明:经过微波剥离,氧化石墨的含氧基团已基本完全分解,所得石墨烯为表面具有大量褶皱的薄层。所制电容器具有良好的电容性能,在扫描速度为10 mV/s情况下,其单电极比容量为102 F/g,比能量则高达22.1 Wh/kg。     

Characteristics of HfO/sub 2/ pMOSFET prepared by B/sub 2/H/sub 6/ plasma doping and KrF excimer laser annealing

The electrical characteristics of HfO/sub 2/ pMOSFETs prepared by B/sub 2/H/sub 6/ plasma doping and excimer laser annealing were investigated. Various metal gate electrodes were evaluated to protect the high-/spl kappa/ oxide during laser irradiation. Although the aluminum gate electrode showed superior reflectivity to the laser, the equivalent oxide thickness was increased due to the interaction between aluminum and HfO/sub 2/, which resulted in reduced capacitance. In contrast, the Al-TaN stacked gate showed good reflectivity up to laser energy of 500 mJ/cm/sup 2/ and improved capacitance was obtained compared with the Al gate. For the first time, the electrical characteristics of a HfO/sub 2/ pMOSFET with an Al-TaN gate fabricated by plasma doping and excimer laser annealing were demonstrated. It was also demonstrated that plasma doping and excimer laser annealing combined with a metal gate could be applied for high-/spl kappa/ oxide MOSFET fabrication.     

热晕及其相位补偿数值模拟与定标规律研究

本文对激光通过大气传输引起的热晕进行数值模拟，并采用相位补偿的方法对热晕进行校正，从计算结果中得到经过相位补偿后，光束质量有较好的改善，Ｓｔｒｅｈｌ比有所提高。从模拟结果中还总结出补偿后的热晕 定标规律公式，发现热晕经补偿后的功率阈值提高３倍以上。     

弱激光对神经细胞膜延迟整流钾通道电流特性的影响

利用波长650 nm,功率5 mW的半导体激光器照射急性分离的大鼠海马CA3区锥体神经细胞,应用全细胞膜片钳技术研究其延迟整流钾通道的电流特性。实验发现,弱激光对延迟整流钾电流IK有抑制作用,且抑制呈时间依赖性,5min激光抑制作用达到稳定,抑制百分比为34.54%±3.22%(统计样本数n=15);弱激光对IK的抑制作用还具有电压依赖性和可逆性,对照组、照射组和恢复组最大激活电流密度分别为429.78±41.40 pA/pF,283.26±39.62 pA/pF(n=10,t检验中P<0.01)和397.22±36.81 pA/pF(n=10,P>0.05);激光作用可显著地影响IK的激活过程,对照组和照射组半数激活电压分别为5.74±1.56 mV和20.98±8.85 mV(n=10,P<0.01),斜率因子分别为16.51±6.67 mV和17.44±5.19 mV(n=10,P>0.05)。结果表明,弱激光作用海马神经细胞可以改变其延迟整流钾通道特性,从而影响动作电位复极化过程,调节神经细胞的生理功能,有利于受损神经元的恢复和再生。     

Photoisomerisation process of self-assembled monolayers of some novel azobenzenes†

Self-assembled monolayers (SAMs) of four azobenzene derivatives containing a sulphonamide linkage and a thiol group were deposited on both vacuum-evaporated and sputtered gold (Au) thin films. The optically induced switching effect on the surface potential U_s upon alternating irradiation with UV (centred at 360 nm) and visible (centred at 450 nm) light was investigated by the Kelvin probe technique. Changes in surface potential were in the range ΔU_s=4–70 mV for SAM samples, depending on the structure of the molecule. The dependence of surface potential change and decay time upon irradiation on the structure of the Au film was observed. Copyright © 2000 John Wiley & Sons, Ltd.     

Gold‐Cluster Sensors Formed Electrochemically at Boron‐Doped‐Diamond Electrodes: Detection of Dopamine in the Presence of Ascorbic Acid and Thiols

Gold clusters have been electrodeposited on a boron‐doped diamond (BDD) electrode by scanning the potential from 0.7 V to 0.0 V (vs. 3 M KCl‐Ag/AgCl reference) in a solution of 0.5 mM KAuCl₄ and 1.0 M KCl. The cluster‐modified diamond (Au/BDD) electrode has been used to investigate the oxidative properties of dopamine (DA) and ascorbate (AA). The modified diamond electrode shows a higher activity for DA oxidation than AA; the oxidation potential of DA shifted to a less‐positive potential (0.11 V) than that of AA, which oxidized at 0.26 V, and DA possesses a much higher peak current than that of AA. The reversibility of the electrode reaction with DA is significantly improved at the Au/BDD electrode, which results in a large increase in the square‐wave voltammetric peak current, with a detection limit of 0.1 μM in the presence of a large excess of AA. The Au/BDD electrode shows excellent sensitivity and good selectivity for DA detection. A self‐assembled monolayer (SAM) of mercaptoacetic acid on the Au clusters was used to provide an antifouling effect as the negative CO₂^– groups repulse negative ascorbate and attract positive dopamine in pH 7.4 buffer. After pre‐absorption, the SAM/Au/BDD electrode could detect 1.0 nM DA in a linear range from 10 nM to 10 μM in the presence of 10^–4 M AA.