SnO2薄膜的电学气敏特性与光学气敏特性研究

用射频磁控反应溅射法制备了ＳｎＯ２薄膜,并分别测量薄膜在乙醇气体中的电学气敏特性和光学气敏特性。对实验结果的分析表明,ＳｎＯ２薄膜对乙醇气体有较强的电学气敏效应和光学气敏效应。利用ＳｎＯ２薄膜的电学气敏特性适合检测较低浓度乙醇气体,而利用ＳｎＯ２薄膜的光学气敏特性能检测较高浓度乙醇气体。     

溶胶—凝胶法制备SnO2薄膜气敏特性的实验研究

本文介绍了，以ＳｎＣｌ．２Ｈ２Ｏ为原材料，用ｓｏｌ－ｇｅｌ技术制备Ｌａ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２薄膜气敏材料。研究掺杂量、工艺条件、衬底材料对气特性的影响。     

金属硝酸氧化法制备的SnO2微粉的气敏特性研究

本文研究采秀金属锡硝酸盐氧化法制备的ＳｎＯ２微粉的气敏性能，发现该方法制得的ＳｎＯ２微粉具有良好的气敏特性，掺杂后做成的气敏元件可燃气体具有很高的灵敏度，可抵抗高浓度可燃气体的冲击，长期稳定性好。     

溶胶—凝胶法制备纳米SnO2材料

本文介绍了一种新型分散介质在溶胶－凝胶法制备纳米ＳｎＯ２材料中的应用。通过扫描电子显微镜比表面积测试仪和Ｘ射线衍射仪等实验等手段对ＳｎＯ２材料的粒径大小进行测试和分析，结果表明，本实验方法制备的ＳｎＯ２材料粒径最小为１５ｎｍ左右，实验还发现，热处理对ＳｎＯ２材料的粒径大小有很大的影响。     

用PECVDS制备SnO2薄膜的结构,成份和气敏特性

采用ＰＥＣＶＤ 玻璃基片上制备出适合研制气敏感传感器的低电阻率ＳｎＯ２薄膜，Ｘ－线衍射分析表明沉积温度由高到低时，ＳｎＯ２薄膜从多晶态转变为非晶态，同时薄膜的电阻增加。Ｘ光电子能谱显示这种ＳｎＯ２薄膜是一种非化学计量配比成分的薄膜，其分子式为ＳｎＯ２ｘ，沉积时，氧气流量增加，该薄膜的电阻率随之增加。掺Ｓｂ的ＳｎＯ２薄膜对一氧化碳和酒精具有良好的气敏特性。     

一种新型金属复合氧化物半导体气敏材料体系

用ＮＨ４）２ＣＯ３作沉淀剂制得Ｃｄ：Ｓｎ＝１：１的粉料，经７５０℃、１５ｈ热处理可得单相钛铁矿型β－ＣｄＳｎＯ３。元件的电导－温度（Ｇ－ｔ）特征表明β－ＣｄＳｎＯ３为典型的表面电阻控制型气敏材料，无需掺贵金属催化剂就对还原性气体响很高的灵敏度。因此，β－ＣｄＳｎＯ３很有希望作为一种新型的气敏材料体系。     

ITO薄膜的气敏特性􀀁

本文研究了胶体法制备的ＩＴＯ薄膜的气敏特性;并同时研究了各种掺杂杂质对ＩＴＯ薄膜的气敏特性的影响。通过实验发现ＩＴＯ薄膜对乙醇气体具有最高的灵敏度,对二氧化氮等也有较好的敏感特性。一般催化剂型掺杂物如贵金属等掺杂杂对提高ＩＴＯ薄膜的灵敏度没有多大帮助。ＩＴＯ薄膜与ＳｎＯ２薄膜相比具有更高的稳定性。ＩＴＯ薄膜的气敏特性既具有表面控制型的特征,又权有体效应气敏材料的敏感特性。     

非晶态SiO_2掺杂Fe~（2＋）薄膜气敏特性的研究

研制成功一种以ＳｉＯ２作为主体，掺杂Ｆｅ２＋离子薄膜制备的气敏元件，对ＣＯ气体有良好的气敏特性。它的线性范围为１．２×１０－４～８．９２×１０－３ｍｏｌ·ｄｍ－３，检测下限为５×１０－５ｍｏｌ·ｄｍ－３３，响应速度≤５ｓ．本工作以非晶态半导体的Ｍｏｔｔ－Ｄａｖｉｓ能带模型结合表面吸附理论，初步探讨了该材料的气敏机理，确立了元件阻值Ｒ与吸附浓度Ｃ的关系方程，以此解释元件的气敏特性．该方程对非晶态ＳｉＯ２掺杂薄膜是普遍适用的。     

常温振荡式CO气敏元件的研制

采用掺有Ｐｄ的活性ＳｎＯ２—Ｉｎ２Ｏ３敏感材料，再掺入ＭｇＯ等金属氧化物，制成复合基本材料，采用直热式气敏元件制造工艺，经表面修饰改性，研制成功常温振荡式ＣＯ气敏元件，给出了常温下的气敏特性，并探讨其振荡机理。     

ZnO/SnO2双层膜的结构及敏感特性研究

将ＳｎＯ２及ＺｎＯ粉末压制成靶材，采用溅射衍制备了ＺｎＯ／ＳｎＯ２双层薄膜，用ＸＰＳ，ＸＲＤ，ＳＥＭ等手段对制得的薄膜进行分析测试，发现双层膜表面有一定量的吸附氧存在，双层膜中锌、锡有一定的相互扩散，比较了单层ＳｎＯ２及ＺｎＯ膜与双层膜的气敏特性，结果表明双层膜在灵敏度及选择性方面都优于单层膜。     

乙炔敏感元件的研制

以ＳｎＯ２为基体的气敏元件分辨率通常较低，本实验通过制备超细粉体Ｓｎ（ＯＨ）４，掺杂Ｌａ２Ｏ３直接烧结制出灵敏度高，稳定性好，分辨率高的乙炔气体敏感元件，对烷烃类及烟雾等杂散气体分辨率较高。     

ZnO-SnO2-Cr2O3系半导体陶瓷高温湿敏特性研究

研究了ＺｎＯ－ＳｎＯ２－Ｃｒ２Ｏ３系半导体陶瓷在高温下的湿敏特性，根据实验结果，对其敏感机理进行了探讨。     

掺杂对MOCVD—SnO2薄膜气敏性能的影响

本文在小瓷管上用ＭＯＣＶＤ技术沉积ＳｎＯ２气敏薄膜，研究了Ｐｄ，Ｔｈ掺杂对该ＳｎＯ２元件气敏性能的影响。掺杂Ｐｄ使元件对乙醇，汽油的灵敏度均增大，而掺杂Ｔｈ则仅提高对了对乙灵敏度，对汽油的灵敏度反有所降低。因此有希望开发为不肥汽油干扰的乙醇敏感元件。     

表面涂层对掺杂α—Fe2O3烧结型气敏元件敏感特性的影响

本文对掺杂α－Ｆｅ２Ｏ３烧结型气敏元件的表面涂上混合α－Ａｌ２Ｏ３和Ｍｎ２ｏ３的浆料，干燥烧结而成新型半导体气敏元件，测试了该气敏元件对甲烷，丁烷，乙酵气体的敏感顺序，阻温特性和长期稳定性。     

利用SnO2中的稀土掺杂制作乙炔气敏元件

本文以ＳｎＯ２为基体材料,通过几种稀土元件的掺杂,研制了乙炔气敏元件,大量的实验表明,掺入稀土元素钐对于Ｃ２Ｈ２的选择性和灵敏度有明显的提高。     

MOCVD法制备薄膜型SnO2气敏元件

本文报道了ＭＯＣＶＤ技术制备的ＳｎＯ２薄膜型气敏元件。这种方法沉积的ＳｎＯ２薄膜耐酸碱性强，膜厚易控制，具有负温阻特性。测定了不同温度和不同气体条件下元件的特性发现该元件对乙醇、丙酮气体具有较高的灵敏度，响应时间快；而对氢气、乙烯、煤气、液化石油气等不敏感，因而具有一定的选择性。元件的稳定性较好。     

纳米ZrO2的性能及其气敏性的研究

本文用沉淀法制备出平均晶粒尺寸在１８ｎｍ的单斜相ＺｒＯ２纳米粉末。并在其对形状和大小进行了透射电镜及激光散射分析,确认ＺｒＯ２粒子球形,分散性较好,平均粒径约７０－８０ｎｍ。本文着重研究了纳米级ＺｒＯ２纳粉对乙醇的气敏性能,结果表明,用纳米级ＺｒＯ２粒了制备的气敏元件对乙醇气体有好的敏感性,并且随着纳米粒子尺寸降低,对气体敏感性增强。     

SnO2导电薄膜的制备及电学性能研究

利用等离子体化学气相沉积制备了ＳｎＯ２导电薄膜，分析了膜的电学性能与沉积参数的关系，同时测得ＳｎＯ２膜具有负温阻特性，这是一种Ｎ型半导体膜。     

表面覆膜法氢敏元件的研制及其选择性的研究

本文介绍了采用表面修饰技术，利用气敏元件表面覆盖生长的ＳｉＯ２分子膜的滤过作用，得到高选择性ＳｎＯ２半导体Ｈ２敏感元件的方法，并对元件的特性及机理进行了分析。     

SnO2 超微粉的合成及其特性研究

采用溶胶乳化方法制备了纳米ＳｎＯ２超微粉末，并超过ＤＴＡ、ＴＧ和ＸＲＤ等实验手段研究了ＳｎＯ２超细微粉的晶化规律，结合红外光谱、紫外吸收光谱对粉末的结构和性能作了进一步分析，实验发现，当热处理温度低于５５０℃时，ＳｎＯ２粉末的平均晶粒尺寸小于１７ｎｍ。