DBC电子封装基板研究进展

综述了DBC电子封装基板的研究进展,介绍了DBC电子封装基板材料的选择、敷电子封装中的使用特点,并展望了DBC电子封装基板的应用前景.     

高硅铝合金轻质电子封装材料研究现状及进展

综合比较了现有电子封装材料的性能及其在航空航天领域中的应用现状,较详细地阐述了高硅铝合金电子封装材料的性能特点、制备方法及研究现状,指出了高硅铝合金轻质电子封装材料的发展方向.     

电子封装用聚苯硫醚高性能复合材料的研制

微电子工业的快速发展迫切需要性能更为优异的封装材料.采用聚苯硫醚复合材料作为电子封装材料,具有使用温度高、热膨胀系数低、介电损耗低、电绝缘性能好等优异的性能,应用于现代微电子领域的前景良好.本文用国产商品PPS树脂经纯化处理后,与其它材料复合,成功制备出了聚苯硫醚高性能电子封装材料,制备的PPS电子封装材料具有低吸水性、低热膨胀系数、高强度以及优异的介电性能等综合性能,优于目前常用的环氧类电子封装材料.     

铝酸锌（ZnAl_2O_4）基导热陶瓷材料的研究

随着现代信息技术及其相关产业的蓬勃发展,高性能芯片的应用领域更加广泛,需求量也与日俱增,严重挑战了传统的电子封装材料研究产业。尤其是在电子设备越来越集成化、越来越小型化的变化中,散热能力成为封装基板应用问题的关键因素。在该背景下,微波陶瓷基本材料凭借其导热性良好的属性广泛应用于电子封装领域。其中,ZnAl_2O_4陶瓷导热和微波介电能力的表现都非常好,成为陶瓷基板材料的首选。     

电子封装材料的研究现状及进展

根据电子及封装技术的快速发展特点,通过比较几种传统的电子封装材料的优劣,以金属基复合材料为重点,阐述了三明治复合板KCK(Kovar/Cu/Kovar)的制作及性能,并展望了电子封装材料的发展方向及前景.     

AlSiC电子封装材料及构件研究进展

AlSiC电子封装材料及构件具有高热导率、低膨胀系数和低密度等优异性能,使封装结构具有功率密度高、芯片寿命长、可靠性高和质量轻等特点,应用范围从功率电子封装到高频电子封装.综述了国内外制备AlSiC电子封装材料及构件所涉及的预制件成形、液相浸渗铸造、力学性能、气密性、机械加工、表面处理和构件连接等方面的研究进展.     

AlSiC电子封装材料及器件物理性能研究进展

AlSiC电子封装材料及器件的关键指标是膨胀系数、热导率和气密性。不同工艺条件下制备的AlSiC电子封装材料物理性能相差较大。尽管已建立一些理论模型预测AlSiC电子封装材料的膨胀系数和热导率，但由于基体塑性变形、粘接剂类型及含量、粉末尺寸等许多因素影响，理论结果与实验结果相差较大。热循环过程中，基体合金类型、增强体尺寸、预处理方法和热循环次数等明显影响AlSiC电子封装材料的尺寸稳定性。温度循环对AlSiC电子封装材料物理性能的影响尚未见公开报道。     

高性能聚苯硫醚电子封装材料

本文介绍了高性能电子封装材料对特种工程塑料聚苯硫醚(PPS)树脂的要求,特别是离子含量、树脂分子量(粘度)的要求,并给出了国外PPS电子封装材料的性能指标。     

WCu/MoCu电子封装材料的研究现状与发展趋势

电子设备集成度和运行速度的不断提高以及大功率芯片的使用,对电子封装材料的性能提出了更高的要求。WCu/MoCu合金作为第二代电子封装材料,尽管已经实现产业化,但其未来发展正面临极大的挑战,既有可能持续应用于封装领域,也有可能在与其它材料的竞争中被淘汰。在现有技术的基础上,使WCu/MoCu复合材料充分融合各组元的优点,以获得具有高热导率、低热膨胀系数以及良好力学性能的电子封装材料,已成为迫在眉睫的工作。综述了电子封装材料的性能指标,以及WCu/MoCu合金的热学性能与制备工艺,并针对高热导率这一关键性能对其发展趋势进行了展望。     

新型电子封装用金刚石/金属复合材料的组织性能与应用

随着微电子技术的高速发展,金刚石/金属复合材料作为新一代的电子封装材料受到了广泛的重视,它与传统的电子封装材料相比,具有更优异的性能,是未来封装、热沉材料最有潜力的发展方向之一.对金刚石/金属复合材料的性能、制备工艺及应用发展进行了综述,并提出了未来的研究开发方向.     

柔性电子器件集成与其在包装上的应用

目的 分析柔性电子和柔性基底的发展现状、趋势和前景,为促进智能包装的进一步发展提供参考.方法 先从柔性基底材料入手,梳理常见基底材料性能;再综述柔性电子器件集成的研究现状及主要的集成技术,并讨论其在包装上的应用.结论 具有较好柔韧性和降解性的纸基可作为柔性电子集成的基底材料,结合柔性印刷电子技术和传统硅基电子技术的优势,将柔性电子器件通过蛇形互联结构集成并封装在柔性基底上,从而制备集成可拉伸的微系统,且随着新型印刷电子材料、印刷工艺、新技术和新设备的不断涌现,柔性电子器件集成于柔性基底上并应用于包装将成为一大研究热点.     

SiC陶瓷基片的烧结工艺与SiC_p/Al复合材料的制备方法

概述了电子封装基片材料的基本性能要求;讨论了SiC陶瓷基片常用的4种烧结工艺,即常压烧结、热压烧结、反应烧结和放电等离子烧结;介绍了SiCp/Al复合材料的制备方法,即搅拌铸造法、无压渗透法、喷射沉积法、粉末冶金法;据此进一步提出了SiC陶瓷基片材料的发展方向。     

铜基封装材料的研究进展

具有高导热性的铜基封装材料可以满足大功率器件即时快速大量散热的要求,是一种重要的封装材料.综述了Cu/Mo、Cu/W传统铜基封装材料和Cu/C纤维、Cu/Invar(Mo、Kovar)/Cu层状材料、Cu/ZrW2O8(Ti-Ni)负热膨胀材料及Cu/SiC、Cu/Si轻质材料等新型铜基封装材料的性能特点、制备工艺与问题.指出轻质Cu/Si复合材料将是铜基封装材料中一个新的具有前景的研究方向.     

包装设计中纺织品材料的运用

介绍了可用作包装材料的纺织品的性能和优点,并对纺织品这种绿色包装材料在食品类、化妆品类、电子产品类、日用品类等包装设计中如何应用展开了研究,同时提出在具体运用时应该注意符合产品风格、不影响产品性能等问题,从而为拓宽包装设计中材料的选用范围、打造风格迥异的包装设计、实现绿色包装设计的目标提供参考依据。     

集成电路用金属铜基引线框架和电子封装材料研究进展

针对集成电路向高密度、小型化、多功能化发展，介绍了国内外传统的和以铜为基复合新型的引线框架和电子封装材料的性能、研究、生产现状以及存在的问题，同时展望了铜合金及其复合的引线框架和电子封装材料的发展趋势。     

电子产品整体包装设计

简述了整体包装设计的概念和方法,并针对电子类产品,按照整体包装设计的技术路线,从包装材料选择、包装结构设计、包装测试、包装运输和包装回收利用等整体包装主要环节,阐述整体包装设计方法的应用。     

High performance polymer/AlN composites for electronic substrate application

An ideal high performance poly(etheretherketone) (PEEK)/AlN composite that has unique combination of anisotropic linear coefficient of thermal expansion (CTE) and dielectric properties was developed for the use in electronic packaging substrate as an alternative of conventionally used epoxy/E-glass substrate. The out-of-plane and in-plane CTEs of the composites were very close to that of copper and silicon chip, respectively. The dielectric constants of the composites are almost independent with increasing frequency. The dissipation factor decreased approximately 50% compared to the pure PEEK. These results reveal that the composite may be the futuristic candidate for high performance electronic packaging substrate.     

大功率LED封装基板研究进展

随着大功率LED向高电流密度、高光通量发展,热流密度猛增使得LED散热问题日益严重。封装基板对LED的散热至关重要。在简介LED的封装结构及散热方式的基础上,分析总结了常见封装基板材料的性能参数,并对目前市场常见封装基板MCPCB、DBC、DAB、DPC、LTCC、HTCC、Al/SiC以及最近出现的新型材料基板的特征、制造工艺、应用等进行了综述。     

The properties of epoxy resin coated silica fillers composites

Epoxy resin coated silica fillers composites with high percentage of filler loading, such as 80 to 95 vol.% are able to be produced by a mechanical mixing technique. The advantages of high filler loading of theses materials are noted from the thermal and flexural modulus. Apparently, the materials exhibit low coefficient of thermal expansion (CTE) at as low as or below 10 ppm/°C and high flexural modulus of above 20 GPa. In general, these promising characteristics fulfill the requirement to be used as substrate materials in electronic packaging applications.