电子封装用陶瓷基片材料的研究现状

陶瓷材料具有高熔点、高硬度、高耐磨性、耐氧化等优点,是电子封装基片的重要材料。本文介绍了Al_2O_3、AlN、Si_3N_4、SiC、BeO、BN等几种常用的陶瓷基片材料并分析了它们的性能特点,最后还介绍了电子封装陶瓷基片的成型工艺。     

SiC陶瓷基片的烧结工艺与SiC_p/Al复合材料的制备方法

概述了电子封装基片材料的基本性能要求;讨论了SiC陶瓷基片常用的4种烧结工艺,即常压烧结、热压烧结、反应烧结和放电等离子烧结;介绍了SiCp/Al复合材料的制备方法,即搅拌铸造法、无压渗透法、喷射沉积法、粉末冶金法;据此进一步提出了SiC陶瓷基片材料的发展方向。     

WCu/MoCu电子封装材料的研究现状与发展趋势

电子设备集成度和运行速度的不断提高以及大功率芯片的使用,对电子封装材料的性能提出了更高的要求。WCu/MoCu合金作为第二代电子封装材料,尽管已经实现产业化,但其未来发展正面临极大的挑战,既有可能持续应用于封装领域,也有可能在与其它材料的竞争中被淘汰。在现有技术的基础上,使WCu/MoCu复合材料充分融合各组元的优点,以获得具有高热导率、低热膨胀系数以及良好力学性能的电子封装材料,已成为迫在眉睫的工作。综述了电子封装材料的性能指标,以及WCu/MoCu合金的热学性能与制备工艺,并针对高热导率这一关键性能对其发展趋势进行了展望。     

电子封装基片材料研究进展

阐述了电子封装领域对基片材料的基本要求,分析了电子封装用陶瓷,环氧玻璃,金钢石,金属及金属基合材料的性能特点,论述了电子封装基本的研究现状,并指出了发展方向。     

新型基片材料——C/SiC复合材料

阐述了目前常用的3大类基片材料,即塑料基、金属基和陶瓷基材料,比较了3类材料的性能,得出了陶瓷基材料是综合性能较好的基片材料的结论,并比较了目前陶瓷基片材料中的Al2O3、AlN、BeO、SiC的性能,认为SiC作为基片材料具有良好的发展前景;针对单相SiC陶瓷固有脆性导致难以大尺寸成型的问题,提出了使用C/SiC复合材料制备基片材料的可能性,并综述了C/SiC复合材料的制备工艺,比较了3种工艺(PIP、CVI、LSI)所制备的材料的性能,认为液相渗硅(LSI)C/SiC复合材料制备大尺寸封装基片材料是未来最具前景的发展方向。     

AlSiC电子封装材料及构件研究进展

AlSiC电子封装材料及构件具有高热导率、低膨胀系数和低密度等优异性能,使封装结构具有功率密度高、芯片寿命长、可靠性高和质量轻等特点,应用范围从功率电子封装到高频电子封装.综述了国内外制备AlSiC电子封装材料及构件所涉及的预制件成形、液相浸渗铸造、力学性能、气密性、机械加工、表面处理和构件连接等方面的研究进展.     

Al2O3陶瓷的电子辐照效应

作为电子元器件封装材料的α－Ａｌ２Ｏ３陶瓷基片，在电子辐照，高温及高电场下，其电导率会持续增加直至击穿，电子辐照后，其电介质特性也发生了变化。     

高导热环氧树脂的研究进展

封装是电气工程和电子工业的重要组成部分,封装材料是决定封装成败和产品性能的关键因素之一,聚合物封装材料因可靠性与金属和陶瓷相当,成型工艺简单,且具有明显的价格优势,从而成为目前的主流封装材料.环氧树脂(EP)因收缩率小、耐热性好、密封性好及电绝缘性优良等特点,在电子封装材料领域的使用量达90％以上.近些年,随着电力设备功率密度的不断提升,电子器件的微型化以及向高温、高压、高频领域转变的发展趋势,纯环氧树脂0.2 W?m-1?K-1的低热导率使封装后的微细化超大规模集成电路以及电机运行等产生的热量难于释放,导致器件可靠性降低、寿命变短.发展高导热的环氧树脂封装材料成为必然选择.高导热环氧树脂具体包括本征型导热环氧树脂和填充型导热环氧树脂复合材料.当前,有关本征型导热环氧树脂的研究热点是通过化学合成刚性分子链或者容易结晶的小分子单体以及在分子链上引入液晶结构来提高环氧树脂的结晶度,减少声子散射.对于填充型导热环氧树脂而言,主要通过向环氧基体中添加高导热填料以构建导热通路,进而提高复合材料的热导率.但在低填充含量下往往无法构建有效的导热通路,而提高填充量又将影响材料的加工性与力学性能.与简单的共混相比,用高导热纳米填料构建3D框架可以极大地提高聚合物的热传递性能,但一般需要使用特殊工艺去除模板.本文综述了近些年关于环氧树脂导热性能的研究现状,给出了两种类型导热环氧树脂的制备方法,重点分析了提升其热导率的机制.进一步阐述了高导热填料的尺寸、形状、分布形态对填充型导热环氧树脂热导率的影响.最后,结合环氧树脂导热性能研究中存在的一些问题,展望了其未来的发展方向.     

高硅铝合金轻质电子封装材料研究现状及进展

综合比较了现有电子封装材料的性能及其在航空航天领域中的应用现状,较详细地阐述了高硅铝合金电子封装材料的性能特点、制备方法及研究现状,指出了高硅铝合金轻质电子封装材料的发展方向.     

ZrB2粉体制备的研究进展

随着高温技术的快速发展,高温材料的需求日益增大,同时对高温材料的性能也提出了更高的要求.ZrB2作为一种重要的高温结构材料,具有较高的化学稳定性、高的电导率和热导率、良好的阻燃性及高的耐腐蚀性等优点,因此应用前景广阔,逐渐引起了科研工作者的关注.主要介绍了ZrB2粉体的制备技术,综述了ZrB2陶瓷的主要应用,详细分析了各种制备方法的特点,最后展望了ZrB2粉体的应用前景.