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阐述了目前常用的3大类基片材料,即塑料基、金属基和陶瓷基材料,比较了3类材料的性能,得出了陶瓷基材料是综合性能较好的基片材料的结论,并比较了目前陶瓷基片材料中的Al2O3、AlN、BeO、SiC的性能,认为SiC作为基片材料具有良好的发展前景;针对单相SiC陶瓷固有脆性导致难以大尺寸成型的问题,提出了使用C/SiC复合材料制备基片材料的可能性,并综述了C/SiC复合材料的制备工艺,比较了3种工艺(PIP、CVI、LSI)所制备的材料的性能,认为液相渗硅(LSI)C/SiC复合材料制备大尺寸封装基片材料是未来最具前景的发展方向。 相似文献
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陶瓷基片材料的研究现状 总被引:8,自引:0,他引:8
本文以当前电子设备、元件及配线电路的发展趋向为技术背景,重点针对导热性,比较了常用陶瓷基片材料的性能,并详细介绍了氮化铝(A1N)陶瓷基片材料的研究现状。 相似文献
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《中国新技术新产品》2021,(9)
随着现代信息技术及其相关产业的蓬勃发展,高性能芯片的应用领域更加广泛,需求量也与日俱增,严重挑战了传统的电子封装材料研究产业。尤其是在电子设备越来越集成化、越来越小型化的变化中,散热能力成为封装基板应用问题的关键因素。在该背景下,微波陶瓷基本材料凭借其导热性良好的属性广泛应用于电子封装领域。其中,ZnAl_2O_4陶瓷导热和微波介电能力的表现都非常好,成为陶瓷基板材料的首选。 相似文献
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目前 IC 的封装材料,已开始由陶瓷向成本便宜、成型性好的塑料封装材料过渡。随着1K、4K、16KRAM 集成度的提高和大容量化,要求封装材料要具有高度可靠的耐热、耐湿和电气特性等。东芝公司运用其独有的高纯度化、催化剂、复合化以及表面物理学等技术,开发了超 LSI 用的环氧封装材料。该封装材料具有:①可使高温高湿下的铝电极和配线不受腐蚀,在高温高湿下的通电寿命达一万小时以上(为过去的3倍以上)。②在宽的温度范围下,超 LSI 的电气性能稳定,MOS 元件反 相似文献
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研究了金刚石膜/氧化铝陶瓷复合材料作为超高速、大功率集成电路封装基板材料的可行性。采用电容法测量了复合材料的介电性质,结果表明在氧化铝上沉积金刚石膜,能有效降低基片材料的介电系数。碳离子预注入处理使介电损耗降低(从5×10-3降低到2×10-3),且频率稳定性更好。金刚石膜的沉积可明显提高基片的热导率,随着薄膜厚度的增加,复合材料的热导率单调递增。当薄膜厚度超过100μm时复合材料的介电系数下降到6.5、热导率上升至3.98W/cm·K,热导率接近氧化铝的20倍。 相似文献
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封装是电气工程和电子工业的重要组成部分,封装材料是决定封装成败和产品性能的关键因素之一,聚合物封装材料因可靠性与金属和陶瓷相当,成型工艺简单,且具有明显的价格优势,从而成为目前的主流封装材料.环氧树脂(EP)因收缩率小、耐热性好、密封性好及电绝缘性优良等特点,在电子封装材料领域的使用量达90%以上.近些年,随着电力设备功率密度的不断提升,电子器件的微型化以及向高温、高压、高频领域转变的发展趋势,纯环氧树脂0.2 W?m-1?K-1的低热导率使封装后的微细化超大规模集成电路以及电机运行等产生的热量难于释放,导致器件可靠性降低、寿命变短.发展高导热的环氧树脂封装材料成为必然选择.高导热环氧树脂具体包括本征型导热环氧树脂和填充型导热环氧树脂复合材料.当前,有关本征型导热环氧树脂的研究热点是通过化学合成刚性分子链或者容易结晶的小分子单体以及在分子链上引入液晶结构来提高环氧树脂的结晶度,减少声子散射.对于填充型导热环氧树脂而言,主要通过向环氧基体中添加高导热填料以构建导热通路,进而提高复合材料的热导率.但在低填充含量下往往无法构建有效的导热通路,而提高填充量又将影响材料的加工性与力学性能.与简单的共混相比,用高导热纳米填料构建3D框架可以极大地提高聚合物的热传递性能,但一般需要使用特殊工艺去除模板.本文综述了近些年关于环氧树脂导热性能的研究现状,给出了两种类型导热环氧树脂的制备方法,重点分析了提升其热导率的机制.进一步阐述了高导热填料的尺寸、形状、分布形态对填充型导热环氧树脂热导率的影响.最后,结合环氧树脂导热性能研究中存在的一些问题,展望了其未来的发展方向. 相似文献