SEM/EDX和FTIR在手机电触点失效分析方面的应用

总结了SEM/EDX和FTIR在手机电触点失效分析中的几个典型案例,发现大量失效产品中的镀金触点因表面污染和氧化引起的接触电阻升高是造成电接触故障的主要原因。污染物形貌和成分复杂,通过与手机生产和使用中常见污染源的红外图谱和EDX图谱进行对比,SEM/EDX和FTIR能鉴别出大多数污染物,比如印刷线路板在切板过程中引起的碎屑、手指接触污染、灰尘聚集污染以及工艺带入的粘胶污染等,促进了工艺的改进和生产效率的提高。     

干型（中温沥青）阳极糊的生产,应用

为解决目前电焙电解槽的沥青烟气问题，包头铝厂从１９９３年８月份开始，生产和使用干型（中温沥青）阳极糊，经过近一年的生产实践证明：干型（中温沥青）阳极糊能够有效地减轻沥青烟气污染，降低电解槽的阳极单耗，降低吨铝直流电耗，满足了侧插自焙阳极电解槽对阳极的工艺要求。     

富铁Fe-Ni合金箔电沉积工艺及其形貌结构与耐蚀性

在富铁电解液体系中采用复配稳定剂和添加剂，增强了镀液的稳定性，降低了镀层内应力；并讨论了金属离子、氯离子、电流密度、温度及pH值等因素对合金箔组成的影响，得到了制备富铁Fe-Ni合金箔的最佳镀液组成及工艺条件.通过实验确定当阴阳极比为1∶2时，镍铁联合阳极配比为1.6∶1.采用SEM、EDS及XRD分析了富铁Fe-Ni合金箔的形貌及结构：合金箔晶粒细致，尺寸均匀，结构紧密，表面光滑平整，无缺陷，晶粒结构为(111),(200),(311)及(222)织构并表现为较强的(111)择优取向.阳极极化曲线测试表明：合金箔在10%的硫酸溶液、10%的氢氧化钠溶液、35%的氯化钠溶液中，表现出优异的耐腐蚀性能.      

多孔Pb合金阳极在电积制备铜粉中的应用特性

为了降低电积法生产铜粉的能耗,减小阳极腐蚀率,提高阴极铜粉品质,采用反重力渗流技术制备不同合金成分、不同孔径的多孔Pb合金阳极,并与平板阳极在阳极电位、阳极腐蚀率、阳极氧化膜的形貌与组成、阴极铜粉的纯度和形貌等方面进行对比。结果表明:多孔阳极可以降低阳极真实电流密度,从而降低析氧过电位,如孔径1.0-1.25 mm的Pb-Ag多孔阳极的析氧过电位比同样合金成分平板阳极的降低了131 mV,可以显著降低铜粉电积过程的能耗。另外,多孔阳极表面氧化膜由疏松的粉末状变为致密、平整的片状,提高了阳极的耐腐蚀性能,可以降低阴极铜粉中的Pb含量,有利于提升产品品质。     

Gd对有色金属电积用铅基阳极性能的影响

采用二步重熔法制备不同Gd含量的Pb-Gd合金材料,采用抗拉强度测试、阳极失重法研究Gd对Pb-Gd合金力学性能和耐腐蚀性能的影响,并利用CV(循环伏安曲线)和XRD分析研究Gd含量对Pb-Gd合金阳极电化学性能及物相组成的影响。结果表明:合金抗拉强度随Gd含量的增大而增大,当Gd含量达到2.0%(质量分数)时,合金抗拉强度为19.1 MPa,比纯Pb的提高69.0%;添加Gd没有影响阳极表面氧化膜物相的基本组成,阳极的表面氧化膜主要由β-PbO2和PbO组成。稀土元素Gd能降低合金电极阳极稳定电位,且电位值随稀土元素含量的增加而减小。     

Cu-W复合电沉积工艺和镀层电弧侵蚀性能研究

在纯铜表面利用复合电沉积的方法形成Cu-W复合镀层,使其满足电触头材料使用性能.研究了镀液中W的质量浓度、阴极电流密度、搅拌强度和温度工艺参数对Cu-W复合镀层中微粒含量的影响,并对Cu-W电接触材料的电弧侵蚀性能进行了分析.结果表明:在最佳的复合电沉积工艺下,Cu-W的复合沉积量质量分数在17%～23%;Cu-W电接触材料在电流<20A条件下,材料由阴极向阳极转移,电流>20A条件下,材料的转移方向相反;电弧侵蚀后Cu-W电接触材料的表面呈现凸起、凹坑和气孔等形貌特征.     

电解法从废弃印刷线路板的碘化浸金液中沉积金

研究电解法从废弃印刷线路板的碘化浸金液中沉积金.结果表明,电解法从废弃印刷线路板的碘化浸金液中沉积金的最佳工艺条件为:碳棒作阴极,钛板作阳极,阴离子交换膜隔开电解槽,阳极碘液中碘的质量分数为0.1%～0.8%,n(I2):n(I-)=1-10,槽电压为10～14 V,阴极碘化浸金液中金的浓度为15～50 mg/L,电解时间为1～4 h,金的电解沉积率大于95%.电解实验后,阳极碘液可以重复作为电解质使用或再次用来从废弃印刷线路板中浸取金.     

粘结剂含量少的阳极糊的应用经验

许多工厂生产阳极糊时所用粘结剂的含量实际上都明显地超过最佳合理值,这样就导致了阳极糊偏析,沥青大量澄出和焦油物散发量增多,污染大气。因此,降低阳极糊中粘结剂的含量是降低自焙阳极消耗和电解车间空气中     

Cu/Sn63-Pb37偶对在模拟湿热大气环境中的电化学腐蚀

针对电子装备中Cu／Sn63-Pb37偶对在模拟湿热大气环境中（40℃，95％RH）的腐蚀特性，用薄液膜下原位零阻安培表腐蚀电化学测试技术结合SEN、Fr-IR及XRD等表面分析手段，获得了电偶对的阳极电偶电流密度和电偶电位随时间的变化规律及腐蚀试样表面形貌和腐蚀产物组成的信息，阐述了Cu与sn63-Pb37之间的电偶腐蚀特征和电化学机制，并揭示了金属表面腐蚀产物膜的形成进程及其对电偶腐蚀行为的影响。结果表明，Cu作为偶对中的阳极发生腐蚀而Sn63-Pb37作为阴极受到保护，腐蚀产物对Cu表面腐蚀进程具有阻滞作用，实验后期Sn63-Pb37表面的阴极活化作用加强，并破坏其表面的稳态氧化膜促使其发生腐蚀。     

镁阳极氧化表面改性不同工艺及其成膜效果的比较

阳极氧化是Mg表面处理方法中最有效因而最常用的一种技术。对Mg阳极氧化经典工艺HAE和Dow17以及绿色环保工艺Starter进行全方位比较，发现工艺条件的选择对阳极氧化成膜效果有着十分重要的影响。Mg阳极氧化成膜条件具有多样性，但工艺条件不同，不仅阳极氧化成膜现象不同，而且所得膜层的颜色、均匀性、粗糙度及其耐蚀性、耐磨性和与基体金属之间的结合力等性能指标也不相同。     

Sn和Sn-Pb合金电镀

概述了含有有机磺酸 ,Sn2 + 和 Pb2 + 的有机磺酸盐 ,添加剂等组成的 Sn和 Sn- Pb合金镀液 ,可以在宽电流密度范围内获得外观良好的光亮 Sn和 Sn- Pb合金镀层 ,适用于连接器 ,IC引线架和印制板等电子部件的表面精饰。     

21世纪的表面处理新技术(待续)

表面处理技术不仅是产品的美容术,也是许多产品的制造技术,产品性能的改良技术和高科技的最新纳米材料的制造技术.面对21世纪环境保护新法规的出台以及高新技术发展的新需求,表面处理将如何适应这种新需求呢?评述了适应新环保新法规要求的印制板无铅表面终饰技术,如化学镀镍/置换镀金、置换镀银、置换镀锡、有机保焊剂(OSP)以及电镀镍/电镀金等工艺的优缺点.电镀、化学镀和复合镀是获得纳米膜层的最简便方法,介绍了许多纳米新镀层的性质、晶粒尺寸大小的控制以及纳米镀层在表面处理上的应用.还介绍了信息产业的表面处理新技术,如芯片铜线路的湿法工艺,印制板的二阶盲孔镀铜、细线芯片的单槽镀铜系统以及超细线挠性印制板的置换镀银和置换镀锡.最后还介绍了21世纪最新的超临界流体(SCF)表面处理新技术的特点及其在信息和印制板产业上的应用.     

基于深度图像的SMT焊膏印刷实时自动检测

表面贴片安装技术(SMT)焊膏印刷质量机器视觉检测中,对采集的图像直接分割精度不高,而印制电路板(PCB)的焊盘、焊膏印刷模板中包含了焊膏的位置和高度信息,利用其建立标准模板节省了统计建模时间。通过焊膏印刷前裸印制线路板(PWB)的数字图像差运算来获取焊膏分割图像,大大提高了检测精度和速度。图像的形态学处理可以消除图像间的正常偏差噪声。图像深度值的提取是利用和无激光的背景图像的差运算。对比实验证明了本方案的检测准确度和速度都有较大提高。     

等离子表面处理对低粗糙度铜箔与树脂界面结合性能的影响

目的 通过等离子处理提高高频高速印刷电路板（Printed Circuit Board,PCB）基板中低粗糙度铜箔与树脂的结合力。方法 采用大气等离子处理对环氧树脂和聚苯醚树脂进行表面改性,电沉积粗化处理得到低粗糙度铜箔,将处理后的铜箔/树脂热压制成PCB基板,通过扫描电子显微镜（SEM）、激光共聚焦显微镜（LSM）、X射线光电子能谱（XPS）、剥离强度测试等分析测试手段,系统地研究了等离子处理对铜箔/树脂界面结合力的影响。结果 等离子处理后的树脂表面形貌未发生明显变化,对表面化学状态的分析表明表面产生了更多的有利于黏合的活性基团。等离子处理的环氧树脂和聚苯醚树脂样品的剥离强度分别为0.86N/mm和0.63N/mm,相比于未处理样品,结合力分别提高了43%和50%。此外,有无等离子处理的铜箔/树脂界面剥离断裂后的表面形貌特征显现出明显的差别,这一差别与等离子处理后表面化学状态的改变相关。具体而言,等离子处理的铜箔/环氧树脂剥离样品,树脂侧残留更多的铜微粒;等离子处理的铜箔/聚苯醚树脂样品,倾向于从树脂侧断裂,且铜微粒间隙中残留较多的树脂。结论 等离子处理能够有效提高低粗糙度铜箔与环氧...     

铜基体无氰置换镀银工艺研究

为获得银镀层性能较好的铜表面无氰置换镀银工艺,以硝酸银为主盐,溴化钠为Ag<'+>配位剂,乙二胺和α,α-联吡啶为铜离子配住剂,通过单因素试验,研究了镀液各组成的用量及其PH值和温度对镀银层厚度和外观质量的影响,确定了最优工艺参数.采用该优化工艺在铜表面镀银10 min,可获得光亮的银白色镀银层,镀层厚度达0.1 μm...     

大直径硅片超精密磨削技术的研究与应用现状

随着IC制造技术的飞速发展，为了增加IC芯片产量和降低单元制造成本，硅片趋向大直径化，原始硅片的厚度也相应增大以保证大尺寸硅片的强度；与此相反，为了满足IC封装的要求，芯片的厚度却不断减小，需要对图形硅片进行背面减薄。硅片和芯片尺寸变化所导致的硅片加工量的增加以及对硅片加工精度和表面质量更高的要求，使已有的硅片加工技术面临严峻的挑战。本文详细分析了传统硅片加工工艺的局限性，介绍了几种大直径硅片超精密磨削加工工艺的原理和特点，评述了国内外硅片超精密磨削技术与装备研究和应用的现状及发展方向，强调了我国开展大直径硅片超精密磨削技术和装备研究的必要性。     

干冰表面处理技术在系统级封装的应用

目的电子元器件表面材料的质量是影响电磁屏蔽镀层和封装材料表面结合力的主要因素,封装元件在切割分离过程中侧壁表面粘附的Cu杂质对屏蔽膜的质量有不利影响。为了提高电子封装体的表面质量,提出一种可应用于高精密电子加工领域的新型表面技术——干冰处理技术。方法通过实验设计深入研究干冰技术的关键参量(喷射压力、喷射角度和清洗速度)对电子材料表面杂质去除的影响规律,分析了干冰处理封装材料表面的作用机理,对比了干冰作用与传统去离子水处理所获得的电磁屏蔽膜质量。结果作用机理为干冰的物理冲击和微爆破产生的冲击力将粘附到侧壁上的杂质剥离而去除,实验得到最优作用条件,即在喷射压力为0.2~0.4 MPa,作用速度为40~50 mm/s,喷射角度为40?~70?时,封装元件PCB侧壁表面质量明显改善,表面PCB区域铜杂质的含量由30%降至2%,阻焊层破损率可控,且有效地提高了电磁屏蔽镀层结合力的等级。结论干冰技术工艺操作简单,作业效率高,且在最优工艺参数下无其他不良产生,可作为未来电子元器件制造领域表面处理的技术支撑。     

分次催化法在印刷线路板上快速化学镀锡

以硫脲为络合剂,次磷酸钠为还原剂,六氟合钯酸钾(K2[PdF6])为催化剂,在印刷线路板(PCB)上化学镀锡。利用扫描电镜(SEM)和X射线荧光测厚仪(XRF)对镀锡层进行形貌测试和厚度分析,研究了在采用六氟合钯酸钾为催化剂进行分次催化下,不同沉积时间所获得镀锡层的表面形貌,以及在有无催化剂作用下镀锡层的沉积速度。结果表明,K2[PdF6]对化学镀锡时锡在镀锡层上的持续还原沉积具有促进作用,可以提高其沉积速度。     

A study on surface grinding of 300 mm silicon wafers

Most of today's IC chips are made from 200 mm or 150 mm silicon wafers. It is estimated that the transition from 200 mm to 300 mm wafers will bring a die cost saving of 30–40%. To meet their customers' needs, silicon wafer manufacturers are actively searching for cost-effective ways to manufacture 300 mm wafers with high quality. This paper presents the results of a study on surface grinding of 300 mm silicon wafers. In this study, a three-factor two-level full factorial design is employed to reveal the main effects as well as the interaction effects of three process parameters (wheel rotational speed, chuck rotational speed and feedrate). The process outputs studied include spindle motor current, surface roughness, grinding marks and depth of subsurface cracks.     

金属基电子封装复合材料的研究进展

集成电路和芯片的封装技术的快速发展对封装材料提出了更高的要求。由于传统的金属封装材料不能满足现代封装技术的发展需要，向金属基体内添加低热膨胀系数的陶瓷或其它物质制成金属基电子封装复合材料已成为金属基复合材料今后重点发展的方向之一。本文阐述了金属基体、增强体及其体积分数、制备工艺对复合材料热性能的影响。