在Al/a—Si:H/C—Si薄膜系统中金属原子与无定形硅互作用的分析研究

非晶态半导体材料不仅是一种优质的太阳能电池材料,而且是一种很好的半导体器件表面钝化膜材料。用半绝缘性的a-Si:H膜代替Si0_2膜做硅表面钝化膜,能很好的屏蔽外电场和钝化层表面积累的电荷所产生的电场;能有效的阻挡金属钠离子移动。所以可以用来做成MIS,MISS等器件。然而,半缘绝性非晶硅薄膜和其它介质膜一样,与金属有互作用现象。严重时,能引起器件退化。本文就此互作用现象,对Al/a-Si:H/C-Si薄膜系统进行了AES及SEM实验分析,并提出了一些防止的措施。     

碳纳米管电极上的电化学行为分析

用化学方法对碳纳米管进行表面处理,用红外谱对处理后的碳纳米管进行表征,处理后的碳纳米管表面出现了活性功能团羧基.用这些碳纳米管制成电极,对Cd离子在硫酸钠中的电化学行为进行了分析.结果表明,从碳纳米管电极上可以观察到很好的、准可逆循环伏安图;在扫描速度为100 mV*s-1时,氧化还原峰电位分别出现在-0.65 V和 -0.95 V 对照饱和甘汞电极(SCE).峰电流与扫描速度的平方根成良好的线性关系,说明反应过程是由镉离子的扩散控制的.由循环伏安图相关的电位与扫描速度关系,我们导出了电子转移动力学速度参数.由于碳纳米管电极有很好的电化学活性和可重复性,它可以成为一种新型的分析电极材料.     

直流等离子体CVD法金刚石薄膜的Raman谱和内应力研究

本文给出了直流等离子体CVD法合成金刚石膜的实验结果。衬底温度900℃时,在Si(100)上最高生长速率为150μm/h。实验结果表明金刚石膜Raman特征峰随生长时间和晶粒增大移向低波数方向,这主要是膜内应力所致。Raman谱还表明金刚石膜内非晶碳成份随放电电流密度和生长时间增加而减少,并主要集中在晶粒界面之间。文中还对高速率生长金刚石膜的机理及内应力形成的原因进行了讨论。     

p型透明导电氧化物薄膜的研究进展

p型透明导电膜是近来发现的一种新型的材料,在透明有源器件、传感器、透明电极和电路等方面具有广泛的潜在应用.近来在这方面的研究取得了一些突出的进展.本文主要综述了关于p型透明导电膜在材料、沉积工艺以及相关器件方面的研究进展.     

CdS/CdTe异质结太阳电池串联电阻的理论研究

串联电阻是太阳电池中一个附加的功率损耗．对太阳电池的转换效率、填充因子输出性能等均有较大影响，尽可能的减小串联电阻是提高太阳电池效率和性能所要求的。该文从理论上分析了太阳电池中串联电阻形成的各种因素，特别是对电池TCO层的薄层横向电阻做了较为详尽的理论分析，导出了TCO层薄层横向电阻的理论计算公式，并讨论了减小串联电阻的途径。并将计算值与实验结果进行了比较，两者符合较好。     

热丝辅助等离子体化学气相法生长c－BN薄膜

用热丝辅助射频等离子体化学气相沉积法（ＰＣＶＤ）合成：ｃ－ＢＮ薄膜获得成功。实验结果表明，灯丝温度、反应气压、衬底温度、灯丝与衬底距离对薄膜质量有重要影响。     

CVD金刚石膜研究进展和应用

评论国内外化学气相沉积的金刚石膜制备技术，核化和生长，性质表征、异质外延生长及其应用等方面研究的最新进展和应用前景。     

单层有机半导体微腔效应的研究

制作了ＤＢＲ／ＩＴＯ／ＰＰＶ／Ａ１微腔结构，研究了这种结构ＰＰＶ发光器件的光致发光和电致发光特性。实验结果表明，由简单地调节夹于两金属电极镜面之间的ＰＰＶ层厚度可实现微腔效应。     

半导体金刚石膜的磁阻效应

研究了在硅上Ｐ型异质外延金刚石膜的磁阻效应。实验结果表明金刚石膜有显著的磁阻反应，并与磁阻器件的结构有关。在室温下圆盘形结构的磁阻相对变化在５Ｔ磁场下约为０．８５，而长条形结构只有０．４０。